DDR2模塊相對(duì)于DDR內(nèi)存技術(shù)（有時(shí)稱(chēng)為DDRI），DDRII內(nèi)存可進(jìn)行4bit預(yù)讀取。兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的2BIT預(yù)讀取，這就意味著，DDRII擁有兩倍于DDR的預(yù)讀系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力，因此，DDRII則簡(jiǎn)單的獲得兩倍于DDR的完整的數(shù)據(jù)傳輸能力；DDR采用了支持2.5V電壓的SSTL-2電平標(biāo)準(zhǔn)，而DDRII采用了支持1.8V電壓的SSTL-18電平標(biāo)準(zhǔn)；DDR采用的是TSOP封裝，而DDRII采用的是FBGA封裝，相對(duì)于DDR，DDRII不僅獲得的更高的速度和更高的帶寬，而且在低功耗、低發(fā)熱量及電器穩(wěn)定性方面有著更好的表現(xiàn)。DDRII內(nèi)存技術(shù)比較大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于用戶(hù)們所認(rèn)為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDRII可以獲得更快的頻率提升，突破標(biāo)準(zhǔn)DDR的400MHZ限制。PCB布局布線設(shè)計(jì)規(guī)則。咸寧PCB設(shè)計(jì)

ADC/DAC電路：（2）模擬地與數(shù)字地處理：大多數(shù)ADC、DAC往往依據(jù)數(shù)據(jù)手冊(cè)和提供的參考設(shè)計(jì)進(jìn)行地分割處理，通常情況是將PCB地層分為模擬地AGND和數(shù)字地DGND，然后將二者單點(diǎn)連接，（3）模擬電源和數(shù)字電源當(dāng)電源入口只有統(tǒng)一的數(shù)字地和數(shù)字電源時(shí)，在電源入口處通過(guò)將數(shù)字地加磁珠或電感，將數(shù)字地拆分成成模擬地；同樣在電源入口處將數(shù)字電源通過(guò)磁珠或電感拆分成模擬電源。負(fù)載端所有的數(shù)字電源都通過(guò)入口處數(shù)字電源生成、模擬電源都通過(guò)經(jīng)過(guò)磁珠或電感隔離后的模擬電源生成。如果在電源入口處（外部提供的電源）既有模擬地又有數(shù)字地、既有模擬電源又有數(shù)字電源，板子上所有的數(shù)字電源都用入口處的數(shù)字電源生成、模擬電源都用入口處的模擬電源生成。ADC和DAC器件的模擬電源一般采用LDO進(jìn)行供電，因?yàn)槠潆娏餍?、紋波小，而DC/DC會(huì)引入較大開(kāi)關(guān)電源噪聲，嚴(yán)重影響ADC/DAC器件性能，因此，模擬電路應(yīng)該采用LDO進(jìn)行供電。黃岡設(shè)計(jì)PCB設(shè)計(jì)包括哪些PCB設(shè)計(jì)布局中光口的要求有哪些？

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項(xiàng)1、在同一個(gè)屏蔽腔體內(nèi)，布局時(shí)應(yīng)該按RF主信號(hào)流一字布局，由于空間限制，如果在同一個(gè)屏蔽腔內(nèi)，RF主信號(hào)的元器件不能采用一字布局時(shí)，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對(duì)U形布局的輸出與輸入間的隔離度要做仔細(xì)分析，確保不會(huì)出問(wèn)題。2、相同單元的布局要保證完全相同，例如TRX有多個(gè)接收通道和發(fā)射通道。3、布局時(shí)就要考慮RF主信號(hào)走向，和器件間的相互耦合作用。4、感性器件應(yīng)防止互感，與鄰近的電感垂直放置中的電感布局。5、把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔離開(kāi)來(lái)，簡(jiǎn)單地說(shuō)，就是讓高功率RF發(fā)射電路遠(yuǎn)離低功率RF接收電路，或者讓它們交替工作，而不是同時(shí)工作，高功率電路有時(shí)還可包括RF緩沖器和壓控制振蕩器(VCO)。6、確保PCB板上高功率區(qū)至少有一整塊地，且沒(méi)有過(guò)孔，銅皮面積越大越好。7、RF輸出要遠(yuǎn)離RF輸入，或者采取屏蔽隔離措施，防止輸出信號(hào)串到輸入端。8、敏感的模擬信號(hào)應(yīng)該遠(yuǎn)離高速數(shù)字信號(hào)和RF信號(hào)。

ADC/DAC電路：（4）隔離處理：隔離腔體應(yīng)做開(kāi)窗處理、方便焊接屏蔽殼，在屏蔽腔體上設(shè)計(jì)兩排開(kāi)窗過(guò)孔屏蔽，過(guò)孔應(yīng)相互錯(cuò)開(kāi)，同排過(guò)孔間距為150Mil。，在腔體的拐角處應(yīng)設(shè)計(jì)3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼，隔離腔體內(nèi)的器件與屏蔽殼的間距＞0.5mm。如圖6-1-2-4所示。腔體的周邊為密封的，接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結(jié)構(gòu)；而腔體內(nèi)部不同模塊之間可以采用微帶線的結(jié)構(gòu)，這樣內(nèi)部的屏蔽腔采用開(kāi)槽處理，開(kāi)槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。（5）布線原則1、首先參考射頻信號(hào)的處理原則。2、嚴(yán)格按照原理圖的順序進(jìn)行ADC和DAC前端電路布線。3、空間允許的情況下，模擬信號(hào)采用包地處理，包地要間隔≥200Mil打地過(guò)孔4、ADC和DAC電源管腳比較好經(jīng)過(guò)電容再到電源管腳，線寬≥20Mil，對(duì)于管腳比較細(xì)的器件，出線寬度與管腳寬度一致。5、模擬信號(hào)優(yōu)先采用器件面直接走線，線寬≥10Mil，對(duì)50歐姆單端線、100歐姆差分信號(hào)要采用隔層參考，在保證阻抗的同時(shí)，以降低模擬輸入信號(hào)的衰減損耗，6、不同ADC/DAC器件的采樣時(shí)鐘彼此之間需要做等長(zhǎng)處理。7、當(dāng)信號(hào)線必須要跨分割時(shí)，跨接點(diǎn)選擇在跨接磁珠（或者0歐姆電阻）處。晶振電路的布局布線要求。

DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設(shè)計(jì)到DRAM芯片內(nèi)部，用來(lái)改善信號(hào)品質(zhì)，這使得DDRII的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)較DDR簡(jiǎn)單，布局布線也相對(duì)較容易一些。說(shuō)明：ODT（On-Die Termination）即芯片內(nèi)部匹配終結(jié)，可以節(jié)省PCB面積，另一方面因?yàn)閿?shù)據(jù)線的串聯(lián)電阻位置很難兼顧讀寫(xiě)兩個(gè)方向的要求。而在DDR2芯片提供一個(gè)ODT引腳來(lái)控制芯片內(nèi)部終結(jié)電阻的開(kāi)關(guān)狀態(tài)。寫(xiě)操作時(shí)，DDR2作為接收端，ODT引腳為高電平打開(kāi)芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻，讀操作時(shí)，DDR2作為發(fā)送端，ODT引腳為低電平關(guān)閉芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻。ODT允許配置的阻值包括關(guān)閉、75Ω、150Ω、50Ω四種模式。ODT功能只針對(duì)DQ\DM\DQS等信號(hào)，而地址和控制仍然需要外部端接電阻。PCB設(shè)計(jì)中常用的電源電路有哪些？荊門(mén)專(zhuān)業(yè)PCB設(shè)計(jì)規(guī)范

PCB設(shè)計(jì)布局的整體思路是什么？咸寧PCB設(shè)計(jì)

等長(zhǎng)線處理等長(zhǎng)線處理的步驟：檢查規(guī)則設(shè)置→確定組內(nèi)長(zhǎng)線段→等長(zhǎng)線處理→鎖定等長(zhǎng)線。（1）檢查組內(nèi)等長(zhǎng)規(guī)則設(shè)置并確定組內(nèi)基準(zhǔn)線并鎖定。（2）單端蛇形線同網(wǎng)絡(luò)走線間距S≥3W，差分對(duì)蛇形線同網(wǎng)絡(luò)走線間距≥20Mil。（3）差分線對(duì)內(nèi)等長(zhǎng)優(yōu)先在不匹配端做補(bǔ)償，其次在中間小凸起處理，且凸起高度＜1倍差分對(duì)內(nèi)間距，長(zhǎng)度＞3倍差分線寬，（4）差分線對(duì)內(nèi)≤3.125G等長(zhǎng)誤差≤5mil，＞3.125G等長(zhǎng)誤差≤2mil。（5）DDR同組等長(zhǎng)：DATA≤800M按±25mil，DATA＞800M按±5mil；ADDR按±100mil；DDR2的DQS和CLK按±500mil；QDR按±25mil；客戶(hù)有要求或者芯片有特殊要求時(shí)按特殊要求。（6）優(yōu)先在BGA區(qū)域之外做等長(zhǎng)線處理。（7）有源端匹配的走線必須在靠近接收端一側(cè)B段做等長(zhǎng)處理，（8）有末端匹配的走線在A段做等長(zhǎng)線處理，禁止在分支B段做等長(zhǎng)處理（9） T型拓?fù)渥呔€，優(yōu)先在主干走線A段做等長(zhǎng)處理，同網(wǎng)絡(luò)分支走線B或C段長(zhǎng)度＜主干線A段長(zhǎng)度,且分支走線長(zhǎng)度B、C段誤差≤10Mil，（10） Fly-By型拓?fù)渥呔€，優(yōu)先在主干走線A段做等長(zhǎng)處理，分支線B、C、D、E段長(zhǎng)度＜500Mil咸寧PCB設(shè)計(jì)

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