采用磁控濺射鍍膜方法，由于沉積電流和靶電壓可以控制，也即是濺射功率可以調(diào)節(jié)并控制，因此膜厚的可控性和重復(fù)性較好，并且可在較大表面上獲得厚度均勻的膜層。 濺射原子能量比蒸發(fā)原子能量高1-2個(gè)數(shù)量級(jí)。高能量的濺射原子沉積在基片上進(jìn)行的能量轉(zhuǎn)換比蒸發(fā)原子高得多，產(chǎn)生較高的熱能，部分高能量的濺射原子產(chǎn)生不同程度的注入現(xiàn)象，在基片上形成一層濺射原子與基片原了相互溶合的偽擴(kuò)散層，而且，在成膜過(guò)程中基片始終在等離子區(qū)中被清洗和***，***了附著力不強(qiáng)的濺射原子，凈化且***基片表面，增強(qiáng)了濺射原子與基片的附著力，因而濺射鋁膜與基片的附著力較高。吉林磁控濺射來(lái)電咨詢

磁控濺射還可以解決電子束蒸發(fā)帶來(lái)的三個(gè)問題： ①臺(tái)階覆蓋度。一般器件的圖形尺寸為2--3μm或更小，要求在1μm左右高的臺(tái)階部位盡量能鍍覆膜厚均勻的金屬鍍層。采用電子束蒸發(fā)和行星回旋式基片架機(jī)構(gòu)組成的裝置，難以得到十分理想的覆蓋度。 ②合金膜的成分控制。隨著圓形的微細(xì)化，為確?？煽啃圆⑻岣叱善仿什捎肁l-Si、Al-Cu、Al-Si-Cu等鋁合金膜代替純金屬Al膜。如果采用電子束蒸發(fā)來(lái)制取合金膜，由于組分蒸氣壓不同會(huì)引起分解，很難控制合金膜使其達(dá)到所要求的成分。 ③裝卡基片復(fù)雜，難于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化。在高度復(fù)雜的元器件制造工藝中，為提高可靠性和重復(fù)性，應(yīng)盡量減少人工操作，提高自動(dòng)化操作水閏。采用電子束蒸發(fā)，行星回旋式支架上只能一個(gè)一個(gè)地裝卡Si片，而且只能采取單批式蒸鍍。因此，難于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化操作。江西廠家磁控濺射

為了解決陰極濺射的缺點(diǎn)，人們?cè)?0世紀(jì)70年***發(fā)出了直流磁控濺射技術(shù)，它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點(diǎn)，因而獲得了迅速發(fā)展和廣泛應(yīng)用。 其原理是：在磁控濺射中，由于運(yùn)動(dòng)電子在磁場(chǎng)中受到洛侖茲力，它們的運(yùn)動(dòng)軌跡會(huì)發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運(yùn)動(dòng)，其運(yùn)動(dòng)路徑變長(zhǎng)，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù)，使等離子體密度增大，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作，降低薄膜污染的傾向；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質(zhì)量。同時(shí)，經(jīng)過(guò)多次碰撞而喪失能量的電子到達(dá)陽(yáng)極時(shí)，已變成低能電子，從而不會(huì)使基片過(guò)熱。因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優(yōu)點(diǎn)。該方法的缺點(diǎn)是不能制備絕緣體膜，而且磁控電極中采用的不均勻磁場(chǎng)會(huì)使靶材產(chǎn)生***的不均勻刻蝕，導(dǎo)致靶材利用率低，一般*為20%-30%。

濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術(shù)。通常，利用低壓惰性氣體輝光放電來(lái)產(chǎn)生入射離子。陰極靶由鍍膜材料制成，基片作為陽(yáng)極，真空室中通入0.1-10Pa的氬氣或其它惰性氣體，在陰極（靶）1-3KV直流負(fù)高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下產(chǎn)生輝光放電。電離出的氬離子轟擊靶表面，使得靶原子濺出并沉積在基片上，形成薄膜。濺射方法很多，主要有二級(jí)濺射、三級(jí)或四級(jí)濺射、磁控濺射、對(duì)靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對(duì)稱交流射頻濺射、離子束濺射以及反應(yīng)濺射等。

磁控濺射的工作原理是指電子在電場(chǎng)E的作用下，在飛向基片過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用，產(chǎn)生E（電場(chǎng)）×B（磁場(chǎng)）所指的方向漂移，簡(jiǎn)稱E×B漂移，其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于 磁控濺射 磁控濺射 一條擺線。若為環(huán)形磁場(chǎng)，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng)，它們的運(yùn)動(dòng)路徑不僅很長(zhǎng)，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來(lái)轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場(chǎng)E的作用下**終沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。山西廠家磁控濺射

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磁控濺射技術(shù)已經(jīng)成為沉積耐磨、耐蝕、裝飾、光學(xué)及其他各種功能薄膜的重要手段。探討了磁控濺射技術(shù)在非平衡磁場(chǎng)濺射、脈沖磁控濺射等方面的進(jìn)步，說(shuō)明利用新型的磁控濺射技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)薄膜的高速沉積、高純薄膜制備、提高反應(yīng)濺射沉積薄膜的質(zhì)量等，并進(jìn)一步取代電鍍等傳統(tǒng)表面處理技術(shù)。 磁控濺射是物***相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料，且具有設(shè)備簡(jiǎn)單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。上世紀(jì) 70 年代發(fā)展起來(lái)的磁控濺射法更是實(shí)現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。因?yàn)槭窃诘蜌鈮合逻M(jìn)行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過(guò)在靶陰極表面引入磁場(chǎng)，利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來(lái)提高等離子體密度以增加濺射率。吉林磁控濺射來(lái)電咨詢

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