DDR模塊，DDRSDRAM全稱為DoubleDataRateSDRAM，中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”，是在SDRAM的基礎(chǔ)上改進而來，人們習(xí)慣稱為DDR，DDR本質(zhì)上不需要提高時鐘頻率就能加倍提高SDRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率，它允許在時鐘的上升沿和下降沿讀取數(shù)據(jù)，因而其速度是標準SDRAM的兩倍。（1）DDRSDRAM管腳功能說明：圖6-1-5-1為512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封裝圖和各引腳及功能簡述1、CK/CK#是DDR的全局時鐘，DDR的所有命令信號，地址信號都是以CK/CK#為時序參考的。2、CKE為時鐘使能信號，與SDRAM不同的是，在進行讀寫操作時CKE要保持為高電平，當CKE由高電平變?yōu)榈碗娖綍r，器件進入斷電模式（所有BANK都沒有時）或自刷新模式（部分BANK時），當CKE由低電平變?yōu)楦唠娖綍r，器件從斷電模式或自刷新模式中退出。3、CS#為片選信號，低電平有效。當CS#為高時器件內(nèi)部的命令解碼將不工作。同時，CS#也是命令信號的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分別為行選擇、列選擇、寫使能信號，低電平有效。這三個信號與CS#一起組成了DDR的命令信號。PCB設(shè)計中常用的電源電路有哪些？咸寧設(shè)計PCB設(shè)計原理

布線，PCBLAYOUT在此階段的所有布線必須符合《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》、《PCBLayout工藝參數(shù)》、《PCB加工工藝要求說明書》對整板布線約束的要求。同時也應(yīng)該符合客戶對過孔工藝、小線寬線距等的特殊要求，無法滿足時需和客戶客戶溝通并記錄到《設(shè)計中心溝通記錄》郵件通知客戶確認。布線的流程步驟如下：關(guān)鍵信號布線→整板布線→ICT測試點添加→電源、地處理→等長線處理→布線優(yōu)化，關(guān)鍵信號布線關(guān)鍵信號布線的順序：射頻信號→中頻、低頻信號→時鐘信號→高速信號。關(guān)鍵信號的布線應(yīng)該遵循如下基本原則：★優(yōu)先選擇參考平面是地平面的信號層走線?！镆勒詹季智闆r短布線?！镒呔€間距單端線必須滿足3W以上，差分線對間距必須滿足20Mil以上黃岡高效PCB設(shè)計規(guī)范PCB布局設(shè)計中布線的設(shè)計技巧。

模塊劃分（1）布局格點設(shè)置為50Mil。（2）以主芯片為中心的劃分準則,把該芯片相關(guān)阻容等分立器件放在同一模塊中。（3）原理圖中單獨出現(xiàn)的分立器件，要放到對應(yīng)芯片的模塊中，無法確認的，需要與客戶溝通,然后再放到對應(yīng)的模塊中。（4）接口電路如有結(jié)構(gòu)要求按結(jié)構(gòu)要求，無結(jié)構(gòu)要求則一般放置板邊。主芯片放置并扇出（1）設(shè)置默認線寬、間距和過孔：線寬：表層設(shè)置為5Mil；間距：通用線到線5Mil、線到孔（外焊盤）5Mil、線到焊盤5Mil、線到銅5Mil、孔到焊盤5Mil、孔到銅5Mil；過孔：選擇VIA8_F、VIA10_F、VIA10等；（2）格點設(shè)置為25Mil，將芯片按照中心抓取放在格點上。（3）BGA封裝的主芯片可以通過軟件自動扇孔完成。（4）主芯片需調(diào)整芯片的位置，使扇出過孔在格點上，且過孔靠近管腳，孔間距50Mil，電源/地孔使用靠近芯片的一排孔，然后用表層線直接連接起來。

PCBLAYOUT規(guī)范PCBLayout整個流程是：網(wǎng)表導(dǎo)入-結(jié)構(gòu)繪制-設(shè)計規(guī)劃-布局-布線-絲印調(diào)整-Gerber輸出。1.1網(wǎng)表導(dǎo)入網(wǎng)表導(dǎo)入子流程如下：創(chuàng)建PCB文件→設(shè)置庫路徑→導(dǎo)入網(wǎng)表。創(chuàng)建PCB文件（1）建立一個全新PCBLayout文件，并對其命名。（2）命名方式：“項目名稱+日期+版本狀態(tài)”，名稱中字母全部大寫，以日期加上版本狀態(tài)為后綴，用以區(qū)分設(shè)計文件進度。舉例：ABC123_1031A1其中ABC123為項目名稱，1031為日期，A1為版本狀態(tài)，客戶有特殊指定要求的除外。（3）改版沿用上一版的PCB文件。設(shè)置庫路徑（1）將封裝庫文件放入LIB文件夾內(nèi)或庫文件內(nèi)，由客戶提供的封裝及經(jīng)我司封裝組確認的封裝可直接加入LIB文件夾內(nèi)或庫文件內(nèi)，未經(jīng)審核的封裝文件，不得放入LIB文件夾內(nèi)或庫文件內(nèi)。（2）對設(shè)計文件設(shè)置庫路徑，此路徑指向該項目文件夾下的LIB文件夾或庫文件，路徑指向必須之一，禁止設(shè)置多指向路徑。京曉科技給您分享屏蔽罩設(shè)計的具體實例。

ICT測試點添加ICT測試點添加注意事項：（1）測試點焊盤≥32mil；（2）測試點距離板邊緣≥3mm；（3）相鄰測試點的中心間距≥60Mil。（4）測試點邊緣距離非Chip器件本體邊緣≥20mil，Chip器件焊盤邊緣≥10mil，其它導(dǎo)體邊緣≥12mil。（5）整板必須有3個孔徑≥2mm的非金屬化定位孔，且在板子的對角線上非對稱放置。（6）優(yōu)先在焊接面添加ICT測試點，正面添加ICT測試點需經(jīng)客戶確認。（7）電源、地網(wǎng)絡(luò)添加ICT測試點至少3個以上且均勻放置。（8）優(yōu)先采用表貼焊盤測試點，其次采用通孔測試點，禁止直接將器件通孔管腳作為測試點使用。（9）優(yōu)先在信號線上直接添加測試點或者用扇出的過孔作為測試點，采用Stub方式添加ICT測試點時，Stub走線長不超過150Mil。（10）2.5Ghz以上的高速信號網(wǎng)絡(luò)禁止添加測試點。（11）測試點禁止在器件、散熱片、加固件、拉手條、接插件、壓接件、條形碼、標簽等正下方，以防止被器件或物件覆蓋。（12）差分信號增加測試點，必須對稱添加，即同時在差分線對的兩個網(wǎng)絡(luò)的同一個地方對稱加測試點PCB設(shè)計中FPGA管腳的交換注意事項。高效PCB設(shè)計原理

晶振電路的布局布線要求。咸寧設(shè)計PCB設(shè)計原理

DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設(shè)計到DRAM芯片內(nèi)部，用來改善信號品質(zhì)，這使得DDRII的拓撲結(jié)構(gòu)較DDR簡單，布局布線也相對較容易一些。說明：ODT（On-Die Termination）即芯片內(nèi)部匹配終結(jié)，可以節(jié)省PCB面積，另一方面因為數(shù)據(jù)線的串聯(lián)電阻位置很難兼顧讀寫兩個方向的要求。而在DDR2芯片提供一個ODT引腳來控制芯片內(nèi)部終結(jié)電阻的開關(guān)狀態(tài)。寫操作時，DDR2作為接收端，ODT引腳為高電平打開芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻，讀操作時，DDR2作為發(fā)送端，ODT引腳為低電平關(guān)閉芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻。ODT允許配置的阻值包括關(guān)閉、75Ω、150Ω、50Ω四種模式。ODT功能只針對DQ\DM\DQS等信號，而地址和控制仍然需要外部端接電阻。咸寧設(shè)計PCB設(shè)計原理

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