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背景技術(shù):
晶圓的生產(chǎn)與制作屬極為精密的加工技術(shù),其通常需借助晶圓傳輸裝置來(lái)進(jìn)行運(yùn)輸傳遞等作業(yè)。例如,準(zhǔn)備對(duì)晶圓進(jìn)行刻蝕加工時(shí),需要利用晶圓傳輸裝置將晶舟內(nèi)的待刻蝕晶圓傳輸至刻蝕機(jī)臺(tái)內(nèi)。
現(xiàn)有一種晶圓傳輸裝置包括機(jī)械手臂,該機(jī)械手臂的表面設(shè)有卡槽,晶圓用于放置在該卡槽內(nèi),以防止機(jī)械手臂在傳送晶圓時(shí)發(fā)生晶圓平移(即晶圓相對(duì)機(jī)械手臂運(yùn)動(dòng))。然而,現(xiàn)有機(jī)械手臂易出現(xiàn)碰撞損傷,另外,機(jī)械手臂的傳送晶圓效率較低,影響了生產(chǎn)效率。
機(jī)械手要獲得較高的位置精度,除采用先進(jìn)的控制方法外,在結(jié)構(gòu)上還注意以下幾個(gè)問(wèn)題;珠海官方晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂上門(mén)服務(wù)
基因決定”——生長(zhǎng)方法導(dǎo)致若要回答這個(gè)問(wèn)題,首先要說(shuō)一個(gè)大約有100余年歷史的原因。。。1918年,前蘇聯(lián)科學(xué)家切克勞斯基(Czochralski)建立起來(lái)一種晶體生長(zhǎng)方法——直拉式晶體生長(zhǎng)方法,簡(jiǎn)稱(chēng)CZ法。硅晶圓的制造可以歸納為三個(gè)基本步驟:硅提煉及提純、單晶硅生長(zhǎng)、晶圓成型。首先是硅砂的提純及熔煉。這個(gè)階段主要是通過(guò)溶解、提純、蒸餾等一系列措施得到多晶硅。接下來(lái)是單晶硅生長(zhǎng)工藝。就是從硅熔體中生長(zhǎng)出單晶硅。高純度的多晶硅放在石英坩堝中,在保護(hù)性氣氛中高溫加熱使其熔化。使用一顆小的籽晶緩慢地從旋轉(zhuǎn)著的熔體中緩慢上升,即可垂直拉制出大直徑的單晶硅錠。***一步是晶圓成型。單晶硅錠一般呈圓柱型,直徑從3英寸到十幾英寸不等。硅錠經(jīng)過(guò)切片、拋光之后,就得到了單晶硅圓片,也即晶圓。 珠海官方晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂上門(mén)服務(wù)加設(shè)定位裝置和行程檢測(cè)機(jī)構(gòu)。
割拋光:
單晶棒將按適當(dāng)?shù)某叽邕M(jìn)行切割,然后進(jìn)行研磨,將凹凸的切痕磨掉,再用化學(xué)機(jī)械拋光工藝使其至少一面光滑如鏡,晶圓片制造就完成了。
二,晶圓制造步驟
晶圓鍍膜:
通過(guò)物理或其他方式(如高溫等)使晶圓上產(chǎn)生一層二氧化硅。二氧化硅為絕緣材料,但有雜質(zhì)和特殊處理的二氧化硅有一定的導(dǎo)電性。二氧化硅在這里的作用是為了傳導(dǎo)光。像是用二氧化硅做光導(dǎo)纖維是同一個(gè)道理。完成這步后就為后面光刻做好了準(zhǔn)備。
光刻膠涂抹:
顧名思義,就是在晶圓表面覆蓋上一層光刻膠,而對(duì)其技術(shù)要求是要做到平整和薄。
一種晶圓傳輸裝置及其真空吸附機(jī)械手,該真空吸附機(jī)械手包括:手臂;固定在所述手臂上的吸附絕緣凸臺(tái);設(shè)置在所述手臂和吸附絕緣凸臺(tái)內(nèi)的真空氣道;所述吸附絕緣凸臺(tái)用于吸附待傳送晶圓的背面,所述吸附絕緣凸臺(tái)的硬度小于所述待傳送晶圓的背面的硬度。由于吸附絕緣凸臺(tái)的硬度小于待傳送晶圓的背面的硬度,故利用真空吸附機(jī)械手將晶圓傳送至所需位置之后,晶圓的背面中與真空吸附機(jī)械手接觸的位置不會(huì)形成印記,提高了晶圓的合格率。機(jī)械手的剛度、偏重力矩、慣性力及緩沖效果都直接影響手臂的位置精度。
目前,直拉法是生長(zhǎng)晶圓**常用的方法了,除了直拉法之外,常用的方法還有區(qū)熔法。區(qū)熔法,簡(jiǎn)稱(chēng)Fz法。1939年,在貝爾實(shí)驗(yàn)室工作的W·G·Pfann較早萌生了“區(qū)域勻平”的念頭,后來(lái)在亨利·休勒、丹·多西等人的協(xié)助下,生長(zhǎng)出了高純度的鍺以及硅單晶,并獲得了**。這種方法是利用熱能在半導(dǎo)體多晶棒料的一端產(chǎn)生一熔區(qū),使其重結(jié)晶為單晶。使熔區(qū)沿一定方向緩慢地向棒的另一端移動(dòng),進(jìn)而通過(guò)整根棒料,使多晶棒料生長(zhǎng)成一根單晶棒料,區(qū)熔法也需要籽晶,且**終得到的柱狀單晶錠晶向與籽晶的相同。 手臂自重輕,其啟動(dòng)和停止的平穩(wěn)性就好。珠海官方晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂上門(mén)服務(wù)
X移動(dòng),Y移動(dòng),Z移動(dòng)組成,通過(guò)在執(zhí)行終端加裝X轉(zhuǎn)動(dòng),Y轉(zhuǎn)動(dòng),Z轉(zhuǎn)動(dòng)可以到達(dá)空間內(nèi)的任何坐標(biāo)點(diǎn)。珠海官方晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂上門(mén)服務(wù)
受歐美股指隔夜再度全線殺跌的影響,兩市**小幅低開(kāi),低開(kāi)后的市場(chǎng)在抄底盤(pán)和北上資金的推動(dòng)下震蕩走高,早間收盤(pán)全線收漲,午后在科技板塊的帶動(dòng)下市場(chǎng)繼續(xù)震蕩走高,**終兩市**以中陽(yáng)報(bào)收。
昨天談到農(nóng)業(yè)、大消費(fèi)和科技股目前呈現(xiàn)出蹺蹺板的態(tài)勢(shì),果不其然***出現(xiàn)了此消彼長(zhǎng)的情形。
盤(pán)面上看,市場(chǎng)***科技股再度走強(qiáng),以大基金持有的科技股繼續(xù)**著相關(guān)題材概念和板塊進(jìn)行做多,北上資金***依舊大幅凈流入,市場(chǎng)短期做多的因素和動(dòng)能正在疊加。
盤(pán)后出了條消息,“中方不會(huì)坐視不理美科技霸凌主義”,先機(jī)哥由此猜測(cè)市場(chǎng)短期的反彈將還是延著科技股這條主線,畢竟帶動(dòng)市場(chǎng)人氣方面沒(méi)有哪個(gè)板塊比科技股更適合。
昨晚提醒大家關(guān)注的科遠(yuǎn)智慧,***低開(kāi)高走收大陽(yáng),開(kāi)盤(pán)后水下潛入的朋友也有7個(gè)點(diǎn)的收獲,該股短期有望突破創(chuàng)新高。
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