布線，PCBLAYOUT在此階段的所有布線必須符合《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》、《PCBLayout工藝參數(shù)》、《PCB加工工藝要求說明書》對(duì)整板布線約束的要求。同時(shí)也應(yīng)該符合客戶對(duì)過孔工藝、小線寬線距等的特殊要求，無法滿足時(shí)需和客戶客戶溝通并記錄到《設(shè)計(jì)中心溝通記錄》郵件通知客戶確認(rèn)。布線的流程步驟如下：關(guān)鍵信號(hào)布線→整板布線→ICT測(cè)試點(diǎn)添加→電源、地處理→等長(zhǎng)線處理→布線優(yōu)化，關(guān)鍵信號(hào)布線關(guān)鍵信號(hào)布線的順序：射頻信號(hào)→中頻、低頻信號(hào)→時(shí)鐘信號(hào)→高速信號(hào)。關(guān)鍵信號(hào)的布線應(yīng)該遵循如下基本原則：★優(yōu)先選擇參考平面是地平面的信號(hào)層走線。★依照布局情況短布線?！镒呔€間距單端線必須滿足3W以上，差分線對(duì)間距必須滿足20Mil以上如何創(chuàng)建PCB文件、設(shè)置庫(kù)路徑？恩施正規(guī)PCB設(shè)計(jì)多少錢

Gerber輸出Gerber輸出前重新導(dǎo)入網(wǎng)表，保證終原理圖與PCB網(wǎng)表一致，確保Gerber輸出前“替代”封裝已更新，根據(jù)《PCBLayout檢查表》進(jìn)行自檢后，進(jìn)行Gerber輸出。PCBLayout在輸出Gerber階段的所有設(shè)置、操作、檢查子流程步驟如下：Gerber參數(shù)設(shè)置→生成Gerber文件→IPC網(wǎng)表自檢。（1）光繪格式RS274X，原點(diǎn)位置設(shè)置合理，光繪單位設(shè)置為英制，精度5:5（AD精度2:5）。（2）光繪各層種類齊全、每層內(nèi)容選擇正確，鉆孔表放置合理。（3）層名命名正確，前綴統(tǒng)一為布線層ART,電源層PWR，地層GND，與《PCB加工工藝要求說明書》保持一致。（4）檢查Drill層：（5）孔符層左上角添加CAD編號(hào)，每層光繪左下角添加各層層標(biāo)。（5）孔符層左上角添加CAD編號(hào)，每層光繪左下角添加各層層標(biāo)。（5）孔符層左上角添加CAD編號(hào)，每層光繪左下角添加各層層標(biāo)。（5）孔符層左上角添加CAD編號(hào)，每層光繪左下角添加各層層標(biāo)。（5）孔符層左上角添加CAD編號(hào)，每層光繪左下角添加各層層標(biāo)。PCB設(shè)計(jì)教程京曉科技給您帶來PCB設(shè)計(jì)布線的技巧。

存儲(chǔ)模塊介紹：存儲(chǔ)器分類在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長(zhǎng)方形，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高，缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號(hào)傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢(shì)，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會(huì)使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。

布局整體思路（1）整板器件布局整齊、緊湊;滿足“信號(hào)流向順暢，布線短”的原則；（2）不同類型的電路模塊分開擺放，相對(duì)、互不干擾；（3）相同模塊采用復(fù)制的方式相同布局；（4）預(yù)留器件扇出、通流能力、走線通道所需空間；（5）器件間距滿足《PCBLayout工藝參數(shù)》的參數(shù)要求；（6）當(dāng)密集擺放時(shí)，小距離需大于《PCBLayout工藝參數(shù)》中的小器件間距要求；當(dāng)與客戶的要求時(shí)，以客戶為準(zhǔn)，并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》。（7）器件擺放完成后，逐條核實(shí)《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》中的布局要求，以確保布局滿足客戶要求。PCB設(shè)計(jì)中PCI-E接口通用設(shè)計(jì)要求有哪些？

 DDR模塊，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”，是在SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來，人們習(xí)慣稱為DDR，DDR本質(zhì)上不需要提高時(shí)鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率，它允許在時(shí)鐘的上升沿和下降沿讀取數(shù)據(jù)，因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡(jiǎn)述1、CK/CK#是DDR的全局時(shí)鐘，DDR的所有命令信號(hào)，地址信號(hào)都是以CK/CK#為時(shí)序參考的。2、CKE為時(shí)鐘使能信號(hào)，與SDRAM不同的是，在進(jìn)行讀寫操作時(shí)CKE要保持為高電平，當(dāng)CKE由高電平變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，器件進(jìn)入斷電模式（所有BANK都沒有時(shí)）或自刷新模式（部分BANK時(shí)），當(dāng)CKE由低電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3、CS#為片選信號(hào)，低電平有效。當(dāng)CS#為高時(shí)器件內(nèi)部的命令解碼將不工作。同時(shí)，CS#也是命令信號(hào)的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號(hào)，低電平有效。這三個(gè)信號(hào)與CS#一起組成了DDR的命令信號(hào)。PCB設(shè)計(jì)中如何評(píng)估平面層數(shù)？PCB設(shè)計(jì)教程

不同存儲(chǔ)容量及不同數(shù)據(jù)寬度的器件有所不同。恩施正規(guī)PCB設(shè)計(jì)多少錢

電氣方面注意事項(xiàng)（1）TVS管、ESD、保險(xiǎn)絲等保護(hù)器件靠近接口放置；（2）熱敏器件遠(yuǎn)離大功率器件布局；（3）高、中、低速器件分區(qū)布局；（4）數(shù)字、模擬器件分區(qū)布局；（5）電源模塊、模擬電路、時(shí)鐘電路、射頻電路、隔離器件布局按器件資料；（6）串聯(lián)電阻靠近源端放置；串聯(lián)電容靠近末端放置；并聯(lián)電阻靠近末端放置；（7）退藕電容靠近芯片的電源管腳；（8）接口電路靠近接口；（9）充分考慮收發(fā)芯片距離，以便走線長(zhǎng)度滿足要求；（10）器件按原理圖擺一起；（11）二極管、LED等極性與原理圖應(yīng)保持一致。恩施正規(guī)PCB設(shè)計(jì)多少錢

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