DDR模塊，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”，是在SDRAM的基礎(chǔ)上改進而來，人們習(xí)慣稱為DDR，DDR本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀取數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡述1、CK/CK#是DDR的全局時鐘，DDR的所有命令信號，地址信號都是以CK/CK#為時序參考的。2、CKE為時鐘使能信號，與SDRAM不同的是，在進行讀寫操作時CKE要保持為高電平，當(dāng)CKE由高電平變?yōu)榈碗娖綍r，器件進入斷電模式（所有BANK都沒有時）或自刷新模式（部分BANK時），當(dāng)CKE由低電平變?yōu)楦唠娖綍r，器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3、CS#為片選信號，低電平有效。當(dāng)CS#為高時器件內(nèi)部的命令解碼將不工作。同時，CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號，低電平有效。這三個信號與CS#一起組成了DDR的命令信號。在PCB設(shè)計中如何繪制結(jié)構(gòu)特殊區(qū)域及拼板？宜昌正規(guī)PCB設(shè)計布局

 射頻、中頻電路（2）屏蔽腔的設(shè)計1、應(yīng)把不同模塊的射頻單元用腔體隔離，特別是敏感電路和強烈輻射源之間，在大功率多級放大器中，也應(yīng)保證級與級之間隔開。2、印刷電路板的腔體應(yīng)做開窗處理、方便焊接屏蔽殼。3、在屏蔽腔體上設(shè)計兩排開窗過孔屏，過孔應(yīng)相互錯開，同排過孔間距為150Mil。4、在腔體的拐角處應(yīng)設(shè)計3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼。5、腔體的周邊為密封的，一般接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結(jié)構(gòu)；而腔體內(nèi)部不同模塊之間可以采用微帶線的結(jié)構(gòu)，這樣內(nèi)部的屏蔽腔采用開槽處理，開槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。6、屏蔽罩設(shè)計實例武漢常規(guī)PCB設(shè)計報價PCB設(shè)計中關(guān)鍵信號布線方法。

射頻、中頻電路（1）射頻電路★基本概念1、射頻：是電磁波按應(yīng)用劃分的定義,專指具有一定波長可用于無線電通信的電磁波，射頻PCB可以定義為具有頻率在30MHz至6GHz范圍模擬信號的PCB。2、微帶線：是一種傳輸線類型。由平行而不相交的帶狀導(dǎo)體和接地平面構(gòu)成。微帶線的結(jié)構(gòu)如下圖中的圖1所示它是由導(dǎo)體條帶（在基片的一邊）和接地板（在基片的另一邊）所構(gòu)成的傳輸線。微帶線是由介質(zhì)基片，接地平板和導(dǎo)體條帶三部分組成。在微帶線中，電磁能量主要是集中在介質(zhì)基片中傳播的，3、屏蔽罩：是無線設(shè)備中普遍采用的屏蔽措施。其工作原理如下：當(dāng)在電磁發(fā)射源和需要保護的電路之間插入一高導(dǎo)電性金屬時，該金屬會反射和吸收部分輻射電場，反射與吸收的量取決于多種不同的因素，這些因素包括輻射的頻率，波長，金屬本身的導(dǎo)電率和滲透性，以及該金屬與發(fā)射源的距離。4、模塊分腔的必要性：腔體內(nèi)腔器件間或RF信號布線間的典型隔離度約在50－70dB，對某些敏感電路，有強烈輻射源的電路模塊都要采取屏蔽或隔離措施，例如：a.接收電路前端、VCO電路的電源、環(huán)路濾波電路是敏感電路。b.發(fā)射的后級電路、功放的電路、數(shù)字信號處理電路、參考時鐘和晶體振蕩器是強烈的輻射源。

SDRAM各管腳功能說明：1、CLK是由系統(tǒng)時鐘驅(qū)動的，SDRAM所有的輸入信號都是在CLK的上升沿采樣，CLK還用于觸發(fā)內(nèi)部計數(shù)器和輸出寄存器；2、CKE為時鐘使能信號，高電平時時鐘有效，低電平時時鐘無效，CKE為低電平時SDRAM處于預(yù)充電斷電模式和自刷新模式。此時包括CLK在內(nèi)的所有輸入Buffer都被禁用，以降低功耗，CKE可以直接接高電平。3、CS#為片選信號，低電平有效，當(dāng)CS#為高時器件內(nèi)部所有的命令信號都被屏蔽，同時，CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號，低電平有效，這三個信號與CS#一起組合定義輸入的命令。5、DQML，DQMU為數(shù)據(jù)掩碼信號。寫數(shù)據(jù)時，當(dāng)DQM為高電平時對應(yīng)的寫入數(shù)據(jù)無效，DQML與DQMU分別對應(yīng)于數(shù)據(jù)信號的低8位與高8位。6、A<0..12>為地址總線信號，在讀寫命令時行列地址都由該總線輸入。7、BA0、BA1為BANK地址信號，用以確定當(dāng)前的命令操作對哪一個BANK有效。8、DQ<0..15>為數(shù)據(jù)總線信號，讀寫操作時的數(shù)據(jù)信號通過該總線輸出或輸入。PCB設(shè)計工藝的規(guī)則和技巧。

SDRAM模塊SDRAM介紹：SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同步動態(tài)隨機存儲器）的簡稱，是使用很的一種存儲器，一般應(yīng)用在200MHz以下，常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133MHz等。其中同步是指時鐘頻率與SDRAM控制器如CPU前端其時鐘頻率與CPU前端總線的系統(tǒng)時鐘頻率相同，并且內(nèi)部命令的發(fā)送和數(shù)據(jù)的傳輸都以它為準(zhǔn)；動態(tài)是指存儲陣列需要不斷刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機是指數(shù)據(jù)不是線性一次存儲，而是自由指定地址進行數(shù)據(jù)的讀寫。為了配合SDRAM控制芯片的總線位寬，必須配合適當(dāng)數(shù)量的SDRAM芯片顆粒，如32位的CPU芯片，如果用位寬16bit的SDRAM芯片就需要2片，而位寬8bit的SDRAM芯片則就需要4片。是某廠家的SDRAM芯片封裝示意圖，圖中列出了16bit、8bit、4bit不同位寬的信號網(wǎng)絡(luò)管腳分配情況以及信號網(wǎng)絡(luò)說明。PCB設(shè)計布局以及整體思路。黃石了解PCB設(shè)計價格大全

DDR與SDRAM信號的不同之處在哪？宜昌正規(guī)PCB設(shè)計布局

絲印調(diào)整，子流程：設(shè)置字符格式→調(diào)整器件字符→添加特殊字符→添加特殊絲印。設(shè)置字符格式，字符的寬度/高度：1/3盎司、1/2盎司（基銅）：4/23Mil(推薦設(shè)計成4/25Mil)；1盎司（基銅）：5/30Mil；2盎司(基銅)：6/45Mil；字高與字符線寬之比≥6:1。調(diào)整器件字符（1）字符與阻焊的間距≥6Mil。字符之間的距離≥6Mil，距離板邊≥10Mil；任何字符不能重疊且不能被元器件覆蓋。（2）絲印字符陰字線寬≥8mil；（3）字符只能有兩個方向，排列應(yīng)遵循正視時位號的字母數(shù)字排序為從左到右，從下到上。（4）字符的位號要與器件一一對應(yīng)，不能顛倒、變換順序，每個元器件上必須標(biāo)出位號不可缺失，對于高密度板，可將位號標(biāo)在PCB其他有空間的位置,用箭頭加圖框表示或者字符加圖框表示，如下圖所示。字符擺放完成后，逐個高亮器件，確認(rèn)位號高亮順序和器件高亮順序一致。宜昌正規(guī)PCB設(shè)計布局

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