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SiC有多種同質多型體，不同的同質多型體有不同的應用范圍。典型的有3C-SiC、4H-SiC和6H-SiC，它們各有不同的應用范圍。其中，3C-SiC是***具有閃鋅礦結構的同質多型體，其電子遷移率比較高，再加上有高熱導率和高臨界擊穿電場，非常適合于制造高溫大功率的高速器件；6H-SiC具有寬的帶隙，在高溫電子、光電子和抗輻射電子等方面有使用價值，使用6H-SiC制造的高頻大功率器件，工作溫度高，功率密度有極大的提升；而4H-SiC具有比6H-SiC更寬的帶隙和較高的電子遷移率，是大功率器件材料的比較好選擇。由于SiC器件在**和民用領域不可替代的地位，世界上很多國家對SiC半導體...

相同規(guī)格的碳化硅基MOSFET與硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅減小至原來的1/10，導通電阻可至少降低至原來的1/100。相同規(guī)格的碳化硅基MOSFET較硅基IGBT的總能量損耗可降低70%。碳化硅功率器件具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨特優(yōu)勢，將極大提高現(xiàn)有使用硅基功率器件的能源轉換效率，未來將主要應用領域有電動汽車/充電樁、光伏新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)等。市場空間：據(jù) Yole 統(tǒng)計，2020 年 SiC 碳化硅功率器件市場規(guī)模約 7.1 億美元，預計 2026 年將增長至 45 億美元，2020-2026 年 CAGR 近 36%。其中，新能源汽車是 SiC 功率器件下...

從 80 年代末起，SiC 材料與器件的飛速發(fā)展。由于 SiC 材料種類很多，性質各異，它的應用范圍十分***。 在大功率器件方面，利用 SiC 材料可以制作的器件，其電流特性、電壓特性、和高頻特性等具有比 Si材料更好的性質。 在高頻器件方面，SiC 高頻器件輸出功率更高，且耐高溫和耐輻射輻射特性更好，可用于通信電子系統(tǒng)等。 在光電器件方面，利用 SiC 不影響紅外輻射的性質，可將其用在紫外探測器上，在 350℃的溫度檢測紅外背景下的紫外信號，功率利用率 80%左右。 在耐輻射方面，一些 SiC 器件輻射環(huán)境惡劣的條件下使用如核反應堆中應用。 高溫應用方面，利用 SiC 材料制備的器...

碳化硅是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，它與氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AlN）、氧化鎵（Ga2O3）等，因禁帶寬度大于，在國內也稱為第三代半導體材料。目前，以氮化鎵、碳化硅為的第三代半導體材料及相關器件芯片已成為全球高技術領域競爭戰(zhàn)略制高爭奪點。而對于碳化硅和氮化鎵這兩種芯片，如果想很大程度利用其材料本身的特性，較為理想的方案便是在碳化硅單晶襯底上生長外延層。在碳化硅上長同質外延很好理解，憑借著禁帶寬度大、擊穿電場高、飽和電子漂移速度高、熱導率大等優(yōu)勢，碳化硅特別適于制造耐高溫、耐高壓，耐大電流的高頻大功率的器件，因此在電動汽車、電源、、航天等領域很被看好。 蘇州質量好...

為何半絕緣型與導電型碳化硅襯底技術壁壘都比較高？PVT方法中SiC粉料純度對晶片質量具有較大影響。粉料中一般含有極微量的氮（N），硼（B）、鋁（Al）、鐵（Fe）等雜質，其中氮是n型摻雜劑，在碳化硅中產(chǎn)生游離的電子，硼、鋁是p型摻雜劑，產(chǎn)生游離的空穴。為了制備n型導電碳化硅晶片，在生長時需要通入氮氣，讓它產(chǎn)生的一部分電子中和掉硼、鋁產(chǎn)生的空穴（即補償），另外的游離電子使碳化硅表現(xiàn)為n型導電。為了制備高阻不導電的碳化硅（半絕緣型），在生長時需要加入釩（V）雜質，釩既可以產(chǎn)生電子，也可以產(chǎn)生空穴，讓它產(chǎn)生的電子中和掉硼、鋁產(chǎn)生的空穴（即補償），它產(chǎn)生的空穴中和掉氮產(chǎn)生的電子，所以所生長...

從襯底的下游晶圓與器件來看，大量生產(chǎn)廠家仍然位于日本、歐洲與美國；但國內生產(chǎn)廠家在襯底領域已經(jīng)擁有了一定的市場份額。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，在2020年半絕緣型碳化硅襯底市場中，貳陸公司（II-IV）、科銳公司（Cree）以及天岳先進依次占據(jù)甲的位置，市場份額分別為35%、33%和30%，市場高度集中。從資金來看，國內第三代半導體投資力度高企，力爭追趕國際廠商。根據(jù)CASA披露的數(shù)據(jù)顯示，2018年至今，國內廠商始終加強布局第三代半導體產(chǎn)業(yè)，2020年共有24筆投資擴產(chǎn)項目，增產(chǎn)投資金額超過694億元，其中碳化硅領域共17筆、投資550億元。碳化硅襯底的的整體大概費用是多少？河南進口6寸半絕緣碳化硅...

因此，對于牽引逆變器，從IGBT轉移到SiCMOSFET是有意義的。但這并不是那么簡單，因為成本在等式中起著重要作用。然而，特斯拉已經(jīng)采取了冒險行動。該公司在其型號3中使用了意法半導體公司的SiCMOSFET，并補充說特斯拉也在使用其他供應商。其他汽車制造商也在探索這項技術，盡管出于成本考慮，大多數(shù)原始設備制造商并未加入這一行列。不過，有幾種方法可以實現(xiàn)從IGBT到SiCMOSFET的切換。根據(jù)Rohm的說法，有兩種選擇：?將IGBT保留在系統(tǒng)中，但將硅二極管更換為SiC二極管。?用SiC基MOSFET和二極管替換硅基IGBT和二極管。蘇州哪家公司的碳化硅襯底的價格比較劃算？鄭州碳化硅襯底si...

新能源汽車是碳化硅功率器件市場的主要增長驅動。SiC功率器件主要應用于新能源車逆變器、DC/DC轉換器、電機驅動器和車載充電器(OBC)等電控領域，以完成較Si更高效的電能轉換。預計隨著新能源車需求快速爆發(fā)，以及SiC襯底工藝成熟、帶來產(chǎn)業(yè)鏈降本增效，產(chǎn)業(yè)化進程有望提速。1)應用端：解決電動車續(xù)航痛點。據(jù)Wolfspeed測算，將純電動汽車逆變器中的功率組件改成SiC時,可降低電力電子系統(tǒng)的體積、重量和成本，提升車輛5%-10%的續(xù)航。據(jù)英飛凌測算，SiC器件整體損耗相比Si基器件降低80%以上，導通及開關損耗減小，有助于增加電動車續(xù)航里程。蘇州哪家公司的碳化硅襯底的價格比較劃算？進口碳化硅襯...

SiC由Si原子和C原子組成，其晶體結構具有同質多型體的特點，在半導體領域常見的是具有立方閃鋅礦結構的3C-SiC和六方纖鋅礦結構的4H-SiC和6H-SiC。21世紀以來以Si為基本材料的微電子機械系統(tǒng)(MEMS)已有長足的發(fā)展，隨著MEMS應用領域的不斷擴展，Si材料本身的性能局限性制約了Si基MEMS在高溫、高頻、強輻射及化學腐蝕等極端條件下的應用。因此尋找Si的新型替代材料正日益受到重視。在眾多半導體材料中，SiC的機械強度、熱學性能、抗腐蝕性、耐磨性等方面具有明顯的優(yōu)勢，且與IC工藝兼容，故而在極端條件的MEMS應用中，成為Si的優(yōu)先替代材料。蘇州哪家公司的碳化硅襯底的價格比較劃算？...

隨著電力電子變換系統(tǒng)對于效率和體積提出更高的要求，SiC（碳化硅）將會是越來越合適的半導體器件。尤其針對光伏逆變器和UPS應用，SiC器件是實現(xiàn)其高功率密度的一種非常有效的手段。由于SiC相對于Si的一些獨特性，對于SiC技術的研究，可以追溯到上世界70年代。簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢:擊穿電壓強度高（10倍于Si）更寬的能帶隙（3倍于Si）熱導率高（3倍于Si）這些特性使得SiC器件更適合應用在高功率密度、高開關頻率的場合。當然，這些特性也使得大規(guī)模生產(chǎn)面臨一些障礙，直到2000年初單晶SiC晶片出現(xiàn)才開始逐步量產(chǎn)。目前標準的是4英寸晶片，但是接下來6英寸晶片也要誕生，...

SiC有多種同質多型體，不同的同質多型體有不同的應用范圍。典型的有3C-SiC、4H-SiC和6H-SiC，它們各有不同的應用范圍。其中，3C-SiC是***具有閃鋅礦結構的同質多型體，其電子遷移率比較高，再加上有高熱導率和高臨界擊穿電場，非常適合于制造高溫大功率的高速器件；6H-SiC具有寬的帶隙，在高溫電子、光電子和抗輻射電子等方面有使用價值，使用6H-SiC制造的高頻大功率器件，工作溫度高，功率密度有極大的提升；而4H-SiC具有比6H-SiC更寬的帶隙和較高的電子遷移率，是大功率器件材料的比較好選擇。由于SiC器件在**和民用領域不可替代的地位，世界上很多國家對SiC半導體...

碳化硅半導體廣泛應用于制造領域！眾所周知，碳化硅半導體功率器件可以應用在新能源領域?！艾F(xiàn)在我們新能源汽車所用的電可能還有煤電，未來光伏發(fā)電就會占有更多比重，甚至全部使用光伏發(fā)電。”中科院院士歐陽明高曾在一次討論會上這樣說過，光伏需要新能源汽車來消費儲能，而新能源汽車也需要完全的可再生能源。下一步兩者的結合將形成新的增長點。在歐陽院士提到的三種主要應用“光伏逆變器+儲能裝置+新能源汽車”中，碳化硅（SiC）MOSFET功率器件都是不可或缺的重要半導體器件。蘇州高質量的碳化硅襯底的公司。杭州6寸半絕緣碳化硅襯底 碳化硅襯底材料是新的一代半導體材料，其應用領域具有較強的戰(zhàn)略意義。中國正逐步...

隨著電力電子變換系統(tǒng)對于效率和體積提出更高的要求，SiC（碳化硅）將會是越來越合適的半導體器件。尤其針對光伏逆變器和UPS應用，SiC器件是實現(xiàn)其高功率密度的一種非常有效的手段。由于SiC相對于Si的一些獨特性，對于SiC技術的研究，可以追溯到上世界70年代。簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢:擊穿電壓強度高（10倍于Si）更寬的能帶隙（3倍于Si）熱導率高（3倍于Si）這些特性使得SiC器件更適合應用在高功率密度、高開關頻率的場合。當然，這些特性也使得大規(guī)模生產(chǎn)面臨一些障礙，直到2000年初單晶SiC晶片出現(xiàn)才開始逐步量產(chǎn)。目前標準的是4英寸晶片，但是接下來6英寸晶...

功率半導體多被用于轉換器及逆變器等電力轉換器進行電力控制。目前，功率半導體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)于現(xiàn)在使用的Si（硅），作為節(jié)能***受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。將Si換成GaN或SiC等化合物半導體，可大幅提高產(chǎn)品效率并縮小尺寸，這是Si功率半導體元件（以下簡稱功率元件）無法實現(xiàn)的。目前，很多領域都將Si二極管、MOSFET及IGBT（絕緣柵雙極晶體管）等晶體管用作功率元件，比如供電系統(tǒng)、電力機車、混合動力汽車、工廠內的生產(chǎn)設備、光伏發(fā)電系統(tǒng)的功率調節(jié)器、空調等白色家電、服務器及個人電腦等。...

不同的SiC多型體在半導體特性方面表現(xiàn)出各自的特性。利用SiC的這一特點可以制作SiC不同多型體間晶格完全匹配的異質復合結構和超晶格，從而獲得性能較好的器件．其中6H-SiC結構為穩(wěn)定，適用于制造光電子器件：p-SiC比6H-SiC活潑，其電子遷移率比較高，飽和電子漂移速度快，擊穿電場強，較適宜于制造高溫、大功率、高頻器件，及其它薄膜材料(如A1N、GaN、金剛石等)的襯底和X射線的掩膜等。而且，β-SiC薄膜能在同屬立方晶系的Si襯底上生長，而Si襯底由于其面積大、質量高、價格低，可與Si的平面工藝相兼容，所以后續(xù)PECVD制備的SiC薄膜主要是β-SiC薄膜碳化硅襯底的價格哪家比較優(yōu)惠？深...

隨著下游新能源汽車、充電樁、光伏、5G基站等領域的爆發(fā)，了對第三代半導體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場需求，國內眾多企業(yè)紛紛通過加強技術研發(fā)與資本投入布局碳化硅產(chǎn)業(yè)，我們首先來探討一下碳化硅襯底的國產(chǎn)化進程。碳化硅分為立方相（閃鋅礦結構）、六方相（纖鋅礦結構）和菱方相3大類共 260多種結構，目前只有六方相中的 4H-SiC、6H-SiC才有商業(yè)價值。另碳化硅根據(jù)電學性能的不同主要可分為高電阻（電阻率 ≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底和低電阻（電阻率區(qū)間為 15~30mΩ·cm）的導電型碳化硅襯底，滿足不同功能芯片需求哪家的碳化硅襯底性價比比較高？成都碳化硅襯底6寸led ...

SiC產(chǎn)業(yè)鏈包括上游的襯底和外延環(huán)節(jié)、中游的器件和模塊制造環(huán)節(jié)，以及下游的應用環(huán)節(jié)。其中襯底的制造是產(chǎn)業(yè)鏈技術壁壘比較高、價值量比較大環(huán)節(jié)，是未來SiC大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進的。1)襯底：價值量占比46%，為的環(huán)節(jié)。由SiC粉經(jīng)過長晶、加工、切割、研磨、拋光、清洗環(huán)節(jié)終形成襯底。其中SiC晶體的生長為工藝，難點在提升良率。類型可分為導電型、和半絕緣型襯底，分別用于功率和射頻器件領域。外延：價值量占比 23%。本質是在襯底上面再覆蓋一層薄膜以滿足器件生產(chǎn)的條件。 具體分為：導電型 SiC 襯底用于 SiC 外延，進而生產(chǎn)功率器件用于電動汽車以及新 能源等領域。半絕緣型 SiC 襯底用于氮化鎵外延，進而...

隨著全球電子信息及太陽能光伏產(chǎn)業(yè)對硅晶片需求量的快速增長，硅晶片線切割用碳化硅微粉的需求量也正在迅速增加。以碳化硅（SiC）及GaN為**的寬禁帶材料，是繼Si和GaAs之后的第三代半導體。與Si及GaAs相比，SiC具有寬禁帶、高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、化學性能穩(wěn)定等優(yōu)點。所以，SiC特別適合于制造高溫、高頻、高功率、抗輻射、抗腐蝕的電子器件。此外，六方SiC與GaN晶格和熱膨脹相匹配，也是制造高亮度GaN發(fā)光和激光二極管的理想襯底材料。SiC晶體目前主要應用于光電器件如藍綠光發(fā)光二極管以及紫外光激光二極管和功率器件包括大功率肖托基二極管，MES晶體管微波器件等。碳化...

碳化硅被譽為下一代半導體材料，因為其具有眾多優(yōu)異的物理化學特性，被廣泛應用于光電器件、高頻大功率、高溫電子器件。本文闡述了SiC研究進展及應用前景，從光學性質、電學性質、熱穩(wěn)定性、化學性質、硬度和耐磨性、摻雜物六個方面介紹了SiC的性能。SiC有高的硬度與熱穩(wěn)定性,穩(wěn)定的結構,大的禁帶寬度 ,高的熱導率,優(yōu)異的電學性能。同時介紹了SiC的制備方法：物***相沉積法和化學氣相沉積法，以及SiC薄膜表征手段。包括X射線衍射譜、傅里葉紅外光譜、拉曼光譜、X射線光電子能譜等。***講了SiC的光學性能和電學性能以及參雜SiC薄膜的光學性能研究進展。蘇州哪家公司的碳化硅襯底的價格比較劃算？河南進口led...

碳化硅（SiC）又叫金剛砂，密度是3.2g/cm3，天然碳化硅非常罕見，主要通過人工合成。按晶體結構的不同分類，碳化硅可分為兩大類：αSiC和βSiC。在熱力學方面，碳化硅硬度在20℃時高達莫氏9.2-9.3，是硬的物質之一，可以用于切割紅寶石；導熱率超過金屬銅，是Si的3倍、GaAs的8-10倍，且其熱穩(wěn)定性高，在常壓下不可能被熔化；在電化學方面，碳化硅具有寬禁帶、耐擊穿的特點，其禁帶寬度是Si的3倍，擊穿電場為Si的10倍；且其耐腐蝕性極強，在常溫下可以免疫目前已知的所有腐蝕劑。如何正確使用碳化硅襯底的。廣州碳化硅襯底6寸導電碳化硅襯底可分為兩類：一類是具有高電阻率（電阻率≥105Ω·cm...

碳化硅襯底主要有導電型及半絕緣型兩種。其中，在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅外延片，可進一步制成碳化硅功率器件，應用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領域；在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層可以制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進一步制成微波射頻器件，應用于5G通訊、雷達等領域。中國碳化硅襯底領域的研究從20世紀90年代末開始，在行業(yè)發(fā)展初期受到技術水平、設備規(guī)模產(chǎn)能的限制，未能進入工業(yè)化生產(chǎn)。21世紀，中國企業(yè)歷經(jīng)20年的研發(fā)與摸索，已經(jīng)掌握了2-6英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)加工技術。如何正確使用碳化硅襯底的。河南碳化硅襯底6寸 碳化硅襯備技術包括PVT法...

半導體材料是碳化硅相當有前景的應用領域之一，碳化硅是目前發(fā)展成熟的第三代半導體材料。隨著生產(chǎn)成本的降低，SiC半導體正在逐步取代一、二代半導體。碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)鏈主要包括碳化硅高純粉料、單晶襯底、外延片、功率器件、模塊封裝和終端應用等環(huán)節(jié)。在第三代半導體應用中，碳化硅半導體的優(yōu)勢在于可與氮化鎵半導體互補，氮化鎵半導體材料的市場應用領域集中在1000V以下，偏向中低電壓范圍，目前商業(yè)碳化硅半導體產(chǎn)品電壓等級為600~1700V。由于SiC器件高轉換效率、低發(fā)熱特性和輕量化等優(yōu)勢，下業(yè)需求持續(xù)增加，有取代SiO2器件的趨勢。哪家的碳化硅襯底的價格低？廣東碳化硅襯底進口從 80 年代末起，SiC 材...

SiC電子器件是微電子器件領域的研究熱點之一。SiC材料的擊穿電場有4MV/cm，很適合于制造高壓功率器件的有源層。而由于SiC襯底存在缺點等原因，將它直接用于器件制造時，性能不好。SiC襯底經(jīng)過外延之后，其表面缺點減少，晶格排列整齊，表面形貌良好，比襯底大為改觀，此時將其用于制造器件可以提高器件的性能。為了提高擊穿電壓，厚的外延層、好的表面形貌和較低的摻雜濃度是必需的。一些高壓雙極性器件，需外延膜的厚度超過50μm,摻雜濃度小于2×1015cm-3,載流子壽命大過1us。對于高反壓大功率器件，需要要在4H-SiC襯底上外延一層很厚的、低摻雜濃度的外延層。為了制作10KW的大功率器...

SiC產(chǎn)業(yè)鏈包括上游的襯底和外延環(huán)節(jié)、中游的器件和模塊制造環(huán)節(jié)，以及下游的應用環(huán)節(jié)。其中襯底的制造是產(chǎn)業(yè)鏈技術壁壘比較高、價值量比較大環(huán)節(jié)，是未來SiC大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進的。1)襯底：價值量占比46%，為的環(huán)節(jié)。由SiC粉經(jīng)過長晶、加工、切割、研磨、拋光、清洗環(huán)節(jié)終形成襯底。其中SiC晶體的生長為工藝，難點在提升良率。類型可分為導電型、和半絕緣型襯底，分別用于功率和射頻器件領域。外延：價值量占比 23%。本質是在襯底上面再覆蓋一層薄膜以滿足器件生產(chǎn)的條件。 具體分為：導電型 SiC 襯底用于 SiC 外延，進而生產(chǎn)功率器件用于電動汽車以及新 能源等領域。半絕緣型 SiC 襯底用于氮化鎵外延，進而...

因此，對于牽引逆變器，從IGBT轉移到SiCMOSFET是有意義的。但這并不是那么簡單，因為成本在等式中起著重要作用。然而，特斯拉已經(jīng)采取了冒險行動。該公司在其型號3中使用了意法半導體公司的SiCMOSFET，并補充說特斯拉也在使用其他供應商。其他汽車制造商也在探索這項技術，盡管出于成本考慮，大多數(shù)原始設備制造商并未加入這一行列。不過，有幾種方法可以實現(xiàn)從IGBT到SiCMOSFET的切換。根據(jù)Rohm的說法，有兩種選擇：?將IGBT保留在系統(tǒng)中，但將硅二極管更換為SiC二極管。?用SiC基MOSFET和二極管替換硅基IGBT和二極管。口碑好的碳化硅襯底的公司聯(lián)系方式。深圳碳化硅襯底進口6寸半...

SiC碳化硅是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一：由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料。相比傳統(tǒng)的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁帶寬度是硅的3倍；導熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8-10倍；電子飽和漂移速率為硅的2-3倍。優(yōu)勢體現(xiàn)在：1)耐高壓特性：更低的阻抗、禁帶寬度更寬，能承受更大的電流和電壓，帶來更小尺寸的產(chǎn)品設計和更高的效率；2)耐高頻特性：SiC器件在關斷過程中不存在電流拖尾現(xiàn)象，能有效提高元件的開關速度（大約是Si的3-10倍），適用于更高頻率和更快的開關速度；3)耐高溫特性：SiC相較硅擁有更高的熱導率，能在更高溫度下工作。碳化硅襯底的的整體大概費用是...

到2023年，SiC功率半導體市場預計將達到15億美元。SiC器件的供應商包括富士、英飛凌、利特弗斯、三菱、安半導體、意法半導體、Rohm、東芝和Wolfspeed。Wolfspeed是CREE的一部分。電力電子在世界電力基礎設施中發(fā)揮著關鍵作用。該技術用于工業(yè)（電機驅動）、交通（汽車、火車）、計算（電源）和可再生能源（太陽能、風能）。電力電子設備在系統(tǒng)中轉換或轉換交流電和直流電（AC和DC）。對于這些應用，行業(yè)使用各種功率半導體。一些半功率晶體管是晶體管，在系統(tǒng)中用作開關。它們允許電源在“開啟”狀態(tài)動，并在“關閉”狀態(tài)下停止。碳化硅襯底的大概費用是多少？江蘇進口4寸sic碳化硅襯底不同的Si...

“實際上，它們是電動開關?！拔覀兛梢赃x擇這些電子開關的技術，它們可以啟用和禁用各種電機繞組，并有效地使電機旋轉?！庇糜诖斯δ艿漠斚铝餍械碾娮影雽w開關稱為IGBT。90%以上的汽車制造商都在使用它們。它們是根據(jù)需要將電池電流轉換成電機的低價的方法?！边@就是業(yè)界瞄準SiCMOSFET的地方，SiCMOSFET的開關速度比IGBT快?！?STMicroelectronics寬帶隙和功率射頻業(yè)務部門主管說：“SiCMOSFET）還可以降低開關損耗，同時降低中低功率水平下的傳導損耗。”它們可以以四倍于IGBT的頻率以相同的效率工作，由于更小的無源器件和更少的外部元件，從而降低了重量、尺寸和成本。因此，...

下游市場需求強勁，碳化硅襯底市場迎來黃金成長期導電型碳化硅襯底方面，受益于新能源汽車逆變器的巨大需求，將保持高速增長態(tài)勢，根據(jù)中國寬禁帶功率半導體及應用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的數(shù)據(jù)顯示，預計2020-2025年國內市場的需求，4英寸逐步從10萬片市場減少到5萬片，6英寸晶圓將從8萬片增長到20萬片；2025~2030年：4英寸晶圓將逐漸退出市場，6英寸晶圓將增長至40萬片。半絕緣型碳化硅襯底方面，受下游5G基站強勁需求驅動，碳化硅基氮化鎵高頻射頻器件將逐步加強市場滲透，市場空間廣闊，預計2020-2025年國內市場的需求，4英寸逐步從5萬片市場減少到2萬片，6英寸晶圓將從5萬片增長到10萬片；2...

相同規(guī)格的碳化硅基MOSFET與硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅減小至原來的1/10，導通電阻可至少降低至原來的1/100。相同規(guī)格的碳化硅基MOSFET較硅基IGBT的總能量損耗可降低70%。碳化硅功率器件具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨特優(yōu)勢，將極大提高現(xiàn)有使用硅基功率器件的能源轉換效率，未來將主要應用領域有電動汽車/充電樁、光伏新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)等。市場空間：據(jù) Yole 統(tǒng)計，2020 年 SiC 碳化硅功率器件市場規(guī)模約 7.1 億美元，預計 2026 年將增長至 45 億美元，2020-2026 年 CAGR 近 36%。其中，新能源汽車是 SiC 功率器件下...