由單個電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制。所以，在實用中多用幾個電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)形成組件，其耐壓和通流的能力可以成倍地提高，從而可極大地增加電力電子裝置的容量。器件串聯(lián)時，希望各元件能承受同樣的正、反向電壓；并聯(lián)時則希望各元件能分擔同樣的電流。但由于器件的個異性，串、并聯(lián)時，各器件并不能完全均勻地分擔電壓和電流。所以，在電力電子器件串聯(lián)時，要采取均壓措施；在并聯(lián)時，要采取均流措施。電力電子器件工作時，會因功率損耗引起器件發(fā)熱、升溫。器件溫度過高將縮短壽命，甚至燒毀，這是限制電力電子器件電流、電壓容量的主要原因。為此，必須考慮器件的冷卻問題。常用冷卻方式有自冷式、風冷式、液冷式(包括油冷式、水冷式)和蒸發(fā)冷卻式等。電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發(fā)展。80年代晶閘管的電流容量已達6000安，阻斷電壓高達6500伏。但這類器件工作頻率較低。提高其工作頻率，取決于器件關斷期間如何加快基區(qū)少數(shù)載流子(簡稱少子)的復合速度和經(jīng)門極抽取更多的載流子。降低少子壽命雖能有效地縮短關斷電流的過程，卻導致器件導通期正向壓降的增加。因此必須兼顧轉換速度和器件通態(tài)功率損耗的要求。 電力電子器件正沿著大功率化、高頻化、集成化的方向發(fā)展。工程電力電子器件價格便宜

    也稱為開關型整流器SMR)通過MOSFET或IGBT的高頻工作，開關頻率一般控制在50-100kHz范圍內(nèi)，實現(xiàn)高效率和小型化。近幾年，開關整流器的功率容量不斷擴大，單機容量己從48V/、48V/20A擴大到48V/200A、48V/400A。因通信設備中所用集成電路的種類繁多，其電源電壓也各不相同，在通信供電系統(tǒng)中采用高功率密度的高頻DC-DC隔離電源模塊，從中間母線電壓(一般為48V直流)變換成所需的各種直流電壓，這樣可大大減小損耗、方便維護，且安裝、增加非常方便。一般都可直接裝在標準控制板上，對二次電源的要求是高功率密度。因通信容量的不斷增加，通信電源容量也將不斷增加。變頻器電源主要用于交流電機的變頻調(diào)速，其在電氣傳動系統(tǒng)中占據(jù)的地位日趨重要，已獲得巨大的節(jié)能效果。變頻器電源主電路均采用交流-直流-交流方案。工頻電源通過整流器變成固定的直流電壓，然后由大功率晶體管或IGBT組成的PWM高頻變換器，將直流電壓逆變成電壓、頻率可變的交流輸出，電源輸出波形近似于正弦波，用于驅動交流異步電動機實現(xiàn)無級調(diào)速。國際上400kVA以下的變頻器電源系列產(chǎn)品已經(jīng)問世。八十年代初期，日本東芝公司先將交流變頻調(diào)速技術應用于空調(diào)器中。 蕭山區(qū)怎么樣電力電子器件設計電力電子器件又稱為功率半導體器件，主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。

    80年代這類器件的高工作頻率在10千赫以下。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作，其控制電流容量已達數(shù)百安，阻斷電壓1千多伏,但維持通態(tài)比其他功率可控器件需要更大的基極驅動電流。由于存在熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象，限制它的抗浪涌能力。進一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲存效應的影響。70年代中期發(fā)展起來的單極型MOS功率場效應晶體管，由于不受少子儲存效應的限制，能夠在兆赫以上的頻率下工作。這種器件的導通電流具有負溫度特性，不易出現(xiàn)熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象；需要擴大電流容量時，器件并聯(lián)簡單，且具有較好的線性輸出特性和較小的驅動功率；在制造工藝上便于大規(guī)模集成。但它的通態(tài)壓降較大，制造時對材料和器件工藝的一致性要求較高。到80年代中、后期電流容量達數(shù)十安，阻斷電壓近千伏。從60年代到70年代初期，以半控型普通晶閘管為的電力電子器件，主要用于相控電路。這些電路十分地用在電解、電鍍、直流電機傳動、發(fā)電機勵磁等整流裝置中，與傳統(tǒng)的汞弧整流裝置相比，不僅體積小、工作可靠，而且取得了十分明顯的節(jié)能效果（一般可節(jié)電10～40%，從中國的實際看，因風機和泵類負載約占全國用電量的1/3，若采用交流電動機調(diào)速傳動。

    可平均節(jié)電20%以上，每年可節(jié)電400億千瓦時）,因此電力電子技術的發(fā)展也越來越受到人們的重視。70年代中期出現(xiàn)的全控型可關斷晶閘管和功率晶體管,開關速度快,控制簡單，逆導可關斷晶閘管更兼容了可關斷晶閘管和快速整流二極管的功能。它們把電力電子技術的應用推進到了以逆變、斬波為中心內(nèi)容的新領域。這些器件已普遍應用于變頻調(diào)速、開關電源、靜止變頻等電力電子裝置中。80年代初期出現(xiàn)的MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。集成電路的技術促進了器件的小型化和功能化。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術提供了條件，推動電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發(fā)展。80年代發(fā)展起來的靜電感應晶閘管、隔離柵晶體管，以及各種組合器件，綜合了晶閘管、MOS功率場效應晶體管和功率晶體管各自的優(yōu)點，在性能上又有新的發(fā)展。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場效應晶體管的柵控特性，又具有雙極型功率晶體管的電流傳導性能，它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍。靜電感應晶閘管保存了晶閘管導通壓降低的優(yōu)點，結構上避免了一般晶閘管在門極觸發(fā)時必須在門極周圍先導通然后逐步橫向擴展的過程，所以比一般晶閘管有更高的開關速度。 在電力電子器件串聯(lián)時，要采取均壓措施；在并聯(lián)時，要采取均流措施。

    普通晶閘管的開關電流已達數(shù)千安，能承受的正、反向工作電壓達數(shù)千伏。在此基礎上，為適應電力電子技術發(fā)展的需要，又開發(fā)出門極可關斷晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管等一系列派生器件，以及單極型MOS功率場效應晶體管、雙極型功率晶體管、靜電感應晶閘管、功能組合模塊和功率集成電路等新型電力電子器件。各種電力電子器件均具有導通和阻斷兩種工作特性。功率二極管是二端(陰極和陽極)器件，其器件電流由伏安特性決定，除了改變加在二端間的電壓外，無法控制其陽極電流，故稱不可控器件。普通晶閘管是三端器件，其門極信號能控制元件的導通，但不能控制其關斷，稱半控型器件?？申P斷晶閘管、功率晶體管等器件，其門極信號既能件的導通，又能控制其關斷，稱全控型器件。后兩類器件控制靈活，電路簡單，開關速度53c3db0-ae2b-4474-a84d-2a于整流、逆變、斬波電路中，是電動機調(diào)速、發(fā)電機勵磁、感應加熱、電鍍、電解電源、直接輸電等電力電子裝置中的部件。這些器件構成裝置不僅體積小、工作可靠，而且節(jié)能效果十分明顯(一般可節(jié)電10%～40%)。單個電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的，能通過的電流大小也是一定的。 器件串聯(lián)時，希望各元件能承受同樣的正、反向電壓；并聯(lián)時則希望各元件能分擔同樣的電流。嘉興怎么樣電力電子器件誠信經(jīng)營

80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應晶體管和功率集成電路的工作頻率達到兆赫級。工程電力電子器件價格便宜

    模擬集成電路設計主要是通過有經(jīng)驗的設計師進行手動的電路調(diào)試，模擬而得到，與此相對應的數(shù)字集成電路設計大部分是通過使用硬件描述語言在EDA軟件的控制下自動的綜合產(chǎn)生。電子元器件數(shù)字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導體芯片上而制成的數(shù)字邏輯電路或系統(tǒng)。根據(jù)數(shù)字集成電路中包含的門電路或元器件數(shù)量，可將數(shù)字集成電路分為小規(guī)模集成(SSI)電路、中規(guī)模集成(MSI)電路、大規(guī)模集成(LSI)電路、超大規(guī)模集成(VLSI)電路和特大規(guī)模集成(ULSI)電路。小規(guī)模集成電路包含的門電路在10個以內(nèi)，或元器件數(shù)不超過100個；中規(guī)模集成電路包含的門電路在10-100個之間，或元器件數(shù)在100-1000個之間；大規(guī)模集成電路包含的門電路在100個以上，或元器件數(shù)在10-10個之間；超大規(guī)模集成電路包含的門電路在1萬個以上，或元器件數(shù)在10-10之間；特大規(guī)模集成電路的元器件數(shù)在10-10之間。它包括：基本邏輯門、觸發(fā)器、寄存器、譯碼器、驅動器、計數(shù)器、整形電路、可編程邏輯器件、微處理器、單片機、DSP等。電子技術是根據(jù)電子學的原理，運用電子元器件設計和制造某種特定功能的電路以解決實際問題的科學，包括信息電子技術和電力電子技術兩大分支。信息電子技術包括Analog。 工程電力電子器件價格便宜

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