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接下來是單晶硅生長,**常用的方法叫直拉法(CZ法)。如下圖所示,高純度的多晶硅放在石英坩堝中,并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱,溫度維持在大約1400 ℃,爐中的氣體通常是惰性氣體,使多晶硅熔化,同時又不會產(chǎn)生不需要的化學反應。為了形成單晶硅,還需要控制晶體的方向:坩堝帶著多晶硅熔化物在旋轉(zhuǎn),把一顆籽晶浸入其中,并且由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn),同時慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅會粘在籽晶的底端,按籽晶晶格排列的方向不斷地生長上去。因此所生長的晶體的方向性是由籽晶所決定的,在其被拉出和冷卻后就生長成了與籽晶內(nèi)部晶格方向相同的單晶硅棒。各支承、連接件的剛性也要有一定的要求,以保證能承受所需要的驅(qū)動力。安徽庫存晶圓運送機械吸臂設計
目前,直拉法是生長晶圓**常用的方法了,除了直拉法之外,常用的方法還有區(qū)熔法。區(qū)熔法,簡稱Fz法。1939年,在貝爾實驗室工作的W·G·Pfann較早萌生了“區(qū)域勻平”的念頭,后來在亨利·休勒、丹·多西等人的協(xié)助下,生長出了高純度的鍺以及硅單晶,并獲得了**。這種方法是利用熱能在半導體多晶棒料的一端產(chǎn)生一熔區(qū),使其重結(jié)晶為單晶。使熔區(qū)沿一定方向緩慢地向棒的另一端移動,進而通過整根棒料,使多晶棒料生長成一根單晶棒料,區(qū)熔法也需要籽晶,且**終得到的柱狀單晶錠晶向與籽晶的相同。 徐匯區(qū)庫存晶圓運送機械吸臂設計實現(xiàn)柔性機械臂高精度有效控制也必須考慮系統(tǒng)動力學特性。
與剛性機械臂相比較,柔性機械臂具有結(jié)構(gòu)輕、載重/自重比高等特性,因而具有較低的能耗、較大的操作空間和很高的效率,其響應快速而準確,有著很多潛在的優(yōu)點,在工業(yè)、**等應用領域中占有十分重要的地位。隨著宇航業(yè)及機器人業(yè)的飛速發(fā)展,越來越多地采用由若干個柔性構(gòu)件組成的多柔體系統(tǒng)。傳統(tǒng)的多剛體動力學的分析方法及控制方法已不能滿足多柔體系統(tǒng)的動力分析及控制的要求。柔性機械臂作為簡單的非平凡多柔體系統(tǒng),被用作多柔體系統(tǒng)的研究模型。
多功能一體化機械臂,包括機械臂主體,所述機械臂主體由設置在該機械臂主體底部的底座、設置在底座頂部的后臂及設置在后臂頂部的前臂構(gòu)成的,該種多功能一體化機械臂,改進了原有產(chǎn)品的缺點,本實用新型多功能一體化機械臂具有成本費用較低、占地面積較小和驅(qū)動充足的特點,本機械臂*由底座、前臂和后臂構(gòu)成的,實現(xiàn)了占地面積小的特點,且在生產(chǎn)過程中由于體積較小,廠家生產(chǎn)成本費較低,同時工人在使用時,移動較為方便,設有的安全離合器、液壓器和液壓室,實現(xiàn)了本新型機械臂驅(qū)動充足的特點,在使用過程中完全依靠程序芯片控制,液壓器液壓精細不會手臂。起著連接和承受外力的作用。
進行光刻:
將設計好的電路掩模,置于光刻機的紫外射線下,然后再在它的下面放置Wafer,這一刻,Wafer上被光刻部分的光刻膠被融化掉,刻上了電路圖。然后將光刻膠去除,光刻膠上的圖案要與掩模上的圖案一致,然后進行再次光刻。一般來說一個晶圓的電路要經(jīng)過多次光刻。而隨著技術革新,極紫光刻出現(xiàn)了,現(xiàn)階段光刻的效率變得比以前更高,甚至于可以達到光刻一次完成。
注射:
在真空下,將導電材料注入晶圓的電路內(nèi)部。其真空的標準比無菌室或ICU還要高出千萬倍。 其特征在于:所述機械臂包括內(nèi)部具有真空腔體的鋁合金平板.金山區(qū)銷售晶圓運送機械吸臂推廣
手臂一般有3個運動:伸縮、旋轉(zhuǎn)和升降.安徽庫存晶圓運送機械吸臂設計
區(qū)熔法分為兩種:水平區(qū)熔法和立式懸浮區(qū)熔法。前者主要用于鍺、GaAs等材料的提純和單晶生長;后者主要用于硅。為什么有橫著和豎著長的不同捏?這是由于硅的熔點高,化學性能活潑,容易受到異物的玷污,所以難以找到適合的器皿來盛方,自然水平區(qū)熔法不能用在硅的生長上啦。區(qū)熔法與直拉法比較大的不同之處在于:區(qū)熔法一般不使用坩鍋,引入的雜質(zhì)更少,生長的材料雜質(zhì)含量也就更少??偠灾?,單晶硅棒是圓柱形的,使用這種方法得到的單晶硅圓片自然也是圓形的了。就是下圖這個樣的——知道是兩頭的尖尖是如何造成的嗎?Bingo,圖左的尖尖是籽晶,圖右的尖尖是晶棒長到***,從熔融態(tài)里出來后,由于復雜的流體力學原理,以及熔融態(tài)的硅迅速凝固而導致的。 安徽庫存晶圓運送機械吸臂設計
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