電池濕法設(shè)備是一種用于生產(chǎn)電池的設(shè)備，其主要功能是將原材料轉(zhuǎn)化為電池的正負(fù)極材料，以及制造電解液和電池外殼等組成部分。具體來說，電池濕法設(shè)備的主要功能包括以下幾個方面：1.制備正負(fù)極材料：電池濕法設(shè)備可以將金屬氧化物、碳酸鹽等原材料轉(zhuǎn)化為電池的正負(fù)極材料，如鋰鐵磷酸、鈷酸鋰等。2.制造電解液：電池濕法設(shè)備可以制造電池的電解液，如鋰鹽溶液、電解液添加劑等。3.生產(chǎn)電池外殼：電池濕法設(shè)備可以生產(chǎn)電池的外殼，如鋁殼、鋼殼等。4.控制生產(chǎn)過程：電池濕法設(shè)備可以對生產(chǎn)過程進(jìn)行控制，如溫度、壓力、流量等參數(shù)的控制，以確保電池的質(zhì)量和性能。5.檢測和測試：電池濕法設(shè)備可以進(jìn)行電池的檢測和測試，如電池容量、電壓、內(nèi)阻等參數(shù)的測試，以確保電池的質(zhì)量和性能。總之，電池濕法設(shè)備是電池生產(chǎn)過程中不可或缺的設(shè)備，其主要功能是將原材料轉(zhuǎn)化為電池的各個組成部分，并對生產(chǎn)過程進(jìn)行控制和檢測，以確保電池的質(zhì)量和性能。濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）去硅片除背面PSG和拋光處理。浙江晶片濕法裝備

濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備（Perc 工藝）、制絨設(shè)備（Topcon工藝）、濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）、RCA槽式清洗設(shè)備（Topcon工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（Topcon工藝）、濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（XBC工藝）、制絨清洗設(shè)備（XBC工藝）等；釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理，從而提升電池的質(zhì)量和效率。西安智能濕法設(shè)備Topcon工藝光伏電池濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）所有與液體接觸的材料均采用進(jìn)口材質(zhì)，避免材料雜質(zhì)析出；

電池濕法設(shè)備XBC工藝背拋清洗設(shè)備，功能l硅片拋光處理。優(yōu)勢：進(jìn)口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設(shè)備，提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆?，槽?nèi)控溫精度誤差＜±1℃。l去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。

光伏電池濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。太陽能光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備（Perc 工藝）、制絨設(shè)備（Topcon工藝）、濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）、RCA槽式清洗設(shè)備（Topcon工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（Topcon工藝）、濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（XBC工藝）、制絨清洗設(shè)備（XBC工藝）等電池濕法設(shè)備在制造過程中注重工藝流程的優(yōu)化和改進(jìn)，不斷提高產(chǎn)品質(zhì)量和性能。

電池濕法設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢是進(jìn)口PLC控制，兼容MES，UPS和RFID功能。機械手分配合理，有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颍蹆?nèi)控溫精度誤差＜±1℃。所有與液體接觸的材料均采用進(jìn)口材質(zhì)，避免材料雜質(zhì)析出；引進(jìn)半導(dǎo)體清洗工藝，保證硅片表面的潔凈度。斜拉式慢提拉結(jié)構(gòu)，有效提升脫水能力，匹配高效電池發(fā)展趨勢。采用低溫烘干技術(shù)，保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。濕法背拋清洗設(shè)備（XBC工藝）慢提拉采用機械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。自動化濕法刻蝕

電池濕法背拋清洗設(shè)備（Topcon工藝）進(jìn)口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。浙江晶片濕法裝備

光伏濕法設(shè)備包括濕法制絨設(shè)備（Perc 工藝）、制絨設(shè)備（Topcon工藝）、濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）、RCA槽式清洗設(shè)備（Topcon工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（Topcon工藝）、濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（XBC工藝）、制絨清洗設(shè)備（XBC工藝）等；釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理，從而提升電池的質(zhì)量和效率。浙江晶片濕法裝備