動(dòng)態(tài)測(cè)試原理（或者叫功能測(cè)試或叫跑pattern方式），使用動(dòng)態(tài)測(cè)試法進(jìn)行開短路測(cè)試比之前介紹的靜態(tài)測(cè)試法更快，成本也更低，適合管腳比較多的芯片，減少測(cè)試時(shí)間。使用測(cè)試機(jī)動(dòng)態(tài)電流負(fù)載單元為前端偏置的 VDD 保護(hù)二極管提供電流，通過(guò)輸出比較電平確定PASS區(qū)域（中間態(tài)或“Z”態(tài)）。兩種測(cè)量方法對(duì)比：利用功能測(cè)試進(jìn)行開短路測(cè)試的優(yōu)點(diǎn)是速度相對(duì)比較快；不利之處在于datalog所能顯示的結(jié)果信息有限，當(dāng)fail產(chǎn)生，我們無(wú)法直接判斷失效的具體所在和產(chǎn)生原因。通常在測(cè)試中因?yàn)樾酒_不多，對(duì)時(shí)間影響不明顯，大部分選擇靜態(tài)（DC測(cè)試）方法.AC Test: 驗(yàn)證交流規(guī)格，包括交流輸出信號(hào)的質(zhì)量和信號(hào)時(shí)序參數(shù)。贛州LED芯片測(cè)試機(jī)廠家直銷

集成電路芯片的測(cè)試（ICtest）分類包括：分為晶圓測(cè)試（wafertest）、芯片測(cè)試（chiptest）和封裝測(cè)試（packagetest）wafertest是在晶圓從晶圓廠生產(chǎn)出來(lái)后，切割減薄之前的測(cè)試。其設(shè)備通常是測(cè)試廠商自行開發(fā)制造或定制的，一般是將晶圓放在測(cè)試平臺(tái)上，用探針探到芯片中事先確定的測(cè)試點(diǎn)，探針上可以通過(guò)直流電流和交流信號(hào)，可以對(duì)其進(jìn)行各種電氣參數(shù)測(cè)試。對(duì)于光學(xué)IC，還需要對(duì)其進(jìn)行給定光照條件下的電氣性能測(cè)試。晶圓測(cè)試主要設(shè)備：探針平臺(tái)。輔助設(shè)備：無(wú)塵室及其全套設(shè)備。南京芯片測(cè)試機(jī)價(jià)位對(duì)于芯片來(lái)說(shuō)，有兩種類型的測(cè)試，抽樣測(cè)試和生產(chǎn)全測(cè)。

部分測(cè)試芯片在測(cè)試前需要進(jìn)行高溫加熱或低溫冷卻，測(cè)試前還需要通過(guò)加熱裝置對(duì)芯片進(jìn)行高溫加熱或低溫冷卻。當(dāng)自動(dòng)上料機(jī)的來(lái)料方向與測(cè)試裝置30中芯片的放置方向不一致時(shí)，測(cè)試前，還需要將芯片移載至預(yù)定位裝置100對(duì)芯片進(jìn)行預(yù)定位。本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此，按照本發(fā)明的上述內(nèi)容，利用本領(lǐng)域的普通技術(shù)知識(shí)和慣用手段，在不脫離本發(fā)明上述基本技術(shù)思想前提下，本發(fā)明還可以做出其它多種形式的修改、替換或組合，均落在本發(fā)明權(quán)利保護(hù)范圍之內(nèi)。

DC/AC Test，DC測(cè)試包括芯片Signal PIN的Open/Short測(cè)試，電源PIN的PowerShort測(cè)試，以及檢測(cè)芯片直流電流和電壓參數(shù)是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格。AC測(cè)試檢測(cè)芯片交流信號(hào)質(zhì)量和時(shí)序參數(shù)是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格。RF Test，對(duì)于無(wú)線通信芯片，RF的功能和性能至關(guān)重要。CP中對(duì)RF測(cè)試來(lái)檢測(cè)RF模塊邏輯功能是否正確。FT時(shí)還要對(duì)RF進(jìn)行更進(jìn)一步的性能測(cè)試。其他Function Test，芯片其他功能測(cè)試，用于檢測(cè)芯片其他重要的功能和性能是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格。CP測(cè)試的目的就是在封裝前就把壞的芯片篩選出來(lái)，以節(jié)省封裝的成本。同時(shí)可以更直接的知道Wafer 的良率。CP測(cè)試可檢查fab廠制造的工藝水平。在芯片制造完成后進(jìn)行測(cè)試，對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，從而分析失效模式，驗(yàn)證研發(fā)。

Probe Card---乃是Tester與wafer上的DUT之間其中一個(gè)連接介面，目的在連接Tester Channel 與待測(cè)DUT。大部分為鎢銅或鈹銅，也有鈀等其他材質(zhì)；材質(zhì)的選擇需要強(qiáng)度高、導(dǎo)電性及不易氧化等特性，樣子如下面所示。當(dāng) probe card 的探針正確接觸wafer內(nèi)一顆 die的每個(gè)bond pads后, 送出start信號(hào)通過(guò)Interface給tester開始測(cè)試, tester完成測(cè)試送回分類訊號(hào) ( End of test) 給Prober, 量產(chǎn)時(shí)必須 tester 與 prober 做連接(docking) 才能測(cè)試。較終測(cè)試(FT,或者封裝測(cè)試)：就是在圖（3）中的Package Device上進(jìn)行測(cè)試.下圖就是一個(gè)完整的FT的測(cè)試系統(tǒng)。對(duì)比wafer test，其中硬件部分，prober換成了handler，其作用是一樣的，handler的主要作用是機(jī)械手臂，抓取DUT，放在測(cè)試區(qū)域，由tester對(duì)其進(jìn)行測(cè)試，然后handler再根據(jù)tester的測(cè)試結(jié)果，抓取DUT放到相應(yīng)的區(qū)域，比如好品區(qū)，比如壞品1類區(qū)，壞品2類區(qū)等。芯片參數(shù)測(cè)試規(guī)范及測(cè)試參數(shù)，每個(gè)測(cè)試項(xiàng)的測(cè)試條件及參數(shù)規(guī)格，這個(gè)主要根據(jù)datasheet中的規(guī)范來(lái)確認(rèn)。韶關(guān)LED芯片測(cè)試機(jī)參考價(jià)

在 IC 設(shè)計(jì)階段時(shí)，將各個(gè)不同的 IC 放在一起制作成一張光罩，整合在一顆芯片中。贛州LED芯片測(cè)試機(jī)廠家直銷

芯片測(cè)試設(shè)備結(jié)果及配件：1、電源測(cè)試儀。電源測(cè)試儀能夠?qū)π酒M(jìn)行電源供應(yīng)的測(cè)試。一般來(lái)說(shuō)，電源測(cè)試儀包括直流電源和交流電源兩種類型。直流電源一般用于芯片測(cè)試中，控制電路使用。而交流電源則常用于通信協(xié)議的測(cè)試。2、 邏輯分析儀。邏輯分析儀是一種常用的數(shù)字電路測(cè)試工具。通過(guò)連接到芯片的引腳，邏輯分析儀可以捕捉芯片輸出的數(shù)字信號(hào)，并將其轉(zhuǎn)換成可視化的波形。這可以幫助測(cè)試人員判斷芯片是否工作正常，并排查故障。3. 聲學(xué)顯微鏡，聲學(xué)顯微鏡可以用來(lái)檢測(cè)芯片中的缺陷。聲學(xué)顯微鏡會(huì)將聲音轉(zhuǎn)換為光信號(hào)，這樣測(cè)試人員可以通過(guò)觀察芯片表面上的光反射來(lái)檢測(cè)芯片中的缺陷。贛州LED芯片測(cè)試機(jī)廠家直銷