ADC/DAC電路：（4）隔離處理：隔離腔體應(yīng)做開(kāi)窗處理、方便焊接屏蔽殼，在屏蔽腔體上設(shè)計(jì)兩排開(kāi)窗過(guò)孔屏蔽，過(guò)孔應(yīng)相互錯(cuò)開(kāi)，同排過(guò)孔間距為150Mil。，在腔體的拐角處應(yīng)設(shè)計(jì)3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼，隔離腔體內(nèi)的器件與屏蔽殼的間距＞0.5mm。如圖6-1-2-4所示。腔體的周邊為密封的，接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結(jié)構(gòu)；而腔體內(nèi)部不同模塊之間可以采用微帶線的結(jié)構(gòu)，這樣內(nèi)部的屏蔽腔采用開(kāi)槽處理，開(kāi)槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。（5）布線原則1、首先參考射頻信號(hào)的處理原則。2、嚴(yán)格按照原理圖的順序進(jìn)行ADC和DAC前端電路布線。3、空間允許的情況下，模擬信號(hào)采用包地處理，包地要間隔≥200Mil打地過(guò)孔4、ADC和DAC電源管腳比較好經(jīng)過(guò)電容再到電源管腳，線寬≥20Mil，對(duì)于管腳比較細(xì)的器件，出線寬度與管腳寬度一致。5、模擬信號(hào)優(yōu)先采用器件面直接走線，線寬≥10Mil，對(duì)50歐姆單端線、100歐姆差分信號(hào)要采用隔層參考，在保證阻抗的同時(shí)，以降低模擬輸入信號(hào)的衰減損耗，6、不同ADC/DAC器件的采樣時(shí)鐘彼此之間需要做等長(zhǎng)處理。7、當(dāng)信號(hào)線必須要跨分割時(shí)，跨接點(diǎn)選擇在跨接磁珠（或者0歐姆電阻）處。PCB設(shè)計(jì)疊層相關(guān)方案。黃岡如何PCB設(shè)計(jì)走線

ADC/DAC電路：（2）模擬地與數(shù)字地處理：大多數(shù)ADC、DAC往往依據(jù)數(shù)據(jù)手冊(cè)和提供的參考設(shè)計(jì)進(jìn)行地分割處理，通常情況是將PCB地層分為模擬地AGND和數(shù)字地DGND，然后將二者單點(diǎn)連接，（3）模擬電源和數(shù)字電源當(dāng)電源入口只有統(tǒng)一的數(shù)字地和數(shù)字電源時(shí)，在電源入口處通過(guò)將數(shù)字地加磁珠或電感，將數(shù)字地拆分成成模擬地；同樣在電源入口處將數(shù)字電源通過(guò)磁珠或電感拆分成模擬電源。負(fù)載端所有的數(shù)字電源都通過(guò)入口處數(shù)字電源生成、模擬電源都通過(guò)經(jīng)過(guò)磁珠或電感隔離后的模擬電源生成。如果在電源入口處（外部提供的電源）既有模擬地又有數(shù)字地、既有模擬電源又有數(shù)字電源，板子上所有的數(shù)字電源都用入口處的數(shù)字電源生成、模擬電源都用入口處的模擬電源生成。ADC和DAC器件的模擬電源一般采用LDO進(jìn)行供電，因?yàn)槠潆娏餍?、紋波小，而DC/DC會(huì)引入較大開(kāi)關(guān)電源噪聲，嚴(yán)重影響ADC/DAC器件性能，因此，模擬電路應(yīng)該采用LDO進(jìn)行供電。湖北高效PCB設(shè)計(jì)教程PCB設(shè)計(jì)布局以及整體思路。

SDRAM時(shí)鐘源同步和外同步1、源同步：是指時(shí)鐘與數(shù)據(jù)同時(shí)在兩個(gè)芯片之間間傳輸，不需要外部時(shí)鐘源來(lái)給SDRAM提供時(shí)鐘，CLK由SDRAM控制芯片（如CPU）輸出，數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號(hào)由CLK來(lái)觸發(fā)和鎖存，CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號(hào)滿足一定的時(shí)序匹配關(guān)系才能保證SDRAM正常工作，即CLK必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號(hào)在PCB上滿足一定的傳輸線長(zhǎng)度匹配。2、外同步：由外部時(shí)鐘給系統(tǒng)提供參考時(shí)鐘，數(shù)據(jù)從發(fā)送到接收需要兩個(gè)時(shí)鐘，一個(gè)鎖存發(fā)送數(shù)據(jù)，一個(gè)鎖存接收數(shù)據(jù)，在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)完成，對(duì)于SDRAM及其控制芯片，參考時(shí)鐘CLK1、CLK2由外部時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生，此時(shí)CLK1、CLK2到達(dá)SDRAM及其控制芯片的延時(shí)必須滿足數(shù)據(jù)總線、地址總線及控制總線信號(hào)的時(shí)序匹配要求，即CLK1、CLK2必須與數(shù)據(jù)總線、地址總線、控制總線信號(hào)在PCB上滿足一定的傳輸線長(zhǎng)度匹配。如圖6-1-4-3所示。

調(diào)整器件字符的方法還有：“1”、“O”、△、或者其他符號(hào)要放在對(duì)應(yīng)的1管腳處；對(duì)BGA器件用英文字母和阿拉伯?dāng)?shù)字構(gòu)成的矩陣方式表示。帶極性器件要把“+”或其他標(biāo)識(shí)放在正極旁；對(duì)于管腳較多的器件要每隔5個(gè)管腳或者收尾管腳都要標(biāo)出管腳號(hào)（6）對(duì)于二極管正極標(biāo)注的擺放需要特別注意：首先在原理圖中確認(rèn)正極對(duì)應(yīng)的管腳號(hào)（接高電壓），然后在PCB中，找到對(duì)應(yīng)的管腳，將正極極性標(biāo)識(shí)放在對(duì)應(yīng)的管腳旁邊7）穩(wěn)壓二級(jí)管是利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài)制成的二極管。所以正極標(biāo)注放在接低電壓的管腳處。京曉科技與您分享PCB設(shè)計(jì)中布局布線的注意事項(xiàng)。

ICT測(cè)試點(diǎn)添加ICT測(cè)試點(diǎn)添加注意事項(xiàng)：（1）測(cè)試點(diǎn)焊盤(pán)≥32mil；（2）測(cè)試點(diǎn)距離板邊緣≥3mm；（3）相鄰測(cè)試點(diǎn)的中心間距≥60Mil。（4）測(cè)試點(diǎn)邊緣距離非Chip器件本體邊緣≥20mil，Chip器件焊盤(pán)邊緣≥10mil，其它導(dǎo)體邊緣≥12mil。（5）整板必須有3個(gè)孔徑≥2mm的非金屬化定位孔，且在板子的對(duì)角線上非對(duì)稱放置。（6）優(yōu)先在焊接面添加ICT測(cè)試點(diǎn)，正面添加ICT測(cè)試點(diǎn)需經(jīng)客戶確認(rèn)。（7）電源、地網(wǎng)絡(luò)添加ICT測(cè)試點(diǎn)至少3個(gè)以上且均勻放置。（8）優(yōu)先采用表貼焊盤(pán)測(cè)試點(diǎn)，其次采用通孔測(cè)試點(diǎn)，禁止直接將器件通孔管腳作為測(cè)試點(diǎn)使用。（9）優(yōu)先在信號(hào)線上直接添加測(cè)試點(diǎn)或者用扇出的過(guò)孔作為測(cè)試點(diǎn)，采用Stub方式添加ICT測(cè)試點(diǎn)時(shí)，Stub走線長(zhǎng)不超過(guò)150Mil。（10）2.5Ghz以上的高速信號(hào)網(wǎng)絡(luò)禁止添加測(cè)試點(diǎn)。（11）測(cè)試點(diǎn)禁止在器件、散熱片、加固件、拉手條、接插件、壓接件、條形碼、標(biāo)簽等正下方，以防止被器件或物件覆蓋。（12）差分信號(hào)增加測(cè)試點(diǎn)，必須對(duì)稱添加，即同時(shí)在差分線對(duì)的兩個(gè)網(wǎng)絡(luò)的同一個(gè)地方對(duì)稱加測(cè)試點(diǎn)晶振電路的布局布線要求。湖北什么是PCB設(shè)計(jì)布線

SDRAM 的PCB布局布線要求是什么？黃岡如何PCB設(shè)計(jì)走線

 DDR模塊，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”，是在SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來(lái)，人們習(xí)慣稱為DDR，DDR本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率，它允許在時(shí)鐘的上升沿和下降沿讀取數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說(shuō)明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡(jiǎn)述1、CK/CK#是DDR的全局時(shí)鐘，DDR的所有命令信號(hào)，地址信號(hào)都是以CK/CK#為時(shí)序參考的。2、CKE為時(shí)鐘使能信號(hào)，與SDRAM不同的是，在進(jìn)行讀寫(xiě)操作時(shí)CKE要保持為高電平，當(dāng)CKE由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，器件進(jìn)入斷電模式（所有BANK都沒(méi)有時(shí)）或自刷新模式（部分BANK時(shí)），當(dāng)CKE由低電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3、CS#為片選信號(hào)，低電平有效。當(dāng)CS#為高時(shí)器件內(nèi)部的命令解碼將不工作。同時(shí)，CS#也是命令信號(hào)的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫(xiě)使能信號(hào)，低電平有效。這三個(gè)信號(hào)與CS#一起組成了DDR的命令信號(hào)。黃岡如何PCB設(shè)計(jì)走線

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