本實(shí)施例的測(cè)試裝置30包括測(cè)試負(fù)載板31、測(cè)試座外套32、測(cè)試座底板33、測(cè)試座中間板34及測(cè)試座蓋板35。測(cè)試座外套32固定于測(cè)試負(fù)載板31上表面，測(cè)試座底板33固定于測(cè)試座外套32上，測(cè)試座中間板34位于測(cè)試座底板33與測(cè)試座蓋板35之間，測(cè)試座底板33與測(cè)試座蓋板35通過定位銷36連接固定。部分型號(hào)的芯片在進(jìn)行測(cè)試前，需要進(jìn)行高溫加熱或低溫冷卻，本實(shí)施例在機(jī)架10上還設(shè)置有加熱裝置。如圖2所示，該加熱裝置至少包括高溫加熱機(jī)構(gòu)70，高溫加熱機(jī)構(gòu)70位于測(cè)試裝置30的上方。如圖8所示，高溫加熱機(jī)構(gòu)70包括高溫加熱頭71、頭一移動(dòng)機(jī)構(gòu)72及下壓機(jī)構(gòu)73，下壓機(jī)構(gòu)73與頭一移動(dòng)機(jī)構(gòu)72相連，高溫加熱頭71與下壓機(jī)構(gòu)73相連。芯片測(cè)試機(jī)可以為芯片測(cè)試工程師提供可靠的測(cè)試報(bào)告。嘉興MINI芯片測(cè)試機(jī)價(jià)格
本發(fā)明在另一實(shí)施例中公開一種芯片測(cè)試機(jī)的測(cè)試方法。該測(cè)試方法包括以下步驟：將多個(gè)待測(cè)試芯片放置于多個(gè)tray盤中，每一個(gè)tray盤中放置多個(gè)待測(cè)試芯片，將多個(gè)tray盤放置于自動(dòng)上料裝置，并在自動(dòng)下料裝置及不良品放置臺(tái)上分別放置一個(gè)空tray盤；移載裝置從自動(dòng)上料裝置的tray盤中取出待測(cè)試芯片移載至測(cè)試裝置進(jìn)行測(cè)試；芯片測(cè)試完成后，移載裝置將測(cè)試合格的芯片移載至自動(dòng)下料裝置的空tray盤中，將不良品移載至不良品放置臺(tái)的空tray盤中；當(dāng)自動(dòng)上料裝置的一個(gè)tray盤中的待測(cè)試芯片全部完成測(cè)試，且自動(dòng)下料裝置的空tray盤中放滿測(cè)試合格的芯片后，移載裝置將自動(dòng)上料裝置的空tray盤移載至自動(dòng)下料裝置。嘉興MINI芯片測(cè)試機(jī)價(jià)格芯片測(cè)試機(jī)可以進(jìn)行DC和AC測(cè)試，以檢測(cè)芯片的電性能。
s4：當(dāng)自動(dòng)上料裝置40的一個(gè)tray盤中的待測(cè)試芯片全部完成測(cè)試，且自動(dòng)下料裝置50的空tray盤中放滿測(cè)試合格的芯片后，移載裝置20將自動(dòng)上料裝置40的空tray盤移載至自動(dòng)下料裝置50。當(dāng)自動(dòng)上料裝置40的位于較上方的tray盤中的50個(gè)芯片全部完成測(cè)試后，且該50個(gè)芯片全部都是合格品，則此時(shí)自動(dòng)下料裝置50的tray盤中放滿50個(gè)測(cè)試合格的芯片。則通過移載裝置20將自動(dòng)上料裝置40的孔的tray盤移載至自動(dòng)下料裝置50上，且將該tray盤放置于自動(dòng)下料裝置50的放置有50個(gè)芯片的tray盤的上方。
優(yōu)先選擇地，預(yù)定位裝置100還包括至少兩個(gè)光電傳感器105，機(jī)架10上固定有預(yù)定位氣缸底座106，預(yù)定位旋轉(zhuǎn)氣缸101固定于預(yù)定位氣缸底座106上，預(yù)定位氣缸底座106上設(shè)有相對(duì)設(shè)置的四個(gè)定位架107，預(yù)定位底座102及轉(zhuǎn)向定位底座103位于四個(gè)定位架107支之間，兩個(gè)光電傳感器105分別固定于兩個(gè)定位架107上。當(dāng)芯片需要進(jìn)行預(yù)定位時(shí)，首先選擇將芯片移載至預(yù)定位槽104內(nèi)，然后由預(yù)定位旋轉(zhuǎn)氣缸101帶動(dòng)轉(zhuǎn)向定位底座103旋轉(zhuǎn)，從而帶動(dòng)芯片正向或反向旋轉(zhuǎn)90度。通過預(yù)定位裝置100對(duì)芯片的放置方向進(jìn)行調(diào)整，保障芯片測(cè)試的順利進(jìn)行。芯片測(cè)試完成后再移動(dòng)至預(yù)定位裝置100進(jìn)行方向調(diào)整，保障測(cè)試完成后的芯片的放置方向與芯片的來料方向一致。在芯片測(cè)試機(jī)上進(jìn)行的測(cè)試可以檢測(cè)到芯片的缺陷，如電壓偏移等。
總體而言，芯片測(cè)試機(jī)在芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)中扮演著重要角色。的芯片測(cè)試機(jī)能夠?yàn)樯a(chǎn)提供更高的生產(chǎn)性、更深入的測(cè)試和更高的測(cè)試效率，從而使整個(gè)芯片生產(chǎn)流程更加高效化、智能化。一顆芯片較終做到終端產(chǎn)品上，一般需要經(jīng)過芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、晶圓測(cè)試、封裝、成品測(cè)試、板級(jí)封裝等這些環(huán)節(jié)。在整個(gè)價(jià)值鏈中，芯片公司需要主導(dǎo)的環(huán)節(jié)主要是芯片設(shè)計(jì)和測(cè)試，其余的環(huán)節(jié)都可以由相應(yīng)的partner來主導(dǎo)或者完成。所以，測(cè)試本身就是設(shè)計(jì)，這個(gè)是需要在較初就設(shè)計(jì)好了的，對(duì)于設(shè)計(jì)公司來說，測(cè)試至關(guān)重要，不亞于電路設(shè)計(jì)本身。芯片測(cè)試機(jī)可以進(jìn)行耐壓測(cè)試，用于測(cè)試芯片在高電壓下的穩(wěn)定性。濟(jì)南MINILED芯片測(cè)試機(jī)廠商
芯片測(cè)試機(jī)能夠進(jìn)行快速芯片測(cè)試評(píng)估。嘉興MINI芯片測(cè)試機(jī)價(jià)格
動(dòng)態(tài)測(cè)試測(cè)試方法：準(zhǔn)備測(cè)試向量如下（以8個(gè)pin腳為例）在上面示例的向量運(yùn)行時(shí)，頭一個(gè)信號(hào)管腳在第2個(gè)周期測(cè)試，當(dāng)測(cè)試機(jī)管腳驅(qū)動(dòng)電路關(guān)閉，動(dòng)態(tài)電流負(fù)載單元開始通過VREF將管腳電壓向+3V拉升，如果VDD的保護(hù)二極管工作，當(dāng)電壓升至約+0.65V時(shí)它將導(dǎo)通，從而將VREF的電壓鉗制住，同時(shí)從可編程電流負(fù)載的IOL端吸收越+400uA的電流。這時(shí)候進(jìn)行輸出比較的結(jié)果將是pass，因?yàn)?0.65V在VOH（+1.5V）和VOL（+0.2V）之間，即屬于“Z態(tài)”。如果短路，輸出比較將檢測(cè)到0V；如果開路，輸出端將檢測(cè)到+3V，它們都會(huì)使整個(gè)開短路功能測(cè)試結(jié)果為fail。注：走Z測(cè)試的目的更主要的是檢查是否存在pin-to-pin的短路。嘉興MINI芯片測(cè)試機(jī)價(jià)格