當(dāng)電容C被充足電后，使三極管V由截止轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)，將可控硅SCR關(guān)斷，電燈也就熄滅了。本電路關(guān)燈延時期間，延時時間由R1、C的取值來確定，讀者也可根據(jù)各自需要自行確定。本電路中的可控硅，筆者選用的為單向可控硅，在關(guān)燈延時期間電燈的亮度約為開燈時亮度的一半，以適合人們的視覺上的需要，同時又可節(jié)能。電路制作：圖中單向可控硅SCR選用MCR100－8，耐壓須為600V以上。燈泡的功率不大于100W為宜。二極管VD為1N4007，V為C1815。電阻均為1／8W碳膜電阻。制作時，用一小塊電路板將圖中虛線框內(nèi)各元器件焊裝上。好將本電路裝在拉線開關(guān)底部凹槽內(nèi)，用膠水粘牢并將引線接至開關(guān)兩接線端即可。8：單鍵自鎖開關(guān)單鍵自鎖開關(guān)說明1、上電不動作。2、按鈕按下后再釋放，繼電器吸合。3、按鈕長按時，繼電器釋放，松開后繼電器吸合。4、按鈕點按時：繼電器釋放←→吸合循環(huán)動作。5、因為47Ω電阻有壓降，繼電器可以用DC9V的。9：簡單的停電自鎖開關(guān)電網(wǎng)供電正常時，它象普通開關(guān)一樣使用。按一下K1，220V交流電經(jīng)R1和R2分壓給雙向可控硅提供一觸發(fā)電壓，使雙向可控硅導(dǎo)通?？煽毓鑼?dǎo)通后，在電源電壓正半周期間，少量電流經(jīng)R4、D向C充電，同時經(jīng)R3、R2分壓觸發(fā)可控硅。淄博正高電氣材料竭誠為您服務(wù)，期待與您的合作！吉林恒壓晶閘管移相調(diào)壓模塊品牌

壓接式和焊接式可控硅模塊有哪些區(qū)別？可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結(jié)構(gòu)也十分的緊湊，對于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細(xì)的進(jìn)行區(qū)分一下。①從電流方面來講，焊接式可控硅模塊可以做到160A電流，同時壓接式模塊的電流就能夠達(dá)到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時也有壓接式的?？煽毓枘K②從外形方面來講，焊接式的可控硅模塊遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術(shù)十分的標(biāo)準(zhǔn)，焊接式的局部地區(qū)可能有焊接的痕跡，但是在使用的時候是沒有任何的影響的。③眾所周知，壓接式可控硅模塊的市場占有率是非常大的，有不少的公司都會使用壓接式可控硅模塊，這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀，除此之外從價格方面來講，焊接式可控硅模塊的成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)要比壓接式可控硅模塊的成本低。。上海單相晶閘管移相調(diào)壓模塊淄博正高電氣通過專業(yè)的知識和可靠技術(shù)為客戶提供服務(wù)。

鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）?？刂茦O與陰極之間是一個P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關(guān)以快速接通或切斷電路，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電，等等。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種）。螺旋式的應(yīng)用較多?？煽毓栌腥齻€電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個PN結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號。從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先，我們可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。對可控硅來說，觸發(fā)信號加入控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。淄博正高電氣設(shè)備的引進(jìn)更加豐富了公司的設(shè)備品種，為用戶提供了更多的選擇空間。

維持繼電器吸合約4秒鐘，故電路動作較為準(zhǔn)確。如果將負(fù)載換為繼電器，即可控制大電流工作的負(fù)載?？煽毓枋且环N新型的半導(dǎo)體器件，它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、動作快以及使用方便等優(yōu)點，活動導(dǎo)入以可控硅實際應(yīng)用案例的展示，以激發(fā)學(xué)生的活動興趣?？煽毓杩刂齐娐返闹谱?3例1：可調(diào)電壓插座電路如圖，可用于調(diào)溫（電烙鐵）、調(diào)光（燈）、調(diào)速（電機），使用時只要把用電器的插頭插入插座即可，十分方便。V1為雙向二極管2CTS，V2為3CTSI雙向可控硅，調(diào)節(jié)RP可使插座上的電壓發(fā)生變化。2：簡易混合調(diào)光器根據(jù)電學(xué)原理可知，電容器接入正弦交流電路中，電壓與電流的大值在相位上相差90°。根據(jù)這一原理，把C1和C2串聯(lián)聯(lián)接，并從中間取出該差為我所用，這比電阻與電容串聯(lián)更穩(wěn)定。電路中，D1和D2分別對電源的正半波及負(fù)半波進(jìn)行整流，并加到A觸發(fā)和C1或C2充電。進(jìn)一步用W來改變觸發(fā)時間進(jìn)行移相，只要調(diào)整W的阻值，就可達(dá)到改變輸出電壓的目的。D1和D2還起限制觸發(fā)極的反相電壓保護(hù)雙向可控硅的作用。3：可調(diào)速吸塵器這種吸塵器使用可控硅元件構(gòu)成調(diào)速電路，能根據(jù)需要控制電機轉(zhuǎn)速，以發(fā)跡管道吸力的大小。淄博正高電氣愿與各界朋友攜手共進(jìn)，共創(chuàng)未來！棗莊單相晶閘管移相調(diào)壓模塊組件

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可控硅損壞原因判別哪種參數(shù)壞了？當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，損壞的面積小，有時需用擴(kuò)大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，損壞的面積大，其位置在遠(yuǎn)離控制極上。3電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。5、G-K電壓擊穿。晶閘管G-K間因不能承受反向電壓（）12V）而損壞，其芯片G-K間有燒焦的通路（短路痕跡）。吉林恒壓晶閘管移相調(diào)壓模塊品牌

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