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武漢設(shè)計PCB設(shè)計布線

來源: 發(fā)布時間:2023-03-09

通過規(guī)范PCBLayout服務(wù)操作要求,提升PCBLayout服務(wù)質(zhì)量和保證交期的目的。適用范圍適用于我司PCBLayout業(yè)務(wù)。文件維護部門設(shè)計部。定義與縮略語(1)PCBLayout:利用EDA軟件將邏輯原理圖設(shè)計為印制電路板圖的全過程。(2)PCB:印刷電路板。(3)理圖:一般由原理圖設(shè)計工具繪制,表達硬件電路中各種器件之間的連接關(guān)系的圖。(4)網(wǎng)表:一般由原理圖設(shè)計工具自動生成的,表達元器件電氣連接關(guān)系的文本文件,一般包含元器件封裝,網(wǎng)絡(luò)列表和屬性定義等部分。(5)布局:PCB設(shè)計過程中,按照設(shè)計要求、結(jié)構(gòu)圖和原理圖,把元器件放置到板上的過程。(6)布線:PCB設(shè)計過程中,按照設(shè)計要求對信號進行走線和銅皮處理的過程。PCB設(shè)計工藝的規(guī)則和技巧。武漢設(shè)計PCB設(shè)計布線

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Gerber輸出Gerber輸出前重新導(dǎo)入網(wǎng)表,保證終原理圖與PCB網(wǎng)表一致,確保Gerber輸出前“替代”封裝已更新,根據(jù)《PCBLayout檢查表》進行自檢后,進行Gerber輸出。PCBLayout在輸出Gerber階段的所有設(shè)置、操作、檢查子流程步驟如下:Gerber參數(shù)設(shè)置→生成Gerber文件→IPC網(wǎng)表自檢。(1)光繪格式RS274X,原點位置設(shè)置合理,光繪單位設(shè)置為英制,精度5:5(AD精度2:5)。(2)光繪各層種類齊全、每層內(nèi)容選擇正確,鉆孔表放置合理。(3)層名命名正確,前綴統(tǒng)一為布線層ART,電源層PWR,地層GND,與《PCB加工工藝要求說明書》保持一致。(4)檢查Drill層:(5)孔符層左上角添加CAD編號,每層光繪左下角添加各層層標(biāo)。(5)孔符層左上角添加CAD編號,每層光繪左下角添加各層層標(biāo)。(5)孔符層左上角添加CAD編號,每層光繪左下角添加各層層標(biāo)。(5)孔符層左上角添加CAD編號,每層光繪左下角添加各層層標(biāo)。(5)孔符層左上角添加CAD編號,每層光繪左下角添加各層層標(biāo)。襄陽了解PCB設(shè)計價格大全如何梳理PCB設(shè)計布局模塊框圖?

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結(jié)構(gòu)繪制結(jié)構(gòu)繪制子流程如下:繪制單板板框→繪制結(jié)構(gòu)特殊區(qū)域及拼板→放置固定結(jié)構(gòu)件。1.1.1繪制單板板框(1)將結(jié)構(gòu)圖直接導(dǎo)入PCB文件且測量尺寸,確認(rèn)結(jié)構(gòu)圖形中結(jié)構(gòu)尺寸單位為mm,顯示比例為1:1等大。(2)設(shè)計文件中,單位為mm,則精度為小數(shù)點后4位;單位為Mil,則精度為小數(shù)點后2位,兩種單位之間轉(zhuǎn)換至多一次,特殊要求記錄到《項目設(shè)計溝通記錄》中。(3)導(dǎo)入結(jié)構(gòu)圖形并命名。(4)導(dǎo)入的結(jié)構(gòu)圖形層命名方式為DXF_日期+版本,舉例:DXF_1031A1,線寬為0Mil。(5)結(jié)構(gòu)圖形導(dǎo)入后應(yīng)在EDA設(shè)計軟件視界正中,若偏移在一角,應(yīng)整體移動結(jié)構(gòu)圖形,使之位于正中。(6)根據(jù)結(jié)構(gòu)圖形,繪制外形板框,板框與結(jié)構(gòu)文件完全一致且重合,并體現(xiàn)在EDA設(shè)計軟件顯示層。(7)確定坐標(biāo)原點,坐標(biāo)原點默認(rèn)為單板左邊與下邊延長線的交點,坐標(biāo)原點有特殊要求的記錄到《項目設(shè)計溝通記錄》中。(8)對板邊的直角進行倒角處理,倒角形狀、大小依據(jù)結(jié)構(gòu)圖繪制,如無特殊要求,默認(rèn)倒圓角半徑為1.5mm,工藝邊外沿默認(rèn)倒圓角,半徑為1.5mm并記錄到《項目設(shè)計溝通記錄》郵件通知客戶確認(rèn)。(9)板框繪制完畢,賦予其不可移動,不可編輯屬性。

整板布線,1)所有焊盤必須從中心出線,線路連接良好,(2)矩形焊盤出線與焊盤長邊成180度角或0度角出線,焊盤內(nèi)部走線寬度必須小于焊盤寬度,BGA焊盤走線線寬不大于焊盤的1/2,走線方式,(3)所有拐角處45度走線,禁止出現(xiàn)銳角和直角走線,(4)走線到板邊的距離≥20Mil,距離參考平面的邊沿滿足3H原則,(5)電感、晶體、晶振所在器件面區(qū)域內(nèi)不能有非地網(wǎng)絡(luò)外的走線和過孔。(6)光耦、變壓器、共模電感、繼電器等隔離器件本體投影區(qū)所有層禁止布線和鋪銅。(7)金屬殼體正下方器件面禁止有非地網(wǎng)絡(luò)過孔存在,非地網(wǎng)絡(luò)過孔距離殼體1mm以上。(8)不同地間或高低壓間需進行隔離。(9)差分線需嚴(yán)格按照工藝計算的差分線寬和線距布線;(10)相鄰信號層推薦正交布線方式,無法正交時,相互錯開布線,(11)PCB LAYOUT中的拓撲結(jié)構(gòu)指的是芯片與芯片之間的連接方式,不同的總線特點不一樣,所采用的拓撲結(jié)構(gòu)也不一樣,多拓撲的互連。射頻、中頻電路的基本概念是什么?

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存儲模塊介紹:存儲器分類在我們的設(shè)計用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等,其中DDR系列用的是多的,其DDR-DDR4的詳細參數(shù)如下:DDR采用TSSOP封裝技術(shù),而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大,呈長方形,其優(yōu)點是成本低、工藝要求不高,缺點是傳導(dǎo)效果差,容易受干擾,散熱不理想,而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧,體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一,有效地縮短信號傳輸距離,在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢,而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來增大單顆芯片容量,封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高,從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存,其制造工藝都在不斷改善,更高工藝水平會使內(nèi)存電氣性能更好,成本更低;DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝,而DDR2采用了0.09微米制造工藝,DDR3則采用了全新65nm制造工藝,而DDR4使用20nm以下的工藝來制造,從DDR~DDR4的具體參數(shù)如下表所示。PCB設(shè)計中常用的電源電路有哪些?宜昌正規(guī)PCB設(shè)計布局

疊層方案子流程以及規(guī)則設(shè)置。武漢設(shè)計PCB設(shè)計布線

整板扇出(1)對板上已處理的表層線和過孔按照規(guī)則進行相應(yīng)的調(diào)整。(2)格點優(yōu)先選用25Mil的,其次采用5Mil格點,過孔扇出在格點上,相同器件過孔走線采用復(fù)制方式,保證過孔上下左右對齊、常見分立器件的扇出形式(3)8MIL過孔中心間距35MIL以上,10MIL過孔中心間距40MIL以上,以免將平面層隔斷;差分過孔間距一般為30Mil(或過孔邊緣距為8Mil)。(4)芯片電源管腳先過電容再打過孔(5)所有電源/地管腳就近打孔,高速差分過孔附近30-50Mil內(nèi)加回流地孔,模塊內(nèi)通過表層線直連,無法連接的打過孔處理。(6)電源輸出過孔打在輸出濾波電容之后,電源輸入過孔扇出在輸入濾波電容之前,過孔數(shù)目滿足電源載流要求,過孔通流能力參照,地孔數(shù)不少于電源過孔數(shù)。武漢設(shè)計PCB設(shè)計布線

武漢京曉科技有限公司是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、咨詢、規(guī)劃、銷售、服務(wù)于一體的服務(wù)型企業(yè)。公司成立于2020-06-17,多年來在**PCB設(shè)計與制造,高速PCB設(shè)計,企業(yè)級PCB定制行業(yè)形成了成熟、可靠的研發(fā)、生產(chǎn)體系。京曉電路/京曉教育目前推出了**PCB設(shè)計與制造,高速PCB設(shè)計,企業(yè)級PCB定制等多款產(chǎn)品,已經(jīng)和行業(yè)內(nèi)多家企業(yè)建立合作伙伴關(guān)系,目前產(chǎn)品已經(jīng)應(yīng)用于多個領(lǐng)域。我們堅持技術(shù)創(chuàng)新,把握市場關(guān)鍵需求,以重心技術(shù)能力,助力電工電氣發(fā)展。我們以客戶的需求為基礎(chǔ),在產(chǎn)品設(shè)計和研發(fā)上面苦下功夫,一份份的不懈努力和付出,打造了京曉電路/京曉教育產(chǎn)品。我們從用戶角度,對每一款產(chǎn)品進行多方面分析,對每一款產(chǎn)品都精心設(shè)計、精心制作和嚴(yán)格檢驗。**PCB設(shè)計與制造,高速PCB設(shè)計,企業(yè)級PCB定制產(chǎn)品滿足客戶多方面的使用要求,讓客戶買的放心,用的稱心,產(chǎn)品定位以經(jīng)濟實用為重心,公司真誠期待與您合作,相信有了您的支持我們會以昂揚的姿態(tài)不斷前進、進步。