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江蘇進(jìn)口碳化硅襯底

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-05-20

碳化硅(SiC)又叫金剛砂,密度是3.2g/cm3,天然碳化硅非常罕見(jiàn),主要通過(guò)人工合成。按晶體結(jié)構(gòu)的不同分類(lèi),碳化硅可分為兩大類(lèi):αSiC和βSiC。在熱力學(xué)方面,碳化硅硬度在20℃時(shí)高達(dá)莫氏9.2-9.3,是硬的物質(zhì)之一,可以用于切割紅寶石;導(dǎo)熱率超過(guò)金屬銅,是Si的3倍、GaAs的8-10倍,且其熱穩(wěn)定性高,在常壓下不可能被熔化;在電化學(xué)方面,碳化硅具有寬禁帶、耐擊穿的特點(diǎn),其禁帶寬度是Si的3倍,擊穿電場(chǎng)為Si的10倍;且其耐腐蝕性極強(qiáng),在常溫下可以免疫目前已知的所有腐蝕劑。碳化硅可在超過(guò)200℃的高溫下長(zhǎng)期穩(wěn)定地工作,因此,相比于硅,碳化硅方案可以大量縮減冷卻負(fù)擔(dān)。江蘇進(jìn)口碳化硅襯底

功率半成品在成熟節(jié)點(diǎn)上制造。這些設(shè)備旨在提高系統(tǒng)的效率并將能量損失降至比較低。通常,它們的額定值是由電壓和其他規(guī)格決定的,而不是由工藝幾何形狀決定的。多年來(lái),占主導(dǎo)地位的功率半技術(shù)一直(現(xiàn)在仍然)基于硅,即功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。功率MOSFET被認(rèn)為是低價(jià)、當(dāng)下流行的器件,用于適配器、電源和其他產(chǎn)品中。它們用于高達(dá)900伏的應(yīng)用中。在傳統(tǒng)的MOSFET器件中,源極和漏極位于器件的頂部。相比之下,功率MOSFET具有垂直結(jié)構(gòu),其中源極和漏極位于器件的相對(duì)側(cè)。垂直結(jié)構(gòu)使設(shè)備能夠處理更高的電壓。山東碳化硅襯底6寸導(dǎo)電SiC材料具有良好的電學(xué)特性和力學(xué)特性,是一種非常理想的可適應(yīng)諸多惡劣環(huán)境的半導(dǎo)體材料。

隨著下游新能源汽車(chē)、充電樁、光伏、5G基站等領(lǐng)域的爆發(fā),了對(duì)第三代半導(dǎo)體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場(chǎng)需求,國(guó)內(nèi)眾多企業(yè)紛紛通過(guò)加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)與資本投入布局碳化硅產(chǎn)業(yè),我們首先來(lái)探討一下碳化硅襯底的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。碳化硅分為立方相(閃鋅礦結(jié)構(gòu))、六方相(纖鋅礦結(jié)構(gòu))和菱方相3大類(lèi)共 260多種結(jié)構(gòu),目前只有六方相中的 4H-SiC、6H-SiC才有商業(yè)價(jià)值。另碳化硅根據(jù)電學(xué)性能的不同主要可分為高電阻(電阻率 ≥105Ω·cm)的半絕緣型碳化硅襯底和低電阻(電阻率區(qū)間為 15~30mΩ·cm)的導(dǎo)電型碳化硅襯底,滿(mǎn)足不同功能芯片需求

碳化硅SiC的應(yīng)用前景  由于SiC具有上述眾多優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),不僅能夠作為一種良好的高溫結(jié)構(gòu)材料,也是一種理想的高溫半導(dǎo)體材料。近20年,伴隨薄膜制備技術(shù)的高速發(fā)展,SiC薄膜已經(jīng)被***應(yīng)用于保護(hù)涂層、光致發(fā)光、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、薄膜發(fā)光二極管以及非晶Si太陽(yáng)能電池的窗口材料等。另外,作為結(jié)構(gòu)材料的SiC薄膜還被認(rèn)為是核聚變堆中比較好的防護(hù)材料,在不銹鋼基體上沉積一層SiC薄膜,可以**地降低氚的滲透率,并保持聚變反應(yīng)的穩(wěn)定性??偨Y(jié)起來(lái),SiC具有以下幾個(gè)方面的應(yīng)用:(1)高的硬度與熱穩(wěn)定性,可用于***涂層;(2)穩(wěn)定的結(jié)構(gòu),在核反應(yīng)技術(shù)中用作核聚變堆等離子體的面對(duì)材料:(3)大的禁帶寬度,可作為光的短波長(zhǎng)區(qū)域發(fā)光材料。例如,3C-SiC的Eg=2.2eV,6H-SiC的Eg=2.9eV可分別用作綠色、藍(lán)色LED材料,目前SiC藍(lán)光LED已經(jīng)商品化;(4)高的熱導(dǎo)率,可作為超大規(guī)模集成電路和特大規(guī)模集成電路的熱沉材料SiC由Si原子和C原子組成,其晶體結(jié)構(gòu)具有同質(zhì)多型體的特點(diǎn)。

碳化硅SiC的應(yīng)用前景由于SiC具有上述眾多優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),不僅能夠作為一種良好的高溫結(jié)構(gòu)材料,也是一種理想的高溫半導(dǎo)體材料。近20年,伴隨薄膜制備技術(shù)的高速發(fā)展,SiC薄膜已經(jīng)被***應(yīng)用于保護(hù)涂層、光致發(fā)光、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、薄膜發(fā)光二極管以及非晶Si太陽(yáng)能電池的窗口材料等。另外,作為結(jié)構(gòu)材料的SiC薄膜還被認(rèn)為是核聚變堆中比較好的防護(hù)材料,在不銹鋼基體上沉積一層SiC薄膜,可以**地降低氚的滲透率,并保持聚變反應(yīng)的穩(wěn)定性。總結(jié)起來(lái),SiC具有以下幾個(gè)方面的應(yīng)用:(1)高的硬度與熱穩(wěn)定性,可用于***涂層;(2)穩(wěn)定的結(jié)構(gòu),在核反應(yīng)技術(shù)中用作核聚變堆等離子體的面對(duì)材料:(3)大的禁帶寬度,可作為光的短波長(zhǎng)區(qū)域發(fā)光材料。例如,3C-SiC的Eg=2.2eV,6H-SiC的Eg=2.9eV可分別用作綠色、藍(lán)色LED材料,目前SiC藍(lán)光LED已經(jīng)商品化;(4)高的熱導(dǎo)率,可作為超大規(guī)模集成電路和特大規(guī)模集成電路的熱沉材料,**提高了電路的集成度;(5)優(yōu)異的電學(xué)性能,在功率器件、微波器件、高溫器件和抗輻射器件方面也具有***的應(yīng)用前景。碳化硅半導(dǎo)體完整產(chǎn)業(yè)鏈條包括:碳化硅原料-晶錠-襯底-外延-芯片-器件-模塊。廣州碳化硅襯底進(jìn)口6寸

碳化硅由于其獨(dú)特的物理及電子特性,在一些應(yīng)用上成為短波長(zhǎng)光電元件,高溫,抗幅射以及高頻大功率元件。江蘇進(jìn)口碳化硅襯底

隨著全球電子信息及太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)對(duì)硅晶片需求量的快速增長(zhǎng),硅晶片線(xiàn)切割用碳化硅微粉的需求量也正在迅速增加。以碳化硅(SiC)及GaN為**的寬禁帶材料,是繼Si和GaAs之后的第三代半導(dǎo)體。與Si及GaAs相比,SiC具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、化學(xué)性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。所以,SiC特別適合于制造高溫、高頻、高功率、抗輻射、抗腐蝕的電子器件。此外,六方SiC與GaN晶格和熱膨脹相匹配,也是制造高亮度GaN發(fā)光和激光二極管的理想襯底材料。SiC晶體目前主要應(yīng)用于光電器件如藍(lán)綠光發(fā)光二極管以及紫外光激光二極管和功率器件包括大功率肖托基二極管,MES晶體管微波器件等。江蘇進(jìn)口碳化硅襯底

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