目前,基于SOI(絕緣體上硅)材料的波導調(diào)制器成為當前的研究熱點,也取得了許多的進展,但在硅光芯片調(diào)制器的產(chǎn)業(yè)化進程中,面臨著一系列的問題,波導芯片與光纖的有效耦合就是難題之一。從懸臂型耦合結(jié)構出發(fā),模擬設計了懸臂型倒錐耦合結(jié)構,通過開發(fā)相應的有效地耦合工藝來實現(xiàn)耦合實驗,驗證了該結(jié)構良好的耦合效率。在這個基礎之上,對硅光芯片調(diào)制器進行耦合封裝,并對封裝后的調(diào)制器進行性能測試分析。主要研究基于硅光芯片調(diào)制技術的硅基調(diào)制器芯片的耦合封裝及測試技術其實就是硅光芯片耦合測試系統(tǒng)。集成電路的晶圓級可靠性測試中，使用非常普遍的測試類別主要是熱載流注入測試、電遷移測試等等。甘肅振動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)

測試是硅光芯片耦合測試系統(tǒng)的主要作用，硅光芯片耦合測試系統(tǒng)主要是用整機模擬一個實際使用的環(huán)境,測試設備在無線環(huán)境下的射頻性能,重點集中在天線附近一塊，即檢測天線與主板之間的匹配性。因為在天線硅光芯片耦合測試系統(tǒng)之前(SMT段）已經(jīng)做過相應的測試，所以可認為主板在射頻頭之前的部分已經(jīng)是好的了，剩下的就是RF天線、天線匹配電路部分，所以檢查的重點就是天線效率、性能等項目。通常來說耦合功率低甚至無功率的情況大多與同軸線、KB板和天線之間的裝配接觸是否良好有關。廣東單模硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處：片內(nèi)具有快速RAM，通?？赏ㄟ^單獨的數(shù)據(jù)總線在兩塊中同時訪問。

伴隨著光纖通信技術的快速發(fā)展,小到芯片間,大到數(shù)據(jù)中心間的大規(guī)模數(shù)據(jù)交換處理,都迫切需求高速,可靠,低成本,低功耗的互聯(lián)。目前,主流的光互聯(lián)技術分為兩類。一類是基于III-V族半導體材料,另一類是基于硅等與現(xiàn)有的成熟的微電子CMOS工藝兼容的材料?；贗II-V族半導體材料的光互聯(lián)技術,在光學性能方面較好,但是其成本高,工藝復雜,加工困難,集成度不高的缺點限制了未來大規(guī)模光電子集成的發(fā)展。硅光芯片器件可將光子功能和智能電子結(jié)合在一起以提供潛力巨大的高速光互聯(lián)的解決方案。

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)中硅光芯片與激光器的封裝結(jié)構,封裝結(jié)構包括基座,基座設置與硅光芯片連接的基座貼合面,與激光器芯片和一體化反射鏡透鏡連接的基座上表面;基座設置通孔,通孔頂部開口與一體化反射鏡透鏡的出光面連接,通孔底部開口與硅光芯片的光柵耦合器表面連接;激光器芯片靠近一體化反射鏡透鏡的入光面的一端設置高斯光束出口;激光器芯片的高斯光束方向水平射入一體化反射鏡透鏡的入光面,經(jīng)一體化反射鏡透鏡的反射面折射到一體化反射鏡透鏡的出光面,穿過通孔聚焦到光柵耦合器表面;基座貼合面與基座上表面延伸面的夾角為a1。通過對基座的底部進行加工形成斜角,角度的設計滿足耦合光柵的較佳入射角。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)優(yōu)點：易于大規(guī)模測試。

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)的應用技術領域,公開了光子集成芯片的新型測試系統(tǒng)及方法,包括測試設備和集成芯片放置設備,測試設備包括電耦合測試設備和光耦合測試設備中的一種或兩種,電耦合測試設備和光耦合測試設備可拆卸安裝在集成芯片放置機構四周,電耦合測試設備包括單探針耦合模塊和探針卡耦合模塊,光耦合測試設備包括陣列光纖耦合模塊和光纖耦合模塊;該通過改進結(jié)構,形成電耦合測試機構和光耦合測試設備,通過搭配組裝可靈活對待測試集成芯片進行光耦合測試和電耦合測試,安裝方便快捷,成本低。端面耦合器需要解決的問題是模斑尺寸的匹配,而光柵耦合器由于需要特定角度入射光,主要需要解決光路偏折。甘肅振動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處：可編程性。甘肅振動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)

我們分析了一種可以有效消除偏振相關性的偏振分級方案,并提出了兩種新型結(jié)構以實現(xiàn)該方案中的兩種關鍵元件。通過理論分析以及實驗驗證,一個基于一維光柵的偏振分束器被證明能夠?qū)崿F(xiàn)兩種偏振光的有效分離。該分束器同時還能作為光纖與硅光芯片之間的高效耦合器。實驗中我們獲得了超過50%的耦合效率以及低于-20dB的偏振串擾。我們還對一個基于硅條形波導的超小型偏振旋轉(zhuǎn)器進行了理論分析,該器件能夠?qū)崿F(xiàn)100%的偏轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)化效率,并擁有較大的制造容差。在這里,我們還對利用側(cè)向外延生長硅光芯片耦合測試系統(tǒng)技術實現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ材料與硅材料混集成的可行性進行了初步分析,并優(yōu)化了諸如氫化物氣相外延,化學物理拋光等關鍵工藝。在該方案中,二氧化硅掩膜被用來阻止InP種子層中的線位錯在外延生長中的傳播。初步實驗結(jié)果和理論分析證明該集成平臺對于實現(xiàn)InP和硅材料的混合集成具有比較大的吸引力。甘肅振動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)