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上海推拉力芯片測(cè)試機(jī)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-07-24

本實(shí)施例的測(cè)試裝置30包括測(cè)試負(fù)載板31、測(cè)試座外套32、測(cè)試座底板33、測(cè)試座中間板34及測(cè)試座蓋板35。測(cè)試座外套32固定于測(cè)試負(fù)載板31上表面,測(cè)試座底板33固定于測(cè)試座外套32上,測(cè)試座中間板34位于測(cè)試座底板33與測(cè)試座蓋板35之間,測(cè)試座底板33與測(cè)試座蓋板35通過(guò)定位銷36連接固定。部分型號(hào)的芯片在進(jìn)行測(cè)試前,需要進(jìn)行高溫加熱或低溫冷卻,本實(shí)施例在機(jī)架10上還設(shè)置有加熱裝置。如圖2所示,該加熱裝置至少包括高溫加熱機(jī)構(gòu)70,高溫加熱機(jī)構(gòu)70位于測(cè)試裝置30的上方。如圖8所示,高溫加熱機(jī)構(gòu)70包括高溫加熱頭71、頭一移動(dòng)機(jī)構(gòu)72及下壓機(jī)構(gòu)73,下壓機(jī)構(gòu)73與頭一移動(dòng)機(jī)構(gòu)72相連,高溫加熱頭71與下壓機(jī)構(gòu)73相連。芯片測(cè)試機(jī)還可以進(jìn)行閂鎖掃描測(cè)試和邊緣掃描測(cè)試。上海推拉力芯片測(cè)試機(jī)

芯片測(cè)試的目的及原理介紹,測(cè)試在芯片產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈上的位置,如下面這個(gè)圖表,一顆芯片較終做到終端產(chǎn)品上,一般需要經(jīng)過(guò)芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、晶圓測(cè)試、封裝、成品測(cè)試、板級(jí)封裝等這些環(huán)節(jié)。在整個(gè)價(jià)值鏈中,芯片公司需要主導(dǎo)的環(huán)節(jié)主要是芯片設(shè)計(jì)和測(cè)試,其余的環(huán)節(jié)都可以由相應(yīng)的partner來(lái)主導(dǎo)或者完成。所以,測(cè)試本身就是設(shè)計(jì),這個(gè)是需要在較初就設(shè)計(jì)好了的,對(duì)于設(shè)計(jì)公司來(lái)說(shuō),測(cè)試至關(guān)重要,不亞于電路設(shè)計(jì)本身。RF Test: 測(cè)試芯片里面RF模塊的功能及性能參數(shù)。推拉力芯片測(cè)試機(jī)設(shè)備芯片測(cè)試機(jī)可以進(jìn)行結(jié)構(gòu)測(cè)試,用于測(cè)量芯片的延遲和功耗等參數(shù)。

伺服電機(jī)43、行星減速機(jī)44均固定于頭一料倉(cāng)41或第二料倉(cāng)51的底部,滾珠絲桿45、頭一移動(dòng)底板46、第二移動(dòng)底板47及兩個(gè)導(dǎo)向軸48均固定于頭一料倉(cāng)41或第二料倉(cāng)51的內(nèi)部,伺服電機(jī)43的驅(qū)動(dòng)主軸與行星減速機(jī)44相連,行星減速機(jī)44通過(guò)聯(lián)軸器與滾珠絲桿45相連。頭一料倉(cāng)41、第二料倉(cāng)51的上方設(shè)有絲桿固定板49,滾珠絲桿45的底部通過(guò)絲桿固定座451固定于頭一料倉(cāng)41或第二料倉(cāng)51的底板上,滾珠絲桿45的頂部通過(guò)絲桿固定座451固定于絲桿固定板49上。兩個(gè)導(dǎo)向軸48的底部也固定于頭一料倉(cāng)41或第二料倉(cāng)51的底板上,兩個(gè)導(dǎo)向軸48的頂部也固定于絲桿固定板49上。滾珠絲桿45及兩個(gè)導(dǎo)向軸48分別與頭一移動(dòng)底板46相連,頭一移動(dòng)底板46與第二移動(dòng)底板47相連。

芯片測(cè)試的過(guò)程是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測(cè)試其電氣特性,如消耗功率、運(yùn)行速度、耐壓度等。經(jīng)測(cè)試后的芯片,依其電氣特性劃分為不同等級(jí)。而特殊測(cè)試則是根據(jù)客戶特殊需求的技術(shù)參數(shù),從相近參數(shù)規(guī)格、品種中拿出部分芯片,做有針對(duì)性的專門測(cè)試,看是否能滿足客戶的特殊需求,以決定是否須為客戶設(shè)計(jì)專門使用芯片。經(jīng)一般測(cè)試合格的產(chǎn)品貼上規(guī)格、型號(hào)及出廠日期等標(biāo)識(shí)的標(biāo)簽并加以包裝后即可出廠。而未通過(guò)測(cè)試的芯片則視其達(dá)到的參數(shù)情況定作降級(jí)品或廢品。芯片測(cè)試機(jī)可以進(jìn)行測(cè)試數(shù)據(jù)的處理、分析和生成。

當(dāng)自動(dòng)上料裝置40的位于較上方的tray盤中的50個(gè)芯片全部完成測(cè)試后,50個(gè)芯片中出現(xiàn)1個(gè)或2個(gè)不合格品時(shí),此時(shí)自動(dòng)下料裝置50的tray盤沒(méi)有放滿50個(gè)芯片。則此時(shí)該測(cè)試方法還包括以下步驟:將自動(dòng)上料裝置40的空的tray盤移載至中轉(zhuǎn)裝置60,然后從自動(dòng)上料裝置40的下一個(gè)tray盤中吸取芯片進(jìn)行測(cè)試,并將測(cè)試合格的芯片放置到自動(dòng)下料裝置50,直至自動(dòng)下料裝置50的tray盤中放滿測(cè)試合格的芯片,然后將中轉(zhuǎn)裝置60的空的tray盤移載至自動(dòng)下料裝置50。芯片測(cè)試機(jī)提供的測(cè)試數(shù)據(jù)可以用于制定改進(jìn)方案。PD芯片測(cè)試機(jī)廠商

芯片測(cè)試機(jī)可以用于測(cè)試各種芯片,包括數(shù)字芯片、模擬芯片和混合信號(hào)芯片。上海推拉力芯片測(cè)試機(jī)

封裝之后,設(shè)備在晶圓探通中使用的相同或相似的ATE上進(jìn)行終檢。測(cè)試成本可以達(dá)到低成本產(chǎn)品的制造成本的25%,但是對(duì)于低產(chǎn)出,大型和/或高成本的設(shè)備,可以忽略不計(jì)。晶圓的成分是硅,硅是由石英沙所精練出來(lái)的,晶圓便是硅元素加以純化(99.999%),接著是將這些純硅制成硅晶棒,成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體的材料,將其切片就是芯片制作具體所需要的晶圓。晶圓越薄,生產(chǎn)的成本越低,但對(duì)工藝就要求的越高。芯片的工作環(huán)境要求有良好的散熱性,不帶散熱器并且大功率工作的情況只能加速芯片的報(bào)廢。芯片其實(shí)很靈活,當(dāng)其內(nèi)部有部分損壞時(shí),可以加接外部小型元器件來(lái)代替這已經(jīng)損壞的部分,加接時(shí)要注意接線的合理性,以防造成寄生耦合。上海推拉力芯片測(cè)試機(jī)

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