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泰州工業(yè)光伏電站技改

來源: 發(fā)布時間:2024-04-08

技術路線TOPCon電池的**工序存在多條技術路線。TOPCon電池的制備工序包括清洗制絨、正面硼擴散、刻蝕去硼硅玻璃(BSG)和背結、氧化層鈍化接觸制備、正面氧化鋁/氮化硅沉積、背面氮化硅沉積、絲網印刷、燒結和測試。其中,氧化層鈍化接觸制備為TOPCon在PERC的基礎上增加的工序,也是TOPCon的**工序,目前主要有4種技術路線:①LPCVD本征+磷擴:利用LPCVD設備生長氧化硅層并沉積多晶硅,再利用擴散爐在多晶硅中摻入磷制成PN結,形成鈍化接觸結構后進行刻蝕。LPCVD+磷擴目前行業(yè)占比66.3%,設備成熟度高但存在繞鍍問題。②LPCVD離子注入:利用LPCVD設備制備鈍化接觸結構,再通過離子注入機精細控制磷在多晶硅中的分布實現摻雜,隨后進行退火處理,***進行刻蝕。③PECVD原位摻雜:利用PECVD設備制備隧穿氧化層并對多晶硅進行原位摻雜。PECVD路線目前行業(yè)占比約為20.7%,PECVD優(yōu)勢在于繞鍍問題小,單臺產能大。同時PECVD也可結合PEALD達到較好均勻性和致密性的氧化硅層。④PVD原位摻雜:利用PVD設備,在真空條件下采用濺射鍍膜,使材料沉積在襯底表面。行業(yè)占比約13%。定期巡檢,及時維護,光伏電站運維工作不容忽視。泰州工業(yè)光伏電站技改

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農耕環(huán)境在農業(yè)中,尤其是在使用重型機械時,灰塵和污垢會通過空氣產生和運輸,并沉積在太陽能電池板上。同時,牲畜養(yǎng)殖場使用化學品和排放煙霧會造成光伏組件的大規(guī)模和頑固污染。工業(yè)環(huán)境工業(yè)環(huán)境對光伏發(fā)電廠的負面影響通常低于農業(yè)環(huán)境。然而,即使在這種情況下,也可能發(fā)生細粉塵和煙塵的污染,這在缺乏適當維護措施的情況下會***降低產量。干旱地區(qū)和低降雨量時期雨雪有助于***太陽能電池板上的污垢。在降雨量較低的地區(qū)或干旱時期,這種自動清潔效果不可避免地降低,污垢在模塊上堆積得更快。然而,重要的是要指出的是,降雨本身并不足以確保光伏系統的長期清潔。湖北戶用光伏電站技改靜態(tài)無功補償是根據負載情況安裝固定容量的補償電容或補償電感。

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組件清掃維護清掃條件:光伏方陣輸出低于初始狀態(tài)(上一次清洗結束時)輸出的85%。

清洗標準:組件清洗后,表面無肉眼可見的油污、斑點及附著物,用白手套或白紗布擦拭組件表面,無灰塵覆蓋現象。1.組件清洗條件光伏發(fā)電系統的光伏組件清洗工作應選擇在清晨、傍晚、夜間或陰雨天(輻照度低于200W/㎡的情況下)進行,嚴禁選擇中午前后或陽光比較強烈的時段進行清洗工作。在早晚清洗時,也要選擇在陽光暗弱的時間段內進行。2.組件清洗方法組件清洗方法可分為常規(guī)清洗及雨天清洗,其中常規(guī)清洗包含普通清掃和沖洗清潔。

微型逆變器在傳統的PV系統中,每一路組串型逆變器的直流輸入端,會由10塊左右光伏電池板串聯接入。當10塊串聯的電池板中,若有一塊不能良好工作,則這一串都會受到影響。若逆變器多路輸入使用同一個MPPT,那么各路輸入也都會受到影響,大幅降低發(fā)電效率。在實際應用中,云彩,樹木,煙囪,動物,灰塵,冰雪等各種遮擋因素都會引起上述因素,情況非常普遍。而在微型逆變器的PV系統中,每一塊電池板分別接入一臺微型逆變器,當電池板中有一塊不能良好工作,則只有這一塊都會受到影響。其他光伏板都將在比較好工作狀態(tài)運行,使得系統總體效率更高,發(fā)電量更大。在實際應用中,若組串型逆變器出現故障,則會引起幾千瓦的電池板不能發(fā)揮作用,而微型逆變器故障造成的影響相當之小。動態(tài)補償是根據負載的感性或容性變化隨時的切換補償電容容量或電感量進行補償。

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逆變器廣泛應用于空調、家庭影院、電動砂輪、電動工具、縫紉機、DVD、VCD、電腦、電視、洗衣機、抽油煙機、冰箱,錄像機、按摩器、風扇、照明等。在國外因汽車的普及率較高外出工作或外出旅游即可用逆變器連接蓄電池帶動電器及各種工具工作。把家用電器連接到電源轉換器的輸出端就能在汽車內使用各種電器??墒褂玫碾娖饔校菏謾C、筆記本電腦、數碼攝像機、照像機、照明燈、電動剃須刀、CD 機、游戲機、掌上電腦、電動工具、車載冰箱及各種旅游、野營、醫(yī)療急救電器等。儲能系統所使用的能量型電池與功率型電池是有所區(qū)別的?;窗驳孛婀夥娬就顿Y

逆變器中逆變效率直接關系到系統效率,如果逆變器逆變效率過低,將嚴重導致系統效率下降。泰州工業(yè)光伏電站技改

太陽能電池是利用半導體材料的光電效應,將太陽能轉換成電能的裝置。光生伏***應的基本過程:假設光線照射在太陽能電池上并且光在界面層被接納,具有足夠能量的光子可以在P型硅和N型硅中將電子從共價鍵中激起,致使產生電子-空穴對。界面層臨近的電子和空穴在復合之前,將經由空間電荷的電場作用被相互分別。電子向帶正電的N區(qū)而空穴向帶負電的P區(qū)運動。經由界面層的電荷分別,將在P區(qū)和N區(qū)之間形成一個向外的可測試的電壓。此時可在硅片的兩邊加上電極并接入電壓表。對晶體硅太陽能電池來說,開路電壓的典型數值為0.5~0.6V。經由光照在界面層產生的電子-空穴對越多,電流越大。界面層接納的光能越多,界面層即電池面積越大,在太陽能電池中形成的電流也越大。泰州工業(yè)光伏電站技改