存儲模塊介紹：存儲器分類在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長方形，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高，缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。制造工藝不斷提高，從DDR到DDR2再到DDR3內(nèi)存，其制造工藝都在不斷改善，更高工藝水平會使內(nèi)存電氣性能更好，成本更低；DDR內(nèi)存顆粒大范圍采用0.13微米制造工藝，而DDR2采用了0.09微米制造工藝，DDR3則采用了全新65nm制造工藝，而DDR4使用20nm以下的工藝來制造，從DDR～DDR4的具體參數(shù)如下表所示。LDO外圍電路布局要求是什么？武漢常規(guī)PCB設(shè)計(jì)

DDR的PCB布局、布線要求1、DDR數(shù)據(jù)信號線的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在布局時保證緊湊的布局，即控制器與DDR芯片緊湊布局，需要注意DDR數(shù)據(jù)信號是雙向的，串聯(lián)端接電阻放在中間可以同時兼顧數(shù)據(jù)讀/寫時良好的信號完整性。2、對于DDR信號數(shù)據(jù)信號DQ是參考選通信號DQS的，數(shù)據(jù)信號與選通信號是分組的；如8位數(shù)據(jù)DQ信號+1位數(shù)據(jù)掩碼DM信號+1位數(shù)據(jù)選通DQS信號組成一組，如是32位數(shù)據(jù)信號將分成4組，如是64位數(shù)據(jù)信號將分成8組，每組里面的所有信號在布局布線時要保持拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性和長度上匹配，這樣才能保證良好的信號完整性和時序匹配關(guān)系，要保證過孔數(shù)目相同。數(shù)據(jù)線同組（DQS、DM、DQ[7:0]）組內(nèi)等長為20Mil，不同組的等長范圍為200Mil，時鐘線和數(shù)據(jù)線的等長范圍≤1000Mil。3、對于DDR信號，需要注意串?dāng)_的影響，布線時拉開與同層相鄰信號的間距，時鐘線與其它線的間距要保證3W線寬，數(shù)據(jù)線與地址線和控制線的間距要保證3W線寬，數(shù)據(jù)線內(nèi)或地址線和控制線內(nèi)保證2W線寬；如果兩個信號層相鄰，要使相鄰兩層的信號走線正交。十堰了解PCB設(shè)計(jì)包括哪些京曉科技教您如何設(shè)計(jì)PCB。

評估平面層數(shù)，電源平面數(shù)的評估：分析單板電源總數(shù)與分布情況，優(yōu)先關(guān)注分布范圍大，及電流大于1A以上的電源(如:+5V，+3.3V此類整板電源、FPGA/DSP的核電源、DDR電源等）。通常情況下：如果板內(nèi)無BGA封裝的芯片，一般可以用一個電源層處理所有的電源；如果有BGA封裝的芯片，主要以BGA封裝芯片為評估對象，如果BGA內(nèi)的電源種類數(shù)≤3種，用一個電源平面，如果＞3種，則使用2個電源平面，如果＞6則使用3個電源平面，以此類推。備注：1、對于電流＜1A的電源可以采用走線層鋪銅的方式處理。2、對于電流較大且分布較集中或者空間充足的情況下采用信號層鋪銅的方式處理。地平面層數(shù)的評估：在確定了走線層數(shù)和電源層數(shù)的基礎(chǔ)上，滿足以下疊層原則：1、疊層對稱性2、阻抗連續(xù)性3、主元件面相鄰層為地層4、電源和地平面緊耦合（3）層疊評估:結(jié)合評估出的走線層數(shù)和平面層數(shù)，高速線優(yōu)先靠近地層的原則，進(jìn)行層疊排布。

設(shè)計(jì)規(guī)劃設(shè)計(jì)規(guī)劃子流程：梳理功能要求→確認(rèn)設(shè)計(jì)要求→梳理設(shè)計(jì)要求。梳理功能要求（1）逐頁瀏覽原理圖，熟悉項(xiàng)目類型。項(xiàng)目類型可分為：數(shù)字板、模擬板、數(shù)?；旌习濉⑸漕l板、射頻數(shù)?；旌习?、功率電源板、背板等，依據(jù)項(xiàng)目類型逐頁查看原理圖梳理五大功能模塊：輸入模塊、輸出模塊、電源模塊、信號處理模塊、時鐘及復(fù)位模塊。（2）器件認(rèn)定：在單板設(shè)計(jì)中，承擔(dān)信號處理功能器件，或因體積較大，直接影響布局布線的器件。如：FPGA，DSP，A/D芯片，D/A芯片，恒溫晶振，時鐘芯片，大體積電源芯片。確認(rèn)設(shè)計(jì)要求（1）客戶按照《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》表格模板，規(guī)范填寫，信息無遺漏；可以協(xié)助客戶梳理《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》表格，經(jīng)客戶確認(rèn)后，則直接采納。（2）整理出正確、完整的信號功能框圖。（3）按照《PCB Layout業(yè)務(wù)資料及要求》表格確認(rèn)整版電源，及各路分支的電源功耗情況，根據(jù)電源流向和電流大小，列出電流樹狀圖，經(jīng)客戶確認(rèn)后，予以采納。屏蔽腔的設(shè)計(jì)具體步驟流程。

添加特殊字符（1）靠近器件管腳擺放網(wǎng)絡(luò)名，擺放要求同器件字符，（2）板名、版本絲?。悍胖迷赑CB的元件面，水平放置，比元件位號絲印大（常規(guī)絲印字符寬度10Mil，高度80Mil）；扣板正反面都需要有板名絲印，方便識別。添加特殊絲?。?）條碼：條碼位置應(yīng)靠近PCB板名版本號，且長邊必須與傳送方向平行，區(qū)域內(nèi)不能有焊盤直徑大于0.5mm的導(dǎo)通孔，如有導(dǎo)通孔則必須用綠油覆蓋。條碼位置必須符合以下要求，否則無法噴碼或貼標(biāo)簽。1、預(yù)留區(qū)域?yàn)橥繚M油墨的絲印區(qū)。2、尺寸為22.5mmX6.5mm。3、絲印區(qū)外20mm范圍內(nèi)不能有高度超過25mm的元器件。2）其他絲印：所有射頻PCB建議添加標(biāo)準(zhǔn)“RF”的絲印字樣。對于過波峰焊的過板方向有明確規(guī)定的PCB,如設(shè)計(jì)了偷錫焊盤、淚滴焊盤或器件焊接方向，需要用絲印標(biāo)示出過板方向。如果有扣板散熱器，要用絲印將扣板散熱器的輪廓按真實(shí)大小標(biāo)示出來。放靜電標(biāo)記的優(yōu)先位置是PCB的元件面，采用標(biāo)準(zhǔn)的封裝庫。在板名旁留出生產(chǎn)序列號的空間，字體格式、大小由客戶確認(rèn)。京曉科技帶您梳理PCB設(shè)計(jì)中的各功能要求。孝感打造PCB設(shè)計(jì)批發(fā)

PCB設(shè)計(jì)中FPGA管腳的交換注意事項(xiàng)。武漢常規(guī)PCB設(shè)計(jì)

SDRAM各管腳功能說明：1、CLK是由系統(tǒng)時鐘驅(qū)動的，SDRAM所有的輸入信號都是在CLK的上升沿采樣，CLK還用于觸發(fā)內(nèi)部計(jì)數(shù)器和輸出寄存器；2、CKE為時鐘使能信號，高電平時時鐘有效，低電平時時鐘無效，CKE為低電平時SDRAM處于預(yù)充電斷電模式和自刷新模式。此時包括CLK在內(nèi)的所有輸入Buffer都被禁用，以降低功耗，CKE可以直接接高電平。3、CS#為片選信號，低電平有效，當(dāng)CS#為高時器件內(nèi)部所有的命令信號都被屏蔽，同時，CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號，低電平有效，這三個信號與CS#一起組合定義輸入的命令。5、DQML，DQMU為數(shù)據(jù)掩碼信號。寫數(shù)據(jù)時，當(dāng)DQM為高電平時對應(yīng)的寫入數(shù)據(jù)無效，DQML與DQMU分別對應(yīng)于數(shù)據(jù)信號的低8位與高8位。6、A<0..12>為地址總線信號，在讀寫命令時行列地址都由該總線輸入。7、BA0、BA1為BANK地址信號，用以確定當(dāng)前的命令操作對哪一個BANK有效。8、DQ<0..15>為數(shù)據(jù)總線信號，讀寫操作時的數(shù)據(jù)信號通過該總線輸出或輸入。武漢常規(guī)PCB設(shè)計(jì)

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