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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-07-21

一種晶圓傳輸裝置及其真空吸附機(jī)械手,該真空吸附機(jī)械手包括:手臂;固定在所述手臂上的吸附絕緣凸臺(tái);設(shè)置在所述手臂和吸附絕緣凸臺(tái)內(nèi)的真空氣道;所述吸附絕緣凸臺(tái)用于吸附待傳送晶圓的背面,所述吸附絕緣凸臺(tái)的硬度小于所述待傳送晶圓的背面的硬度。由于吸附絕緣凸臺(tái)的硬度小于待傳送晶圓的背面的硬度,故利用真空吸附機(jī)械手將晶圓傳送至所需位置之后,晶圓的背面中與真空吸附機(jī)械手接觸的位置不會(huì)形成印記,提高了晶圓的合格率。通用性強(qiáng),能適應(yīng)多種作業(yè);工藝性好,便于維修調(diào)整。加設(shè)定位裝置和行程檢測(cè)機(jī)構(gòu)。汕頭本地晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂價(jià)格信息

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電鍍:

到這一步,晶圓基本上就完成了,現(xiàn)在要在晶圓上鍍一層硫酸銅,銅離子會(huì)從正極走向負(fù)極。

拋光:

然后將Wafer進(jìn)行打磨,到這一步晶圓就真正的完成了。

切割:

對(duì)晶圓進(jìn)行切割,值得一提的是晶圓十分易碎,因此對(duì)切割的工藝要求也是非常高的。

測(cè)試:

測(cè)試分為三大類:功能測(cè)試、性能測(cè)試、抗老化測(cè)試。大致測(cè)試模式如下:接觸測(cè)試、功耗測(cè)試、輸入漏電測(cè)試、輸出電平測(cè)試、動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試、模擬信號(hào)參數(shù)測(cè)試等等。全部測(cè)試都通過(guò)的,就是正片;部分測(cè)試未通過(guò),但正常使用無(wú)礙,這是白片;未開始測(cè)試,就發(fā)現(xiàn)晶圓具有瑕疵的,這是黑片。


韶關(guān)銷售晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂供應(yīng)商家此外,對(duì)于熱加工的機(jī)械手,還要考慮熱輻射,手臂要較長(zhǎng),以遠(yuǎn)離熱源,并須裝有冷卻裝置。

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半導(dǎo)體晶圓有時(shí)在處理室內(nèi)暴露在高溫中。因此,機(jī)械手有時(shí)輸送高溫的半導(dǎo)體晶圓。若高溫的半導(dǎo)體晶圓與手部接觸,則手部的溫度上升,并且配置在前臂連桿與手部之間的關(guān)節(jié)的溫度也上升。由此,安裝于關(guān)節(jié)的軸承的溫度上升。軸承的溫度上升促進(jìn)該軸承內(nèi)的潤(rùn)滑劑的劣化。因此,與配置在上臂連桿與前臂連桿之間的關(guān)節(jié)的軸承相比,配置在前臂連桿和手部之間的關(guān)節(jié)的軸承的維護(hù)頻率較高。

晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)品。

晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉,**化,并經(jīng)蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達(dá)99.9%。

晶圓是制造半導(dǎo)體芯片的基本材料,半導(dǎo)體集成電路**主要的原料是硅,因此對(duì)應(yīng)的就是硅晶圓。

    環(huán)境決定”——技術(shù)發(fā)展導(dǎo)致其實(shí),除了晶圓的生長(zhǎng)方法決定的“晶圓”是圓形的這個(gè)原因之外,還有以下3條其他的決定因素:2??有人計(jì)算過(guò),比較直徑為L(zhǎng)毫米的圓和邊長(zhǎng)為L(zhǎng)毫米的正方形,考慮晶圓制造過(guò)程中邊緣5到8毫米是不可利用的,算算就知道正方形浪費(fèi)的使用面積比率是比圓型高的。所以,圓形是等周長(zhǎng)時(shí)表面積做大的二維圖形,加工時(shí)能夠充分利用原料,在一片晶圓上能分出**多的芯片。3??在實(shí)際的加工制成當(dāng)中,圓形的物體比較便于生產(chǎn)操作。圓型具有任意軸對(duì)稱性,這是晶圓制作工藝必然的要求,可以想象一下,在圓型晶圓表面可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布法(spincoating,事實(shí)上是目前均勻涂布光刻膠的***方法)獲得很均勻一致的光刻膠涂層,但其它形狀的晶圓呢?不可能或非常難,可以的話也是成本很高。 柔性機(jī)械臂具有較低的能耗、較大的操作空間和很高的效率。

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接下來(lái)是單晶硅生長(zhǎng),**常用的方法叫直拉法(CZ法)。如下圖所示,高純度的多晶硅放在石英坩堝中,并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱,溫度維持在大約1400 ℃,爐中的氣體通常是惰性氣體,使多晶硅熔化,同時(shí)又不會(huì)產(chǎn)生不需要的化學(xué)反應(yīng)。為了形成單晶硅,還需要控制晶體的方向:坩堝帶著多晶硅熔化物在旋轉(zhuǎn),把一顆籽晶浸入其中,并且由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn),同時(shí)慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅會(huì)粘在籽晶的底端,按籽晶晶格排列的方向不斷地生長(zhǎng)上去。因此所生長(zhǎng)的晶體的方向性是由籽晶所決定的,在其被拉出和冷卻后就生長(zhǎng)成了與籽晶內(nèi)部晶格方向相同的單晶硅棒。機(jī)械手臂根據(jù)結(jié)構(gòu)形式的不同分為多關(guān)節(jié)機(jī)械手臂.深圳原裝晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂價(jià)位

因此,在設(shè)計(jì)手臂時(shí),須根據(jù)機(jī)械手抓取重量、自由度數(shù)、工作范圍、運(yùn)動(dòng)速度及機(jī)械手的整體布局。汕頭本地晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂價(jià)格信息

可選地,所述托板包括:

主板;

排列成八字形的***支板和第二支板,在所述主板的同一側(cè)與所述主板固定連接;

所述主板靠近所述***支板和第二支板的一端、所述***支板遠(yuǎn)離所述主板的一端、所述第二支板遠(yuǎn)離所述主板的一端均設(shè)置有所述絨毛墊。

可選地,所述表面為平面。

另外,本實(shí)用新型還提供了一種晶圓傳輸裝置,其包括上述任一所述的機(jī)械手臂。

在本實(shí)用新型的技術(shù)方案中,機(jī)械手臂傳送晶圓時(shí),晶圓放置在托板的表面,并與絨毛墊接觸,借助晶圓與絨毛墊的絨毛之間的范德華力,晶圓被穩(wěn)穩(wěn)地附著在機(jī)械手臂上,不易發(fā)生平移,這樣不僅可以避免發(fā)生機(jī)械手臂碰傷,還可以提高晶圓的傳送速度以提高生產(chǎn)效率。

通過(guò)以下參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述,本實(shí)用新型的其它特征、方面及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。 汕頭本地晶圓運(yùn)送機(jī)械吸臂價(jià)格信息

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