異質(zhì)結(jié)電池的優(yōu)勢(shì)有，優(yōu)勢(shì)一：工藝流程短HJT電池主工藝有4道：制絨、非晶硅沉積、TCO沉積、絲網(wǎng)印刷；遠(yuǎn)少于PERC（10個(gè)）和TOPCON（12-13個(gè)）；其中，非晶硅沉積主要使用PECVD方法。TCO薄膜主要有兩種方法：RPD(反應(yīng)等離子沉積)和PVD。優(yōu)勢(shì)二：轉(zhuǎn)換效率高得益于N型硅襯底以及非晶硅對(duì)基底表面缺陷的雙重鈍化作用。目前量產(chǎn)效率普遍已在25%以上；更高的轉(zhuǎn)化效率需要在前后表面使用摻雜納米晶硅、摻雜微晶硅、摻雜微晶氧化硅、摻雜微晶碳化硅取代現(xiàn)有的摻雜。HJT效率潛力超28%，遠(yuǎn)高PERC電池。優(yōu)勢(shì)三：無(wú)LID&PID，低衰減無(wú)LID與PID：由于HJT電池襯底通常為N型單晶硅，而N型單晶硅為磷摻雜，不存在P型晶硅中的硼氧復(fù)合、硼鐵復(fù)合等，所以HJT電池對(duì)于LID效應(yīng)是免疫的。HJT電池的表面沉積有TCO薄膜，無(wú)絕緣層，因此無(wú)表面層帶電的機(jī)會(huì)，從結(jié)構(gòu)上避免PID發(fā)生。低衰減：HJT電池首年衰減1-2%，此后每年衰減0.25%，遠(yuǎn)低于PERC電池?fù)芥壠乃p情況（首年衰減2%，此后每年衰減0.45%)，因此HJT電池全生命周期每W發(fā)電量高出雙面PERC電池約1.9%-2.9%。異質(zhì)結(jié)電池提升了太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率、良率和產(chǎn)能，并極大降低了生產(chǎn)成本。河南HJT異質(zhì)結(jié)PECVD

HJT電池生產(chǎn)流程，HJT電池生產(chǎn)設(shè)備，制絨清洗的主要目的。1去除硅片表面的污染和損傷層；2利用KOH腐蝕液對(duì)n型硅片進(jìn)行各項(xiàng)異性腐蝕，將Si（100）晶面腐蝕為Si（111）晶面的四方椎體結(jié)構(gòu)（“金字塔結(jié)構(gòu)”），即在硅片表面形成絨面，可將硅片表面反射率降低至12.5%以下，從而產(chǎn)生更多的光生載流子；3形成潔凈硅片表面，由于HJT電池中硅片襯底表面直接為異質(zhì)結(jié)界面的一部分，避免不潔凈引進(jìn)的缺陷和雜質(zhì)而帶來(lái)的結(jié)界面處載流子的復(fù)合。堿溶液濃度較低時(shí)，單晶硅的(100)與(111)晶面的腐蝕速度差別比較明顯，速度的比值被稱(chēng)為各向異性因子(anisotropicfactorAF)；因此改變堿溶液的濃度及溫度，可以有效地改變AF，使得在不同方向上的速度不同，在硅片表面形成密集分布的“金字塔”結(jié)構(gòu)的減反射絨面；在制絨工序，絨面大小為主要指標(biāo)，一般可通過(guò)添加劑的選擇、工藝配比的變化、工藝溫度及工藝時(shí)間等來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié)控制。無(wú)錫新型異質(zhì)結(jié)無(wú)銀零界高效異質(zhì)結(jié)電池整線設(shè)備導(dǎo)入銅制程電池等多項(xiàng)技術(shù)，降低非硅成本。

光伏太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池整線裝備，產(chǎn)業(yè)機(jī)遇：方向清晰：HJT技術(shù)工藝流程短、功率衰減低、輸出功率穩(wěn)定、雙面發(fā)電增益高、未來(lái)主流技術(shù)方向；時(shí)間明確：HJT平均量產(chǎn)效率已超過(guò)PERC瓶頸（25%），行業(yè)對(duì)HJT電池投入持續(xù)加大，電池商業(yè)化已逐漸成熟；機(jī)遇可期：設(shè)備與耗材是HJT規(guī)?；年P(guān)鍵，降本增效是不變的主題，具備HJT整線整合能力的供應(yīng)商優(yōu)勢(shì)明顯。當(dāng)前HJT生產(chǎn)成本約：硅片占比約50%，銀漿占比約25%，靶材約6%左右；當(dāng)前HJT設(shè)備成本約：清洗制絨設(shè)備、PECVD設(shè)備、PVD設(shè)備、絲網(wǎng)印刷，設(shè)備投資額占比分別約10%、50%、25%和15%。

異質(zhì)結(jié)HJT電池生產(chǎn)設(shè)備，制絨清洗的主要目的。1去除硅片表面的污染和損傷層；2利用KOH腐蝕液對(duì)n型硅片進(jìn)行各項(xiàng)異性腐蝕，將Si（100）晶面腐蝕為Si（111）晶面的四方椎體結(jié)構(gòu)（“金字塔結(jié)構(gòu)”），即在硅片表面形成絨面，可將硅片表面反射率降低至12.5%以下，從而產(chǎn)生更多的光生載流子；3形成潔凈硅片表面，由于HJT電池中硅片襯底表面直接為異質(zhì)結(jié)界面的一部分，避免不潔凈引進(jìn)的缺陷和雜質(zhì)而帶來(lái)的結(jié)界面處載流子的復(fù)合。堿溶液濃度較低時(shí)，單晶硅的(100)與(111)晶面的腐蝕速度差別比較明顯，速度的比值被稱(chēng)為各向異性因子(anisotropicfactorAF)；因此改變堿溶液的濃度及溫度，可以有效地改變AF，使得在不同方向上的速度不同，在硅片表面形成密集分布的“金字塔”結(jié)構(gòu)的減反射絨面；在制絨工序，絨面大小為主要指標(biāo)，一般可通過(guò)添加劑的選擇、工藝配比的變化、工藝溫度及工藝時(shí)間等來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié)控制。 光伏異質(zhì)結(jié)可以與其他太陽(yáng)能技術(shù)結(jié)合使用，如太陽(yáng)能追蹤器和太陽(yáng)能存儲(chǔ)系統(tǒng)，提高能源利用效率。

異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池使用晶體硅片進(jìn)行載流子傳輸和吸收，并使用非晶/或微晶薄硅層進(jìn)行鈍化和結(jié)的形成。頂部電極由透明導(dǎo)電氧化物（TCO）層和金屬網(wǎng)格組成。異質(zhì)結(jié)硅太陽(yáng)能電池已經(jīng)吸引了很多人的注意，因?yàn)樗鼈兛梢赃_(dá)到很高的轉(zhuǎn)換效率，可達(dá)26.3%，相關(guān)團(tuán)隊(duì)對(duì)HJT極限效率進(jìn)行更新為28.5%，同時(shí)使用低溫度加工，通常整個(gè)過(guò)程低于200℃。低加工溫度允許處理厚度小于100微米的硅晶圓，同時(shí)保持高產(chǎn)量。異質(zhì)結(jié)電池轉(zhuǎn)換效率高，拓展?jié)摿Υ?，工藝?jiǎn)單并且降本路線清晰，契合了光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的規(guī)律，是有潛力的下一代電池技術(shù)。光伏異質(zhì)結(jié)是一種高效太陽(yáng)能電池，具有高轉(zhuǎn)換效率和長(zhǎng)壽命的優(yōu)點(diǎn)。鄭州零界高效異質(zhì)結(jié)制絨設(shè)備

異質(zhì)結(jié)電池的基本原理，包括光生伏特的效應(yīng)、結(jié)構(gòu)與原理，以及其獨(dú)特的特點(diǎn)和提高效率的方法。河南HJT異質(zhì)結(jié)PECVD

異質(zhì)結(jié)電池整線生產(chǎn)設(shè)備，l在擴(kuò)散的過(guò)程中，pn結(jié)p區(qū)一側(cè)出現(xiàn)負(fù)電荷區(qū)，n區(qū)一側(cè)出現(xiàn)正電荷區(qū)，其形成空間電荷區(qū)，在空間內(nèi)部形成內(nèi)建電場(chǎng)，載流子做漂移運(yùn)動(dòng)，阻礙電子與空穴的擴(kuò)散，達(dá)到平衡，能帶停止相對(duì)移動(dòng)，p區(qū)能帶相對(duì)于n區(qū)上移，n區(qū)能帶相對(duì)于p區(qū)下移，pn結(jié)的費(fèi)米能級(jí)處處相等，即載流子的擴(kuò)散電流和漂移電流相互抵消；pn結(jié)勢(shì)壘區(qū)存在較強(qiáng)的內(nèi)建電場(chǎng)（自n區(qū)指向p區(qū)），則p區(qū)的電子進(jìn)入n區(qū)，n區(qū)的空穴進(jìn)入p區(qū)，使p端電勢(shì)升高，n端電勢(shì)降低，在pn結(jié)兩端產(chǎn)生光生電動(dòng)勢(shì)，即為PN結(jié)的光生伏特效應(yīng)。同理，由于光照在PN結(jié)兩端產(chǎn)生光生電動(dòng)勢(shì)，即在PN結(jié)兩端加上正向偏壓V，則產(chǎn)生正向電流IF，在PN結(jié)開(kāi)路時(shí)，光生電流等于正向電流，PN結(jié)兩端建立起穩(wěn)定的電勢(shì)差VOC，即光電池的開(kāi)路電壓，這就是光電池的基本原理。河南HJT異質(zhì)結(jié)PECVD

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