測(cè)量標(biāo)稱電阻值Rt用萬(wàn)用表測(cè)量NTC熱敏電阻的方法與測(cè)量普通固定電阻的方法相同,即根據(jù)NTC熱敏電阻的標(biāo)稱阻值選擇合適的電阻擋可直接測(cè)出Rt的實(shí)際值。但因NTC熱敏電阻對(duì)溫度很敏感,故測(cè)試時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn):ARt是生產(chǎn)廠家在環(huán)境溫度為25℃時(shí)所測(cè)得的,所以用萬(wàn)用表測(cè)量Rt時(shí),亦應(yīng)在環(huán)境溫度接近25℃時(shí)進(jìn)行,以保證測(cè)試的可信度。B測(cè)量功率不得超過(guò)規(guī)定值,以免電流熱效應(yīng)引起測(cè)量誤差。C注意正確操作。測(cè)試時(shí),不要用手捏住熱敏電阻體,以防止人體溫度對(duì)測(cè)試產(chǎn)生影響。估測(cè)溫度系數(shù)αt先在室溫t1下測(cè)得電阻值Rt1,再用電烙鐵作熱源,靠近熱敏電阻Rt,測(cè)出電阻值RT2,同時(shí)用溫度計(jì)測(cè)出此時(shí)熱敏電阻RT表面的平均溫度t2再進(jìn)行計(jì)算。壓敏電阻的檢測(cè)。用萬(wàn)用表的R×1k擋測(cè)量壓敏電阻兩引腳之間的正、反向絕緣電阻,均為無(wú)窮大,否則,說(shuō)明漏電流大。若所測(cè)電阻很小,說(shuō)明壓敏電阻已損壞,不能使用。數(shù)字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導(dǎo)體芯片上而制成的數(shù)字邏輯電路或系統(tǒng)。虹口區(qū)綠色電子元器件圖片
在20世紀(jì)出現(xiàn)并得到飛速發(fā)展的電子元器件工業(yè)使整個(gè)世界和人們的工作、生活習(xí)慣發(fā)生了翻天覆地的變化。電子元器件的發(fā)展歷史實(shí)際上就是電子工業(yè)的發(fā)展歷史。1906年美國(guó)人德福雷斯特發(fā)明真空三極管,用來(lái)放大電話的聲音電流。此后,人們強(qiáng)烈地期待著能夠誕生一種固體器件,用來(lái)作為質(zhì)量輕、價(jià)廉和壽命長(zhǎng)的放大器和電子開(kāi)關(guān)。1947年,點(diǎn)接觸型鍺晶體管的誕生,在電子器件的發(fā)展史上翻開(kāi)了新的一頁(yè)。但是,這種點(diǎn)接觸型晶體管在構(gòu)造上存在著接觸點(diǎn)不穩(wěn)定的致命弱點(diǎn)。在點(diǎn)接觸型晶體管開(kāi)發(fā)成功的同時(shí),結(jié)型晶體管論就已經(jīng)提出,但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導(dǎo)電類型以后,結(jié)型晶體管材真正得以出現(xiàn)。1950年,具有使用價(jià)值的是早的鍺合金型晶體管誕生。1954年,結(jié)型硅晶體管誕生。此后,人們提出了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的構(gòu)想。虹口區(qū)綠色電子元器件圖片電子元器件逐步從真空管時(shí)代進(jìn)入晶體管時(shí)代和大規(guī)模。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn),因而也被應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。尤其用場(chǎng)效應(yīng)管做整個(gè)電子設(shè)備的輸入級(jí),可以獲得一般晶體管很難達(dá)到的性能。場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較(1)場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。(2)場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好。(4)場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了的應(yīng)用。
隨著無(wú)缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長(zhǎng)技術(shù)和擴(kuò)散摻雜技術(shù)、耐壓氧化膜的制備技術(shù)、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展,各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn),電子元器件逐步從真空管時(shí)代進(jìn)入晶體管時(shí)代和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路時(shí)代。逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的半導(dǎo)體工業(yè)。由于社會(huì)發(fā)展的需要,電子裝置變的越來(lái)越復(fù)雜,這就要求了電子裝置必須具有可靠性、速度快、消耗功率小以及質(zhì)量輕、小型化、成本低等特點(diǎn)。自20世紀(jì)50年代提出集成電路的設(shè)想后,由于材料技術(shù)、器件技術(shù)和電路設(shè)計(jì)等綜合技術(shù)的進(jìn)步,在20世紀(jì)60年代研制成功了代集成電路。在半導(dǎo)體發(fā)展史上。集成電路的出現(xiàn)具有劃時(shí)代的意義:它的誕生和發(fā)展推動(dòng)了銅芯技術(shù)和計(jì)算機(jī)的進(jìn)步,使科學(xué)研究的各個(gè)領(lǐng)域以及工業(yè)社會(huì)的結(jié)構(gòu)發(fā)生了歷史性變革。這種點(diǎn)接觸型晶體管在構(gòu)造上存在著接觸點(diǎn)不穩(wěn)定的致命弱點(diǎn)。
檢測(cè)電位器的活動(dòng)臂與電阻片的接觸是否良好。用萬(wàn)用表的歐姆檔測(cè)“1”、“2”(或“2”、“3”)兩端,將電位器的轉(zhuǎn)軸按逆時(shí)針?lè)较蛐两咏瓣P(guān)”的位置,這時(shí)電阻值越小越好。再順時(shí)針慢慢旋轉(zhuǎn)軸柄,電阻值應(yīng)逐漸增大,表頭中的指針應(yīng)平穩(wěn)移動(dòng)。當(dāng)軸柄旋至極端位置“3”時(shí),阻值應(yīng)接近電位器的標(biāo)稱值。如萬(wàn)用表的指針在電位器的軸柄轉(zhuǎn)動(dòng)過(guò)程中有跳動(dòng)現(xiàn)象,說(shuō)明活動(dòng)觸點(diǎn)有接觸不良的故障。常溫檢測(cè)(室內(nèi)溫度接近25℃);將兩表筆接觸PTC熱敏電阻的兩引腳測(cè)出其實(shí)際阻值,并與標(biāo)稱阻值相對(duì)比,二者相差在±2Ω內(nèi)即為正常。實(shí)際阻值若與標(biāo)稱阻值相差過(guò)大,則說(shuō)明其性能不良或已損壞。加溫檢測(cè);在常溫測(cè)試正常的基礎(chǔ)上,即可進(jìn)行第二步測(cè)試—加溫檢測(cè),將一熱源(例如電烙鐵)靠近PTC熱敏電阻對(duì)其加熱,同時(shí)用萬(wàn)用表監(jiān)測(cè)其電阻值是否隨溫度的升高而增大,如是,說(shuō)明熱敏電阻正常,若阻值無(wú)變化,說(shuō)明其性能變劣,不能繼續(xù)使用。電子元器件的發(fā)展歷史實(shí)際上就是電子工業(yè)的發(fā)展歷史。閔行區(qū)名優(yōu)電子元器件怎么樣
在20世紀(jì)出現(xiàn)并得到飛速發(fā)展的電子元器件工業(yè)使整個(gè)世界和人們的工作、生活習(xí)慣發(fā)生了翻天覆地的變化。虹口區(qū)綠色電子元器件圖片
變?nèi)荻O管是根據(jù)普通二極管內(nèi)部“PN結(jié)”的結(jié)電容能隨外加反向電壓的變化而變化這一原理專門設(shè)計(jì)出來(lái)的一種特殊二極管。變?nèi)荻O管在無(wú)繩電話機(jī)中主要用在手機(jī)或座機(jī)的高頻調(diào)制電路上,實(shí)現(xiàn)低頻信號(hào)調(diào)制到高頻信號(hào)上,并發(fā)射出去。在工作狀態(tài),變?nèi)荻O管調(diào)制電壓一般加到負(fù)極上,使變?nèi)荻O管的內(nèi)部結(jié)電容容量隨調(diào)制電壓的變化而變化。發(fā)生漏電現(xiàn)象時(shí),高頻調(diào)制電路將不工作或調(diào)制性能變差。變?nèi)菪阅茏儾顣r(shí),高頻調(diào)制電路的工作不穩(wěn)定,使調(diào)制后的高頻信號(hào)發(fā)送到對(duì)方被對(duì)方接收后產(chǎn)生失真。出現(xiàn)上述情況之一時(shí),就應(yīng)該更換同型號(hào)的變?nèi)荻O管。在電路中常用“Q”加數(shù)字表示,如:Q17表示編號(hào)為17的三極管。晶體三極管主要用于放大電路中起放大作用,在常見(jiàn)電路中有三種接法。為了便于比較,將晶體管三種接法電路所具有的特點(diǎn)列于下,名稱共發(fā)射極電路共集電極電路(射極輸出器)共基極電路。虹口區(qū)綠色電子元器件圖片
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