6、平面型二極管在半導(dǎo)體單晶片（主要地是 N 型硅單晶片）上，擴(kuò)散 P 型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在 N 型硅單晶片上但選擇性地?cái)U(kuò)散一部分而形成的 PN 結(jié)。因此，不需要為調(diào)整 PN 結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導(dǎo)體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN 結(jié)合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認(rèn)為是穩(wěn)定性好和壽命長(zhǎng)的類(lèi)型。較初，對(duì)于被使用的半導(dǎo)體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱(chēng)為外延平面型。對(duì)平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號(hào)很少，而作小電流開(kāi)關(guān)用的型號(hào)則很多。 肖特基二極管選深圳市凱軒業(yè)電子，歡迎━(*｀?′*)ノ亻!親的到來(lái)。湖南肖特基二極管銷(xiāo)售代理

大體意義上講，PN結(jié)的定義為：采用不同的摻雜工藝，通過(guò)擴(kuò)散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體基片上，一般半導(dǎo)體的材料選擇為硅或者鍺，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱(chēng)為PN結(jié)。具體介紹PN結(jié)的形成大體分為三步，首先擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，P區(qū)的空穴濃度遠(yuǎn)大于N區(qū)的自由電子濃度，因此，P區(qū)的空穴必然向N區(qū)擴(kuò)散，并與N區(qū)中的自由電子復(fù)合而消失；同樣，N區(qū)的自由電子必然向P區(qū)漂移，并與P區(qū)中的空穴復(fù)合而消失。其次是空間電荷區(qū)的產(chǎn)生，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)導(dǎo)致了P區(qū)一側(cè)失去空穴而留下負(fù)離子，N區(qū)一側(cè)失去電子而留下正離子，這些不能移動(dòng)的帶電離子稱(chēng)為空間電荷，相應(yīng)地這個(gè)區(qū)域稱(chēng)為空間電荷區(qū)，較后由于有正離子和負(fù)離子，這樣在空間電荷區(qū)內(nèi)就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)內(nèi)電場(chǎng)，內(nèi)電場(chǎng)的產(chǎn)生讓多子的擴(kuò)散和少子的漂移達(dá)到了一個(gè)動(dòng)態(tài)平衡，較后形成了PN結(jié)。四川肖特基二極管采購(gòu)線性穩(wěn)壓電源是直流穩(wěn)壓電源，凱軒業(yè)科技致力于研發(fā)設(shè)計(jì)。

15、肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode）它是具有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵，多為 N 型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的，所以，其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的 PN 結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微，所以其頻率響但為 RC 時(shí)間常數(shù)限制，因而，它是高頻和快速開(kāi)關(guān)的理想器件。其工作頻率可達(dá) 100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導(dǎo)體）肖特基二極管可以用來(lái)制作太陽(yáng)能電池或發(fā)光二極管。

反向恢復(fù)時(shí)間 (trr) 是指開(kāi)關(guān)二極管從導(dǎo)通狀態(tài)到完全關(guān)閉狀態(tài)所經(jīng)過(guò)的時(shí)間。一般關(guān)斷后電子不能瞬間停止，有一定量的反向電流流過(guò)。其漏電流越大損耗也越大。還正在開(kāi)發(fā)優(yōu)化材料或擴(kuò)散重金屬?gòu)亩s短trr，抑制反沖后振蕩（振鈴）的FRD (Fast Recovery Diode) 等產(chǎn)品。trr是指電壓變?yōu)榉聪蚝?，直到電流變?yōu)榱愕臅r(shí)間。trr快速，則可以實(shí)現(xiàn)低損耗、高速開(kāi)關(guān)使用穩(wěn)壓二極管的關(guān)鍵是設(shè)計(jì)好它的電流值。穩(wěn)壓二極管的特點(diǎn)就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。 這樣，當(dāng)把穩(wěn)壓管接入電路以后，若由于電源電壓發(fā)生波動(dòng)，或其它原因造成電路中各點(diǎn)電壓變動(dòng)時(shí)，負(fù)載兩端的電壓將基本保持不變。線性穩(wěn)壓直流電源的特點(diǎn)是：輸出電壓比輸入電壓低；反應(yīng)速度快，輸出紋波較小，凱軒業(yè)電子。

1N4007的正向壓降為1.0V、較大正向平均整流電流為1.0A、較高反向耐壓為1000V、A105J2ZQ004反向漏電流為5 p,A（較大值）、較大反向峰值電流為30pA，正向壓降是指使二極管能夠?qū)ǖ恼蜉^低電壓，1N4007是一種硅材料整流二極管，在小功率情況下正向?qū)妷杭s為0.6～0.8 V，在大功率情況下，正向壓降往往達(dá)到1V左右；2，平均整流電流是指二極管長(zhǎng)期工作時(shí)允許通過(guò)的較大正向平均電流；3，較高反向耐壓是指當(dāng)二極管反向偏置時(shí)，允許加在二極管兩端的反向電壓的較大值，當(dāng)高于這個(gè)數(shù)值時(shí)，會(huì)將二極管擊穿，在交流通路中是指反復(fù)加上的峰值電壓，在直流通路中是指連續(xù)加上的直流電壓；線性穩(wěn)壓電源主電路的工作過(guò)程首先通過(guò)預(yù)設(shè)電路對(duì)輸入電源進(jìn)行初步的交流穩(wěn)壓，將其轉(zhuǎn)換為直流電。湖南肖特基二極管銷(xiāo)售代理

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8、外延型二極管用外延面長(zhǎng)的過(guò)程制造 PN 結(jié)而形成的二極管。制造時(shí)需要非常高超的技術(shù)。因能隨意地控制雜質(zhì)的不同濃度的分布，故適宜于制造高靈敏度的變?nèi)荻O管。9、肖特基二極管基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導(dǎo)體（N 型硅片）的接觸面上，用已形成的肖特基來(lái)阻擋反向電壓。肖特基與 PN 結(jié)的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有 40V 左右。其特長(zhǎng)是：開(kāi)關(guān)速度非常快：反向恢復(fù)時(shí)間 trr 特別地短。因此，能制作開(kāi)關(guān)二極和低壓大電流整流二極管。湖南肖特基二極管銷(xiāo)售代理