芯片測(cè)試機(jī)是一種專門用來(lái)檢測(cè)芯片的工具。它可以在生產(chǎn)中測(cè)試集成電路芯片的功能和性能，來(lái)確保芯片質(zhì)量符合設(shè)計(jì)要求。芯片測(cè)試機(jī)的主要作用是對(duì)芯片的電學(xué)參數(shù)和邏輯特性進(jìn)行測(cè)量，然后按照預(yù)定規(guī)則進(jìn)行對(duì)比，從而對(duì)測(cè)試結(jié)果進(jìn)行評(píng)估。芯片測(cè)試機(jī)常見(jiàn)的用途是測(cè)試運(yùn)行紋理陣列器（FPGA）和應(yīng)用特定集成電路（ASIC）。FPGA作為可編程芯片，通常是初步設(shè)計(jì)，測(cè)試和驗(yàn)證過(guò)程中關(guān)鍵的部分。ASIC則是根據(jù)設(shè)定的電路、電子設(shè)備和/或存儲(chǔ)器進(jìn)行硬件配置的特定集成電路。芯片測(cè)試機(jī)可以用于對(duì)不同的測(cè)試方案進(jìn)行比較和評(píng)估。湖北倒裝LED芯片測(cè)試機(jī)公司

CP測(cè)試內(nèi)容和測(cè)試方法：1、SCAN，SCAN用于檢測(cè)芯片邏輯功能是否正確。DFT設(shè)計(jì)時(shí)，先使用DesignCompiler插入ScanChain，再利用ATPG（Automatic Test Pattern Generation）自動(dòng)生成SCAN測(cè)試向量。SCAN測(cè)試時(shí)，先進(jìn)入Scan Shift模式，ATE將pattern加載到寄存器上，再通過(guò)Scan Capture模式，將結(jié)果捕捉。再進(jìn)入下次Shift模式時(shí)，將結(jié)果輸出到ATE進(jìn)行比較。2、Boundary SCAN，Boundary SCAN用于檢測(cè)芯片管腳功能是否正確。與SCAN類似，Boundary SCAN通過(guò)在IO管腳間插入邊界寄存器（Boundary Register），使用JTAG接口來(lái)控制，監(jiān)測(cè)管腳的輸入輸入出狀態(tài)。東莞芯片測(cè)試機(jī)參考價(jià)芯片測(cè)試機(jī)支持多種測(cè)試模式。

O/S測(cè)試有兩種測(cè)試方法：靜態(tài)測(cè)（也可以叫DC測(cè)試法），測(cè)試方法為：首先，所有的信號(hào)管腳需要預(yù)置為“0”，這可以通過(guò)定義所有管腳為輸入并由測(cè)試機(jī)施加 VIL來(lái)實(shí)現(xiàn)， 所有的電源管腳給0V, VSS連接到地（Ground），已上圖測(cè)試PIN1為例，從PIN1端Force 電流I1 約 -100ua，PIN1對(duì)GND端的二極管導(dǎo)通，此時(shí)可量測(cè)到PIN1端的電壓為二極管壓降-0.65V左右。如果二極管壓降在-0.2V~-1.5V之間為PASS,大于1.5v為Open，小于0.2V為Short。同樣從PIN1端Force 電流I2 約 100ua，PIN1對(duì)VDD端的二極管導(dǎo)通，此時(shí)可量測(cè)到PIN1端的電壓為二極管壓降0.65V左右。如果二極管壓降在-0.2V~-1.5V之間為PASS,大于1.5v為Open，小于0.2V為Short。

部分測(cè)試芯片在測(cè)試前需要進(jìn)行高溫加熱或低溫冷卻，測(cè)試前還需要通過(guò)加熱裝置對(duì)芯片進(jìn)行高溫加熱或低溫冷卻。當(dāng)自動(dòng)上料機(jī)的來(lái)料方向與測(cè)試裝置30中芯片的放置方向不一致時(shí)，測(cè)試前，還需要將芯片移載至預(yù)定位裝置100對(duì)芯片進(jìn)行預(yù)定位。本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此，按照本發(fā)明的上述內(nèi)容，利用本領(lǐng)域的普通技術(shù)知識(shí)和慣用手段，在不脫離本發(fā)明上述基本技術(shù)思想前提下，本發(fā)明還可以做出其它多種形式的修改、替換或組合，均落在本發(fā)明權(quán)利保護(hù)范圍之內(nèi)。芯片參數(shù)測(cè)試規(guī)范及測(cè)試參數(shù)，每個(gè)測(cè)試項(xiàng)的測(cè)試條件及參數(shù)規(guī)格，這個(gè)主要根據(jù)datasheet中的規(guī)范來(lái)確認(rèn)。

芯片測(cè)試的過(guò)程是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測(cè)試其電氣特性，如消耗功率、運(yùn)行速度、耐壓度等。經(jīng)測(cè)試后的芯片，依其電氣特性劃分為不同等級(jí)。而特殊測(cè)試則是根據(jù)客戶特殊需求的技術(shù)參數(shù)，從相近參數(shù)規(guī)格、品種中拿出部分芯片，做有針對(duì)性的專門測(cè)試，看是否能滿足客戶的特殊需求，以決定是否須為客戶設(shè)計(jì)專門使用芯片。經(jīng)一般測(cè)試合格的產(chǎn)品貼上規(guī)格、型號(hào)及出廠日期等標(biāo)識(shí)的標(biāo)簽并加以包裝后即可出廠。而未通過(guò)測(cè)試的芯片則視其達(dá)到的參數(shù)情況定作降級(jí)品或廢品。芯片由集成電路經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)、制造、封裝等一系列操作后形成。河南晶圓芯片測(cè)試機(jī)

芯片測(cè)試機(jī)可以檢測(cè)芯片的電學(xué)參數(shù)，包括電流和電壓等。湖北倒裝LED芯片測(cè)試機(jī)公司

芯片測(cè)試設(shè)備漏電流測(cè)試是指測(cè)試模擬或數(shù)字芯片高阻輸入管腳電流，或者是把輸出管腳設(shè)置為高阻狀態(tài)，再測(cè)量輸出管腳上的電流。盡管芯片不同，漏電大小會(huì)不同，但在通常情況下，漏電流應(yīng)該小于 1uA。測(cè)試芯片每個(gè)電源管腳消耗的電流是發(fā)現(xiàn)芯片是否存在災(zāi)難性缺陷的比較快的方法之一。每個(gè)電源管腳被設(shè)置為預(yù)定的電壓，接下來(lái)用自動(dòng)測(cè)試設(shè)備的參數(shù)測(cè)量單元測(cè)量這些電源管腳上的電流。這些測(cè)試一般在測(cè)試程序的開始進(jìn)行，以快速有效地選出那些完全失效的芯片。電源測(cè)試也用于保證芯片的功耗能滿足終端應(yīng)用的要求。湖北倒裝LED芯片測(cè)試機(jī)公司