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    但存在的問題是難以形成高密度的探針陣列，所以只能在較小規(guī)模上使用。近我國學(xué)者已成功地將分子印章技術(shù)應(yīng)用于探針的原位合成而且取得了比較滿意的結(jié)果（個人通訊）。目標(biāo)分子的標(biāo)記也是一個重要的限速步驟，如何簡化或繞過這一步現(xiàn)在仍然是個問題。目標(biāo)分子與探針的雜交會出現(xiàn)一些問題：首先，由于雜交位于固相表面，所以有一定程度的空間阻礙作用，有必要設(shè)法減小這種不利因素的影響。Southern曾通過向探針中引入間隔分子而使雜交效率提高于了150倍。其次。深圳市派大芯科技有限公司是一家專業(yè)從事電子元器件配套加工服務(wù)的企業(yè)，專業(yè)提供IC激光刻字\IC精密打磨（把原來的字磨掉）\IC激光燒面\IC蓋面\IC洗腳\IC鍍腳\IC整腳\有鉛改無鉛處理，編帶為一體的加工型的服務(wù)企業(yè)等;是集IC去字、IC打字、IC蓋面、IC噴油、鐳射雕刻、電子元器件、電路芯片、手機(jī)，MP3外殼、各類按鍵、五金配件、鐘表眼鏡、首飾飾品、塑膠，模具、金屬鈕扣、圖形文字、激光打標(biāo)等產(chǎn)品專業(yè)生產(chǎn)加工等等為一體專業(yè)性公司。公司設(shè)備激光雕刻的優(yōu)點如下：速度快、精度高、使用方便；可通過電腦任意設(shè)計圖形文字，可自動編號，在單件標(biāo)記的產(chǎn)品上能做到單一標(biāo)記又可滿足批量生產(chǎn)的要求，加工成本低。IC磨字刻字_IC蓋面刻字_IC翻新_IC打字編帶_IC加工_IC去字...就找派大芯。

    NAND的地址信息包括列地址（頁面中的起始操作地址）、塊地址和相應(yīng)的頁面地址，傳送時分別分組，至少需要三次，占用三個周期。隨著容量的增大，地址信息會更多，需要占用更多的時鐘周期傳輸，因此NAND型閃存的一個重要特點就是容量越大，尋址時間越長。而且，由于傳送地址周期比其他存儲介質(zhì)長，因此NAND型閃存比其他存儲介質(zhì)更不適合大量的小容量讀寫請求。閃存芯片決定因素編輯閃存芯片頁數(shù)量前面已經(jīng)提到，越大容量閃存的頁越多、頁越大，尋址時間越長。但這個時間的延長不是線性關(guān)系，而是一個一個的臺階變化的。譬如128、256Mb的芯片需要3個周期傳送地址信號，512Mb、1Gb的需要4個周期，而2、4Gb的需要5個周期。閃存芯片頁容量每一頁的容量決定了一次可以傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量，因此大容量的頁有更好的性能。前面提到大容量閃存（4Gb）提高了頁的容量，從512字節(jié)提高到2KB。頁容量的提高不但易于提高容量，更可以提高傳輸性能。我們可以舉例子說明。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M為例，前者為1Gb，512字節(jié)頁容量，隨機(jī)讀（穩(wěn)定）時間12μs，寫時間為200μs；后者為4Gb，2KB頁容量，隨機(jī)讀（穩(wěn)定）時間25μs。QFP16，28,44,60，QFP封裝系列芯片IC打磨IC刻字IC蓋面IC打字 IC芯片編帶。羅湖區(qū)電源IC芯片

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