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來源: 發(fā)布時間:2023-03-06

存儲模塊介紹:存儲器分類在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等,其中DDR系列用的是多的,其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下:DDR采用TSSOP封裝技術(shù),而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大,呈長方形,其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高,缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差,容易受干擾,散熱不理想,而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧,體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一,有效地縮短信號傳輸距離,在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢,而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來增大單顆芯片容量,封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高,從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存,其制造工藝都在不斷改善,更高工藝水平會使內(nèi)存電氣性能更好,成本更低;DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝,而DDR2采用了0.09微米制造工藝,DDR3則采用了全新65nm制造工藝,而DDR4使用20nm以下的工藝來制造,從DDR~DDR4的具體參數(shù)如下表所示。PCB設(shè)計(jì)常用規(guī)則之Gerber參數(shù)設(shè)置。宜昌正規(guī)PCB設(shè)計(jì)報價

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 DDR模塊,DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM,中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”,是在SDRAM的基礎(chǔ)上改進(jìn)而來,人們習(xí)慣稱為DDR,DDR本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率,它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀取數(shù)據(jù),因而其速度是標(biāo)準(zhǔn)SDRAM的兩倍。(1)DDRSDRAM管腳功能說明:圖6-1-5-1為512MDDR(8M×16bit×4Bank)的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡述1、CK/CK#是DDR的全局時鐘,DDR的所有命令信號,地址信號都是以CK/CK#為時序參考的。2、CKE為時鐘使能信號,與SDRAM不同的是,在進(jìn)行讀寫操作時CKE要保持為高電平,當(dāng)CKE由高電平變?yōu)榈碗娖綍r,器件進(jìn)入斷電模式(所有BANK都沒有時)或自刷新模式(部分BANK時),當(dāng)CKE由低電平變?yōu)楦唠娖綍r,器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3、CS#為片選信號,低電平有效。當(dāng)CS#為高時器件內(nèi)部的命令解碼將不工作。同時,CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號,低電平有效。這三個信號與CS#一起組成了DDR的命令信號。隨州PCB設(shè)計(jì)批發(fā)如何解決PCB設(shè)計(jì)中電源電路放置問題?

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PCBLAYOUT規(guī)范PCBLayout整個流程是:網(wǎng)表導(dǎo)入-結(jié)構(gòu)繪制-設(shè)計(jì)規(guī)劃-布局-布線-絲印調(diào)整-Gerber輸出。1.1網(wǎng)表導(dǎo)入網(wǎng)表導(dǎo)入子流程如下:創(chuàng)建PCB文件→設(shè)置庫路徑→導(dǎo)入網(wǎng)表。創(chuàng)建PCB文件(1)建立一個全新PCBLayout文件,并對其命名。(2)命名方式:“項(xiàng)目名稱+日期+版本狀態(tài)”,名稱中字母全部大寫,以日期加上版本狀態(tài)為后綴,用以區(qū)分設(shè)計(jì)文件進(jìn)度。舉例:ABC123_1031A1其中ABC123為項(xiàng)目名稱,1031為日期,A1為版本狀態(tài),客戶有特殊指定要求的除外。(3)改版沿用上一版的PCB文件。設(shè)置庫路徑(1)將封裝庫文件放入LIB文件夾內(nèi)或庫文件內(nèi),由客戶提供的封裝及經(jīng)我司封裝組確認(rèn)的封裝可直接加入LIB文件夾內(nèi)或庫文件內(nèi),未經(jīng)審核的封裝文件,不得放入LIB文件夾內(nèi)或庫文件內(nèi)。(2)對設(shè)計(jì)文件設(shè)置庫路徑,此路徑指向該項(xiàng)目文件夾下的LIB文件夾或庫文件,路徑指向必須之一,禁止設(shè)置多指向路徑。

DDR的PCB布局、布線要求1、DDR數(shù)據(jù)信號線的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),在布局時保證緊湊的布局,即控制器與DDR芯片緊湊布局,需要注意DDR數(shù)據(jù)信號是雙向的,串聯(lián)端接電阻放在中間可以同時兼顧數(shù)據(jù)讀/寫時良好的信號完整性。2、對于DDR信號數(shù)據(jù)信號DQ是參考選通信號DQS的,數(shù)據(jù)信號與選通信號是分組的;如8位數(shù)據(jù)DQ信號+1位數(shù)據(jù)掩碼DM信號+1位數(shù)據(jù)選通DQS信號組成一組,如是32位數(shù)據(jù)信號將分成4組,如是64位數(shù)據(jù)信號將分成8組,每組里面的所有信號在布局布線時要保持拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性和長度上匹配,這樣才能保證良好的信號完整性和時序匹配關(guān)系,要保證過孔數(shù)目相同。數(shù)據(jù)線同組(DQS、DM、DQ[7:0])組內(nèi)等長為20Mil,不同組的等長范圍為200Mil,時鐘線和數(shù)據(jù)線的等長范圍≤1000Mil。3、對于DDR信號,需要注意串?dāng)_的影響,布線時拉開與同層相鄰信號的間距,時鐘線與其它線的間距要保證3W線寬,數(shù)據(jù)線與地址線和控制線的間距要保證3W線寬,數(shù)據(jù)線內(nèi)或地址線和控制線內(nèi)保證2W線寬;如果兩個信號層相鄰,要使相鄰兩層的信號走線正交。PCB設(shè)計(jì)布局中光口的要求有哪些?

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整板扇出(1)對板上已處理的表層線和過孔按照規(guī)則進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。(2)格點(diǎn)優(yōu)先選用25Mil的,其次采用5Mil格點(diǎn),過孔扇出在格點(diǎn)上,相同器件過孔走線采用復(fù)制方式,保證過孔上下左右對齊、常見分立器件的扇出形式(3)8MIL過孔中心間距35MIL以上,10MIL過孔中心間距40MIL以上,以免將平面層隔斷;差分過孔間距一般為30Mil(或過孔邊緣距為8Mil)。(4)芯片電源管腳先過電容再打過孔(5)所有電源/地管腳就近打孔,高速差分過孔附近30-50Mil內(nèi)加回流地孔,模塊內(nèi)通過表層線直連,無法連接的打過孔處理。(6)電源輸出過孔打在輸出濾波電容之后,電源輸入過孔扇出在輸入濾波電容之前,過孔數(shù)目滿足電源載流要求,過孔通流能力參照,地孔數(shù)不少于電源過孔數(shù)。PCB設(shè)計(jì)常用規(guī)則之絲印調(diào)整。襄陽如何PCB設(shè)計(jì)加工

布線優(yōu)化的工藝技巧有哪些?宜昌正規(guī)PCB設(shè)計(jì)報價

射頻、中頻電路(1)射頻電路★基本概念1、射頻:是電磁波按應(yīng)用劃分的定義,專指具有一定波長可用于無線電通信的電磁波,射頻PCB可以定義為具有頻率在30MHz至6GHz范圍模擬信號的PCB。2、微帶線:是一種傳輸線類型。由平行而不相交的帶狀導(dǎo)體和接地平面構(gòu)成。微帶線的結(jié)構(gòu)如下圖中的圖1所示它是由導(dǎo)體條帶(在基片的一邊)和接地板(在基片的另一邊)所構(gòu)成的傳輸線。微帶線是由介質(zhì)基片,接地平板和導(dǎo)體條帶三部分組成。在微帶線中,電磁能量主要是集中在介質(zhì)基片中傳播的,3、屏蔽罩:是無線設(shè)備中普遍采用的屏蔽措施。其工作原理如下:當(dāng)在電磁發(fā)射源和需要保護(hù)的電路之間插入一高導(dǎo)電性金屬時,該金屬會反射和吸收部分輻射電場,反射與吸收的量取決于多種不同的因素,這些因素包括輻射的頻率,波長,金屬本身的導(dǎo)電率和滲透性,以及該金屬與發(fā)射源的距離。4、模塊分腔的必要性:腔體內(nèi)腔器件間或RF信號布線間的典型隔離度約在50-70dB,對某些敏感電路,有強(qiáng)烈輻射源的電路模塊都要采取屏蔽或隔離措施,例如:a.接收電路前端、VCO電路的電源、環(huán)路濾波電路是敏感電路。b.發(fā)射的后級電路、功放的電路、數(shù)字信號處理電路、參考時鐘和晶體振蕩器是強(qiáng)烈的輻射源。宜昌正規(guī)PCB設(shè)計(jì)報價

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