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SiC碳化硅是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一：由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料。相比傳統(tǒng)的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁帶寬度是硅的3倍；導熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8-10倍；電子飽和漂移速率為硅的2-3倍。優(yōu)勢體現(xiàn)在：1)耐高壓特性：更低的阻抗、禁帶寬度更寬，能承受更大的電流和電壓，帶來更小尺寸的產品設計和更高的效率；2)耐高頻特性：SiC器件在關斷過程中不存在電流拖尾現(xiàn)象，能有效提高元件的開關速度（大約是Si的3-10倍），適用于更高頻率和更快的開關速度；3)耐高溫特性：SiC相較硅擁有更高的熱導率，能在更高溫度下工作。使用 碳化硅襯底的需要什么條...

“實際上，它們是電動開關?！拔覀兛梢赃x擇這些電子開關的技術，它們可以啟用和禁用各種電機繞組，并有效地使電機旋轉?！庇糜诖斯δ艿漠斚铝餍械碾娮影雽w開關稱為IGBT。90%以上的汽車制造商都在使用它們。它們是根據(jù)需要將電池電流轉換成電機的低價的方法?！边@就是業(yè)界瞄準SiCMOSFET的地方，SiCMOSFET的開關速度比IGBT快。”(STMicroelectronics寬帶隙和功率射頻業(yè)務部門主管說：“SiCMOSFET）還可以降低開關損耗，同時降低中低功率水平下的傳導損耗?！彼鼈兛梢砸运谋队贗GBT的頻率以相同的效率工作，由于更小的無源器件和更少的外部元件，從而降低了重量、尺寸和成本。因此，...

以碳化硅為的第三代半導體材料，被譽為繼硅材料之后有前景的半導體材料之一，與硅材料相比，以碳化硅晶片為襯造的半導體器件具備高功率、耐高壓/高溫、高頻、低能耗、抗輻射能力強等優(yōu)點，可廣泛應用于半導體功率器件和5G通訊等領域。按照襯底電學性能的不同，碳化硅襯底可分為兩類：一類是具有高電阻率（電阻率≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，另一類是低電阻率（電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm）的導電型碳化硅襯底。半絕緣型碳化硅襯底主要應用于制造氮化鎵射頻器件，導電型碳化硅襯底主要應用于制造功率器件。與硅片一樣，碳化硅襯底的尺寸主要有2英寸（50mm）、3英寸（75mm）、4英寸（100mm）、...

SiC材料具有良好的電學特性和力學特性，是一種非常理想的可適應諸多惡劣環(huán)境的半導體材料。它禁帶寬度較大，具有熱傳導率高、耐高溫、抗腐蝕、化學穩(wěn)定性高等特點，以其作為器件結構材料，可以得到耐高溫、耐高壓和抗腐蝕的SiC-MEMS器件，具有廣闊的市場和應用前景。同時SiC陶瓷具有高溫強度大、抗氧化性強、耐磨損性好、熱穩(wěn)定性佳、熱膨脹系數(shù)小、熱導率大、硬度高以及抗熱震和耐化學腐蝕等優(yōu)良特性。因此，是當前**有前途的結構陶瓷之一，并且已在許多高技術領域(如空間技術、核物理等)及基礎產業(yè)(如石油化工、機械、車輛、造船等)得到應用，用作精密軸承、密封件、氣輪機轉子、噴嘴、熱交換器部件及原子核反應堆材料等。...

碳化硅sic的電學性質SiC的臨界擊穿電場比常用半導體Si和GaAs都大很多，這說明SiC材料制作的器件可承受很大的外加電壓，具備很好的耐高特性。另外，擊穿電場和熱導率決定器件的最大功率傳輸能力。擊穿電場對直流偏壓轉換為射頻功率給出一個基本的界限，而熱導率決定了器件獲得恒定直流功率的難易程度。SiC具有優(yōu)于Si和GaAs的高溫工作特性，因為SiC的熱導率和擊穿電場均高出Si，GaAs好幾倍，帶隙也是GaAs，Si的兩三倍。電子遷移率和空穴遷移率表示單位電場下載流子的漂移速度，是器件很重要的參數(shù)，會影響到微波器件跨導、FET的輸出增益、功率FET的導通電阻以及其他參數(shù)。4H-SiC電...

碳化硅是技術密集型行業(yè)，對研發(fā)人員操作經驗、資金投入有較高要求。國際巨頭半導體公司研發(fā)早于國內公司數(shù)十年，提前完成了技術積累工作。因此，國內企業(yè)存在人才匱乏、技術水平較低的困難，制約了半導體行業(yè)的產業(yè)化進程發(fā)展。而在碳化硅第三代半導體產業(yè)中，行業(yè)整體處于產業(yè)化初期，中國企業(yè)與海外企業(yè)的差距明顯縮小。受益于中國5G通訊、新能源等新興產業(yè)的技術水平、產業(yè)化規(guī)模的地位，國內碳化硅器件巨大的應用市場空間驅動上游半導體行業(yè)快速發(fā)展，國內碳化硅廠商具有自身優(yōu)勢。在全球半導體材料供應不足的背景下，國際企業(yè)紛紛提出碳化硅產能擴張計劃并保持高研發(fā)投入。同時，國內本土SiC廠家加速碳化硅領域布局，把握發(fā)展機會，追...

碳化硅sic的電學性質SiC的臨界擊穿電場比常用半導體Si和GaAs都大很多，這說明SiC材料制作的器件可承受很大的外加電壓，具備很好的耐高特性。另外，擊穿電場和熱導率決定器件的最大功率傳輸能力。擊穿電場對直流偏壓轉換為射頻功率給出一個基本的界限，而熱導率決定了器件獲得恒定直流功率的難易程度。SiC具有優(yōu)于Si和GaAs的高溫工作特性，因為SiC的熱導率和擊穿電場均高出Si，GaAs好幾倍，帶隙也是GaAs，Si的兩三倍。電子遷移率和空穴遷移率表示單位電場下載流子的漂移速度，是器件很重要的參數(shù)，會影響到微波器件跨導、FET的輸出增益、功率FET的導通電阻以及其他參數(shù)。4H-SiC電...

碳化硅SiC的應用前景 由于SiC具有上述眾多優(yōu)異的物理化學性質，不僅能夠作為一種良好的高溫結構材料，也是一種理想的高溫半導體材料。近20年，伴隨薄膜制備技術的高速發(fā)展，SiC薄膜已經被***應用于保護涂層、光致發(fā)光、場效應晶體管、薄膜發(fā)光二極管以及非晶Si太陽能電池的窗口材料等。另外，作為結構材料的SiC薄膜還被認為是核聚變堆中比較好的防護材料，在不銹鋼基體上沉積一層SiC薄膜，可以**地降低氚的滲透率，并保持聚變反應的穩(wěn)定性。總結起來，SiC具有以下幾個方面的應用：(1)高的硬度與熱穩(wěn)定性，可用于***涂層；(2)穩(wěn)定的結構，在核反應技術中用作核聚變堆等離子體的面對材料：(3)大的禁帶寬...

設備制造商之間的一場大戰(zhàn)正在牽引逆變器領域展開，尤其是純電池電動汽車。一般來說，混合動力車正朝著48伏電池的方向發(fā)展。對于動力發(fā)明家來說，SiC對于混合動力車來說通常太貴了，盡管有例外。與混合動力一樣，純電池電動汽車由牽引逆變器組成。高壓母線將逆變器連接到蓄電池和電機。電池為汽車提供能量。驅動車輛的電機有三個接頭或電線。這三個連接延伸至牽引逆變器，然后連接至逆變器模塊內的六個開關。每個開關實際上都是一個功率半導體，在系統(tǒng)中用作電開關。對于開關，現(xiàn)有的技術是IGBT。因此，牽引逆變器可能由六個額定電壓為1200伏的IGBT組成。碳化硅襯底的的參考價格大概是多少？成都4寸半絕緣碳化硅襯底 ...

碳化硅襯備技術包括PVT法（物相傳輸法）、溶液法和HTCVD法（高溫氣相化學沉積法）等，目前國際上基本采用PVT法制備碳化硅單晶。SiC單晶生長經歷3個階段，分別是Acheson法、Lely法、改良Lely法。利用SiC高溫升華分解特性，可采用升華法即Lely法來生長SiC晶體，它是把SiC粉料放在石墨坩堝和多孔石墨管之間，在惰性氣體（氬氣）環(huán)境溫度為2500℃的條件下進行升華生長，可以生成片狀SiC晶體。但Lely法為自發(fā)成核生長方法，較難控制所生長SiC晶體的晶型，且得到的晶體尺寸很小，后來又出現(xiàn)了改良的Lely法，即PVT法（物相傳輸法），其優(yōu)點在于：采用SiC籽晶控制所生長...

功率半成品在成熟節(jié)點上制造。這些設備旨在提高系統(tǒng)的效率并將能量損失降至比較低。通常，它們的額定值是由電壓和其他規(guī)格決定的，而不是由工藝幾何形狀決定的。多年來，占主導地位的功率半技術一直（現(xiàn)在仍然）基于硅，即功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。功率MOSFET被認為是低價、當下流行的器件，用于適配器、電源和其他產品中。它們用于高達900伏的應用中。在傳統(tǒng)的MOSFET器件中，源極和漏極位于器件的頂部。相比之下，功率MOSFET具有垂直結構，其中源極和漏極位于器件的相對側。垂直結構使設備能夠處理更高的電壓。哪家碳化硅襯底的的性價比好?青島4寸半絕緣碳化硅襯底 碳化硅（SiC）...

SiC電子器件是微電子器件領域的研究熱點之一。SiC材料的擊穿電場有4MV/cm，很適合于制造高壓功率器件的有源層。而由于SiC襯底存在缺點等原因，將它直接用于器件制造時，性能不好。SiC襯底經過外延之后，其表面缺點減少，晶格排列整齊，表面形貌良好，比襯底大為改觀，此時將其用于制造器件可以提高器件的性能。為了提高擊穿電壓，厚的外延層、好的表面形貌和較低的摻雜濃度是必需的。一些高壓雙極性器件，需外延膜的厚度超過50μm,摻雜濃度小于2×1015cm-3,載流子壽命大過1us。對于高反壓大功率器件，需要要在4H-SiC襯底上外延一層很厚的、低摻雜濃度的外延層。為了制作10KW的大功率器件，外延層厚...

的中端功率半導體器件是IGBT，它結合了MOSFET和雙極晶體管的特性。IGBT用于400伏至10千伏的應用。問題是功率MOSFET和IGBT正達到其理論極限，并遭受不必要的能量損失。一個設備可能會經歷能量損失，原因有兩個：傳導和開關。傳導損耗是由于器件中的電阻引起的，而開關損耗發(fā)生在開關狀態(tài)。這就是碳化硅適合的地方?；诘墸℅aN）的電力半成品也正在出現(xiàn)。GaN和SiC都是寬帶隙技術。硅的帶隙為1.1eV。相比之下，SiC的帶隙為3.3eV，而GaN為3.4eV。DC-DC轉換器獲取蓄電池電壓，然后將其降到較低的電壓。這用于控制車窗、加熱器和其他功能。碳化硅襯底的類別一般有哪些？河南碳化...

從襯底的下游晶圓與器件來看，大量生產廠家仍然位于日本、歐洲與美國；但國內生產廠家在襯底領域已經擁有了一定的市場份額。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，在2020年半絕緣型碳化硅襯底市場中，貳陸公司（II-IV）、科銳公司（Cree）以及天岳先進依次占據(jù)甲的位置，市場份額分別為35%、33%和30%，市場高度集中。從資金來看，國內第三代半導體投資力度高企，力爭追趕國際廠商。根據(jù)CASA披露的數(shù)據(jù)顯示，2018年至今，國內廠商始終加強布局第三代半導體產業(yè)，2020年共有24筆投資擴產項目，增產投資金額超過694億元，其中碳化硅領域共17筆、投資550億元。蘇州哪家公司的碳化硅襯底的口碑比較好？河南碳化硅襯底進口4...

SiC碳化硅是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一：由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料。相比傳統(tǒng)的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁帶寬度是硅的3倍；導熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8-10倍；電子飽和漂移速率為硅的2-3倍。優(yōu)勢體現(xiàn)在：1)耐高壓特性：更低的阻抗、禁帶寬度更寬，能承受更大的電流和電壓，帶來更小尺寸的產品設計和更高的效率；2)耐高頻特性：SiC器件在關斷過程中不存在電流拖尾現(xiàn)象，能有效提高元件的開關速度（大約是Si的3-10倍），適用于更高頻率和更快的開關速度；3)耐高溫特性：SiC相較硅擁有更高的熱導率，能在更高溫度下工作。哪家碳化硅襯底的是口碑推薦？...

為何半絕緣型與導電型碳化硅襯底技術壁壘都比較高？PVT方法中SiC粉料純度對晶片質量具有較大影響。粉料中一般含有極微量的氮（N），硼（B）、鋁（Al）、鐵（Fe）等雜質，其中氮是n型摻雜劑，在碳化硅中產生游離的電子，硼、鋁是p型摻雜劑，產生游離的空穴。為了制備n型導電碳化硅晶片，在生長時需要通入氮氣，讓它產生的一部分電子中和掉硼、鋁產生的空穴（即補償），另外的游離電子使碳化硅表現(xiàn)為n型導電。為了制備高阻不導電的碳化硅（半絕緣型），在生長時需要加入釩（V）雜質，釩既可以產生電子，也可以產生空穴，讓它產生的電子中和掉硼、鋁產生的空穴（即補償），它產生的空穴中和掉氮產生的電子，所以所生長...

功率半導體多被用于轉換器及逆變器等電力轉換器進行電力控制。目前，功率半導體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)于現(xiàn)在使用的Si（硅），作為節(jié)能***受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。將Si換成GaN或SiC等化合物半導體，可大幅提高產品效率并縮小尺寸，這是Si功率半導體元件（以下簡稱功率元件）無法實現(xiàn)的。目前，很多領域都將Si二極管、MOSFET及IGBT（絕緣柵雙極晶體管）等晶體管用作功率元件，比如供電系統(tǒng)、電力機車、混合動力汽車、工廠內的生產設備、光伏發(fā)電系統(tǒng)的功率調節(jié)器、空調等白色家電、服務器及個人電腦等。...

從襯底的下游晶圓與器件來看，大量生產廠家仍然位于日本、歐洲與美國；但國內生產廠家在襯底領域已經擁有了一定的市場份額。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，在2020年半絕緣型碳化硅襯底市場中，貳陸公司（II-IV）、科銳公司（Cree）以及天岳先進依次占據(jù)甲的位置，市場份額分別為35%、33%和30%，市場高度集中。從資金來看，國內第三代半導體投資力度高企，力爭追趕國際廠商。根據(jù)CASA披露的數(shù)據(jù)顯示，2018年至今，國內廠商始終加強布局第三代半導體產業(yè)，2020年共有24筆投資擴產項目，增產投資金額超過694億元，其中碳化硅領域共17筆、投資550億元。碳化硅襯底的發(fā)展趨勢如何。led碳化硅襯底進口6寸導電從 ...

隨著電力電子變換系統(tǒng)對于效率和體積提出更高的要求，SiC（碳化硅）將會是越來越合適的半導體器件。尤其針對光伏逆變器和UPS應用，SiC器件是實現(xiàn)其高功率密度的一種非常有效的手段。由于SiC相對于Si的一些獨特性，對于SiC技術的研究，可以追溯到上世界70年代。簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢:擊穿電壓強度高（10倍于Si）更寬的能帶隙（3倍于Si）熱導率高（3倍于Si）這些特性使得SiC器件更適合應用在高功率密度、高開關頻率的場合。當然，這些特性也使得大規(guī)模生產面臨一些障礙，直到2000年初單晶SiC晶片出現(xiàn)才開始逐步量產。目前標準的是4英寸晶片，但是接下來6英寸晶片也要誕生，...

SiC晶體的獲得早是用AchesonZ工藝將石英砂與C混合放入管式爐中2600℃反應生成，這種方法只能得到尺寸很小的多晶SiC。至1955年，Lely用無籽晶升華法生長出了針狀3C-SiC孿晶，由此奠定了SiC的發(fā)展基礎。20世紀80年代初Tairov等采用改進的升華工藝生長出SiC晶體，SiC作為一種實用半導體開始引起人們的研究興趣，國際上一些先進國家和研究機構都投入巨資進行SiC研究。20世紀90年代初，Cree Research Inc用改進的Lely法生長6H-SiC晶片并實現(xiàn)商品化，并于1994年制備出4H-SiC晶片。這一突破性進展立即掀起了SiC晶體及相關技術研究的熱潮。目前實現(xiàn)...

SiC晶體的獲得早是用AchesonZ工藝將石英砂與C混合放入管式爐中2600℃反應生成，這種方法只能得到尺寸很小的多晶SiC。至1955年，Lely用無籽晶升華法生長出了針狀3C-SiC孿晶，由此奠定了SiC的發(fā)展基礎。20世紀80年代初Tairov等采用改進的升華工藝生長出SiC晶體，SiC作為一種實用半導體開始引起人們的研究興趣，國際上一些先進國家和研究機構都投入巨資進行SiC研究。20世紀90年代初，Cree Research Inc用改進的Lely法生長6H-SiC晶片并實現(xiàn)商品化，并于1994年制備出4H-SiC晶片。這一突破性進展立即掀起了SiC晶體及相關技術研究的熱潮。目前實現(xiàn)...

隨著電力電子變換系統(tǒng)對于效率和體積提出更高的要求，SiC（碳化硅）將會是越來越合適的半導體器件。尤其針對光伏逆變器和UPS應用，SiC器件是實現(xiàn)其高功率密度的一種非常有效的手段。由于SiC相對于Si的一些獨特性，對于SiC技術的研究，可以追溯到上世界70年代。簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢:擊穿電壓強度高（10倍于Si）更寬的能帶隙（3倍于Si）熱導率高（3倍于Si）這些特性使得SiC器件更適合應用在高功率密度、高開關頻率的場合。當然，這些特性也使得大規(guī)模生產面臨一些障礙，直到2000年初單晶SiC晶片出現(xiàn)才開始逐步量產。目前標準的是4英寸晶片，但是接下來6英寸晶片也要誕生，...

碳化硅（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體產業(yè)的基石是芯片，制作芯片的材料按照歷史進程分為：代半導體材料（大部分為目前使用的高純度硅），第二代化合物半導體材料（砷化鎵、磷化銦），第三代化合物半導體材料（碳化硅、氮化鎵）。碳化硅因其優(yōu)越的物理性能：高禁帶寬度（對應高擊穿電場和高功率密度）、高電導率、高熱導率，將是未來被使用的制作半導體芯片的基礎材料。從產業(yè)格局看，目前全球SiC產業(yè)格局呈現(xiàn)美國、歐洲、日本三足鼎立態(tài)勢。其中美國全球獨大，占有全球SiC產量的70%~80%，碳化硅晶圓市場CREE一家市占率高達6成之多；歐洲擁有完整的SiC襯底、外延、器件以及應用產業(yè)鏈，在全球電力...

碳化硅屬于第三代半導體材料，在低功耗、小型化、高壓、高頻的應用場景有極大優(yōu)勢。第三代半導體材料以碳化硅、氮化鎵為，與前兩代半導體材料相比比較大的優(yōu)勢是較寬的禁帶寬度，保證了其可擊穿更高的電場強度，適合制備耐高壓、高頻的功率器件。碳化硅產業(yè)鏈分為襯底材料制備、外延層生長、器件制造以及下游應用。通常采用物相傳輸法（PVT法）制備碳化硅單晶，再在襯底上使用化學氣相沉積法（CVD法）等生成外延片，制成相關器件。在SiC器件的產業(yè)鏈中，由于襯造工藝難度大，產業(yè)鏈價值量主要集中于上游襯底環(huán)節(jié)。如何選擇一家好的碳化硅襯底公司。遼寧進口4寸碳化硅襯底 以碳化硅為的第三代半導體材料，被譽為繼硅材料之后...

碳化硅之所以引人注目，是因為它是一種寬帶隙技術。與傳統(tǒng)的硅基器件相比，SiC的擊穿場強是硅基器件的10倍，導熱系數(shù)是硅基器件的3倍，非常適合于高壓應用，如電源、太陽能逆變器、火車和風力渦輪機。在另一個應用中，碳化硅用于制造LED。比較大的增長機會是汽車，尤其是電動汽車?；赟iC的功率半導體用于電動汽車的車載充電裝置，而該技術正在該系統(tǒng)的關鍵部件牽引逆變器中取得進展。牽引逆變器向電機提供牽引力以推進車輛。對于這種應用，特斯拉正在一些車型中使用碳化硅動力裝置，而其他電動汽車制造商正在評估這項技術?！碑斎藗冇懻撎蓟韫β势骷r，汽車市場無疑是焦點?！柏S田（Toyota）和特斯拉（Tes...

碳化硅（SiC）半導體器件在航空、航天探測、核能開發(fā)、衛(wèi)星、石油和地熱鉆井勘探、汽車發(fā)動機等高溫（350～500oC）和抗輻射領域具有重要應用； 高頻、高功率的碳化硅（SiC）器件在雷達、通信和廣播電視領域具有重要的應用前景；（目前航天和下屬的四家院所已有兩家開始使用，訂貨1億/年，另兩家還在進行測試，在航天宇航碳化硅器件是不可取代的，可以抵御太空中強大的射線輻射及巨大的差，在核戰(zhàn)或強電磁干擾作用的時候，碳化硅電子器件的耐受能力遠遠強于硅基器件，雷達、通信方面有重要作用哪家的碳化硅襯底價格比較低？青島6寸sic碳化硅襯底隨著全球電子信息及太陽能光伏產業(yè)對硅晶片需求量的快速增長...

碳化硅襯備技術包括PVT法（物相傳輸法）、溶液法和HTCVD法（高溫氣相化學沉積法）等，目前國際上基本采用PVT法制備碳化硅單晶。SiC單晶生長經歷3個階段，分別是Acheson法、Lely法、改良Lely法。利用SiC高溫升華分解特性，可采用升華法即Lely法來生長SiC晶體，它是把SiC粉料放在石墨坩堝和多孔石墨管之間，在惰性氣體（氬氣）環(huán)境溫度為2500℃的條件下進行升華生長，可以生成片狀SiC晶體。但Lely法為自發(fā)成核生長方法，較難控制所生長SiC晶體的晶型，且得到的晶體尺寸很小，后來又出現(xiàn)了改良的Lely法，即PVT法（物相傳輸法），其優(yōu)點在于：采用SiC籽晶控制所生長...

半絕緣型碳化硅襯底主要應用于制造氮化鎵射頻器件。通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進一步制成氮化鎵射頻器件；導電型碳化硅襯底主要應用于制造功率器件。與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅襯底上，需在導電型襯底上生長碳化硅外延層得到碳化硅外延片，并在外延層上制造各類功率器件。大尺寸碳化硅襯底有助于實現(xiàn)降本增效，已成主流發(fā)展趨勢。襯底尺寸越大，單位襯底可生產更多的芯片，因而單位芯片成本越低，同時邊緣浪費的減少將進一步降低芯片生產成本。目前業(yè)內企業(yè)量產的碳化硅襯底主要以4英寸和6英寸為主，在半絕緣型碳化硅市場，目前襯底規(guī)格以...

半絕緣型碳化硅襯底主要應用于制造氮化鎵射頻器件。通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進一步制成氮化鎵射頻器件；導電型碳化硅襯底主要應用于制造功率器件。與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅襯底上，需在導電型襯底上生長碳化硅外延層得到碳化硅外延片，并在外延層上制造各類功率器件。大尺寸碳化硅襯底有助于實現(xiàn)降本增效，已成主流發(fā)展趨勢。襯底尺寸越大，單位襯底可生產更多的芯片，因而單位芯片成本越低，同時邊緣浪費的減少將進一步降低芯片生產成本。目前業(yè)內企業(yè)量產的碳化硅襯底主要以4英寸和6英寸為主，在半絕緣型碳化硅市場，目前襯底規(guī)格以...

碳化硅襯底可分為兩類：一類是具有高電阻率（電阻率≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，另一類是低電阻率（電阻率區(qū)間為15～30mΩ·cm）的導電型碳化硅襯底。國內供需仍存缺口，有效產能不足。我國2020年碳化硅導電型襯底產能約40萬片/年（約當4英寸）、外延片折合6英寸22萬片/年、器件26萬片/年；半絕緣型襯底折算4英寸產能近18萬片/年。受限于良率及技術影響，目前國內實際項目投產較為有限，實際產能開出率較低。隨著新能源汽車、5G等下游應用市場的快速起量，國內現(xiàn)有產品供給無法滿足需求，目前第三代半導體主要環(huán)節(jié)國產化率仍然較低，超過80%的產品要靠進口。碳化硅襯底的發(fā)展趨勢如何。進口sic碳...