反向偏壓（Reverse Bias）在陽極側施加相對陰極負的電壓，就是反向偏置，所加電壓為逆向偏壓。這種情況下，因為N型區(qū)域被注入電洞，P型區(qū)域被注入電子，兩個區(qū)域內的主要載流子都變?yōu)椴蛔?，因此結合部位的空乏層變得更寬，內部的靜電場也更強，擴散電位也跟著變大。這個擴散電位與外部施加的電壓互相抵銷，讓反向的電流更難以通過。實際的元件雖然處于反向偏壓狀態(tài)，也會有微小的反向電流（飽和電流、漏電流、漂移電流）通過。當反向偏壓持續(xù)增加時，還會發(fā)生隧道擊穿或雪崩擊穿或崩潰，發(fā)生急遽的電流增加。開始產(chǎn)生這種擊穿現(xiàn)象的（反向）電壓被稱為擊穿電壓。超過擊穿電壓以后反向電流急遽增加的區(qū)域被稱為擊穿區(qū)（崩潰區(qū)）。在擊穿區(qū)內，電流在較大的范圍內變化而二極管反向壓降變化較小。穩(wěn)壓二極管就利用這個區(qū)域的動作特性而制成，可以作為電壓源使用。二極管的主要原理就是利用PN結的單向導電性。寧波直插二極管供應

二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流會突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。溫州電子二極管哪家好二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。

二極管的結構組成：二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。 采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結。由P區(qū)引出的電極稱為陽極，N區(qū)引出的電極稱為陰極。因為PN結的單向導電性，二極管導通時電流方向是由陽極通過管子內部流向陰極。 二極管的電路符號所示。二極管有兩個電極，由P區(qū)引出的電極是正極，又叫陽極；由N區(qū)引出的電極是負極，又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向，二極管的文字符號用VD表示。

二極管在電子電路應用（1）開關電路在數(shù)字、集成電路中利用二極管的單向導電性實現(xiàn)電路的導通或斷開，這一技術已經(jīng)得到普遍應用。開關二極管可以很好的保護的電路，防止電路因為短路等問題而被燒壞，也可實現(xiàn)傳統(tǒng)開關的功能。開關二極管還有一個特性就是開關的速度很快。這是傳統(tǒng)開關所無法比擬的。（2）限幅電路在電子電路中，常用限幅電路對各種信號進行處理。它是用來讓信號在預置的電平范圍內，有選擇地傳輸一部分信號。大多數(shù)二極管都可作為限幅使用，但有些時候需要用到限幅二極管，如保護儀表時。二極管紅外線發(fā)光的發(fā)射強度因發(fā)射方向而異。

肖特基二極管：肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。隧道二極管又稱為江崎二極管，它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其優(yōu)點是開關特性好，速度快、工作頻率高，多應用于某些開關電路或高頻振蕩等電路中。二極管的導通和截止，則相當于開關的接通與斷開。廣州原裝二極管廠家直銷

二極管長期連續(xù)工作時，允許通過的正向平均電流值。寧波直插二極管供應

光電二極管的主要部分是P-N結，和普通的二極管一樣，P-N結屬于單向導電的非線性元件，在P-N結中存在一個從N區(qū)指向P區(qū)的內電場E。在熱平衡的條件下(無光照下)，多數(shù)載流子(N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴)的擴散作用與少數(shù)載流子(N區(qū)的空穴和P區(qū)的電子)的漂移作用相互抵消，沒有凈電荷通過P-N結。有光照射在P-N結及附近區(qū)域時，如果照射的光子有足夠大的能量，那么就會在P-N結及附近區(qū)域產(chǎn)生少數(shù)光生載流子。少數(shù)光生載流子靠擴散作用進入P-N結區(qū)，并在內電場E的作用下，電子漂移到N區(qū)，空穴漂移到P區(qū)，使N區(qū)帶負電荷，P區(qū)帶正電荷，進而產(chǎn)生附加電勢，我們把這個電勢叫做光生電動勢。 當有外加偏壓，且外加偏壓方向與P一結內電場 一致時，光生載流子在勢壘區(qū)電場作用下漂移過P-N結，形成導電電流。寧波直插二極管供應

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