測(cè)試項(xiàng)目流程：目前量產(chǎn)的是BLE的SOC產(chǎn)品，里面包含了eflash、AD/DA、 LDO/BUCK、RF等很多模塊，為了提供給客戶(hù)品質(zhì)高的產(chǎn)品，我們針對(duì)每個(gè)模塊都有詳細(xì)的測(cè)試，下面是我們的大概的項(xiàng)目測(cè)試流程：Open/Short Test: 檢查芯片引腳中是否有開(kāi)路或短路。DC TEST: 驗(yàn)證器件直流電流和電壓參數(shù)。Eflash TEST: 測(cè)試內(nèi)嵌flash的功能及性能，包含讀寫(xiě)擦除動(dòng)作及功耗和速度等各種參數(shù)。Function TEST: 測(cè)試芯片的邏輯功能。AC Test: 驗(yàn)證交流規(guī)格，包括交流輸出信號(hào)的質(zhì)量和信號(hào)時(shí)序參數(shù)。Mixed Signal Test: 驗(yàn)證DUT數(shù)?；旌想娐返墓δ芗靶阅軈?shù)。芯片封裝是對(duì)生產(chǎn)完畢的IC晶圓片進(jìn)行切割和接線(xiàn)焊接以及裝測(cè)，整體工藝和技術(shù)難度不高。福建芯片測(cè)試機(jī)廠(chǎng)家供應(yīng)

優(yōu)先選擇地，所述機(jī)架上還固定有中轉(zhuǎn)裝置，所述中轉(zhuǎn)裝置位于所述自動(dòng)上料裝置及自動(dòng)下料裝置的一側(cè)，所述中轉(zhuǎn)裝置包括氣缸墊塊、中轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)氣缸及tray盤(pán)中轉(zhuǎn)臺(tái)，所述中轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)氣缸固定于所述氣缸墊塊上，所述tray盤(pán)中轉(zhuǎn)臺(tái)與所述中轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)氣缸相連。優(yōu)先選擇地，所述自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)、自動(dòng)下料機(jī)構(gòu)均包括伺服電機(jī)、行星減速機(jī)、滾珠絲桿、頭一移動(dòng)底板、第二移動(dòng)底板47、以及位于所述滾珠絲桿兩側(cè)的兩個(gè)導(dǎo)向軸，所述伺服電機(jī)與所述行星減速機(jī)相連，所述行星減速機(jī)通過(guò)聯(lián)軸器與所述滾珠絲桿相連，所述滾珠絲桿及兩個(gè)導(dǎo)向軸分別與所述頭一移動(dòng)底板相連，所述頭一移動(dòng)底板與所述第二移動(dòng)底板47相連。湖南常規(guī)倒裝芯片測(cè)試機(jī)價(jià)格芯片參數(shù)測(cè)試規(guī)范及測(cè)試參數(shù)，每個(gè)測(cè)試項(xiàng)的測(cè)試條件及參數(shù)規(guī)格，這個(gè)主要根據(jù)datasheet中的規(guī)范來(lái)確認(rèn)。

芯片測(cè)試的目的及原理介紹，測(cè)試在芯片產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈上的位置，如下面這個(gè)圖表，一顆芯片較終做到終端產(chǎn)品上，一般需要經(jīng)過(guò)芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、晶圓測(cè)試、封裝、成品測(cè)試、板級(jí)封裝等這些環(huán)節(jié)。在整個(gè)價(jià)值鏈中，芯片公司需要主導(dǎo)的環(huán)節(jié)主要是芯片設(shè)計(jì)和測(cè)試，其余的環(huán)節(jié)都可以由相應(yīng)的partner來(lái)主導(dǎo)或者完成。所以，測(cè)試本身就是設(shè)計(jì)，這個(gè)是需要在較初就設(shè)計(jì)好了的，對(duì)于設(shè)計(jì)公司來(lái)說(shuō)，測(cè)試至關(guān)重要，不亞于電路設(shè)計(jì)本身。RF Test: 測(cè)試芯片里面RF模塊的功能及性能參數(shù)。

傳統(tǒng)的芯片測(cè)試，一般由測(cè)試廠(chǎng)商統(tǒng)一為芯片生產(chǎn)廠(chǎng)商進(jìn)行測(cè)試。隨著越來(lái)越多的芯片公司的誕生，芯片測(cè)試需求也日益增多。對(duì)于成熟的大規(guī)模的芯片廠(chǎng)而言，由于其芯片產(chǎn)量大，往往會(huì)在測(cè)試廠(chǎng)商的生產(chǎn)計(jì)劃中占據(jù)一定的優(yōu)勢(shì)。而對(duì)于小規(guī)模的芯片廠(chǎng)的小批量芯片而言，其往往在測(cè)試廠(chǎng)的測(cè)試計(jì)劃中無(wú)法得到優(yōu)先選擇處理，從而導(dǎo)致芯片測(cè)試周期變長(zhǎng)。當(dāng)前芯片測(cè)試廠(chǎng)的測(cè)試設(shè)備多為大型設(shè)備，可以滿(mǎn)足大批量的芯片測(cè)試的需求。如果該大型測(cè)試設(shè)備用于小批量的芯片的測(cè)試，則會(huì)造成資源的浪費(fèi)。而且現(xiàn)有的大型測(cè)試設(shè)備往往都是多個(gè)測(cè)試單元并行測(cè)試，以達(dá)到提高測(cè)試效率的目的，從而導(dǎo)致了該設(shè)備的體積較大，占地空間多，無(wú)法靈活移動(dòng)。生產(chǎn)全測(cè)的測(cè)試，這種是需要100%全測(cè)的，這種測(cè)試就是把缺陷挑出來(lái)，分離壞品和好品的過(guò)程。

測(cè)試計(jì)劃書(shū)：就是test plan,需要仔細(xì)研究產(chǎn)品規(guī)格書(shū)，根據(jù)產(chǎn)品規(guī)格書(shū)來(lái)書(shū)寫(xiě)測(cè)試計(jì)劃書(shū)，具體的需要包含下面這些信息：a)DUT的信息，具體的每個(gè)pad或者pin的信息，CP測(cè)試需要明確每個(gè)bond pads的坐標(biāo)及類(lèi)型信息，F(xiàn)T測(cè)試需要明確封裝類(lèi)型及每個(gè)pin的類(lèi)型信息。b)測(cè)試機(jī)要求，測(cè)試機(jī)的資源需求，比如電源數(shù)量需求、程序的編寫(xiě)環(huán)境、各種信號(hào)資源數(shù)量、精度如何這些，還需要了解對(duì)應(yīng)的測(cè)試工廠(chǎng)中這種測(cè)試機(jī)的數(shù)量及產(chǎn)能，測(cè)試機(jī)費(fèi)用這些。c)各種硬件信息，比如CP中的probe card, FT中的load board的設(shè)計(jì)要求，跟測(cè)試機(jī)的各種信號(hào)資源的接口。d)芯片參數(shù)測(cè)試規(guī)范，具體的測(cè)試參數(shù)，每個(gè)測(cè)試項(xiàng)的測(cè)試條件及參數(shù)規(guī)格，這個(gè)主要根據(jù)datasheet中的規(guī)范來(lái)確認(rèn)。e)測(cè)試項(xiàng)目開(kāi)發(fā)計(jì)劃，規(guī)定了具體的細(xì)節(jié)以及預(yù)期完成日期，做到整個(gè)項(xiàng)目的可控制性和效率。DC TEST: 驗(yàn)證器件直流電流和電壓參數(shù)。湖北P(pán)D芯片測(cè)試機(jī)價(jià)格

RF Test: 測(cè)試芯片里面RF模塊的功能及性能參數(shù)。福建芯片測(cè)試機(jī)廠(chǎng)家供應(yīng)

芯片在測(cè)試過(guò)程中，會(huì)有不良品出現(xiàn)，不良品會(huì)被放置到不良品放置臺(tái)60，從而導(dǎo)致自動(dòng)上料裝置40上的一個(gè)tray盤(pán)全部測(cè)試完成后，而自動(dòng)下料裝置50的tray盤(pán)中沒(méi)有放滿(mǎn)芯片。如圖1所示，為了保障自動(dòng)下料裝置50的tray盤(pán)中放滿(mǎn)芯片后，自動(dòng)上料裝置40的tray盤(pán)才移動(dòng)至自動(dòng)下料裝置50，本實(shí)施例在機(jī)架10上還設(shè)置有中轉(zhuǎn)裝置60。中轉(zhuǎn)裝置60位于自動(dòng)上料裝置40及自動(dòng)下料裝置50的一側(cè)。如圖5所示，中轉(zhuǎn)裝置60包括氣缸墊塊61、中轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)氣缸62及tray盤(pán)中轉(zhuǎn)臺(tái)63，其中，氣缸墊塊61固定于支撐板12上，中轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)氣缸62固定于氣缸墊塊61上，tray盤(pán)中轉(zhuǎn)臺(tái)63與中轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)氣缸62相連，中轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)氣缸62可以帶動(dòng)tray盤(pán)中轉(zhuǎn)臺(tái)63旋轉(zhuǎn)。福建芯片測(cè)試機(jī)廠(chǎng)家供應(yīng)