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氧化鋯陶瓷可采用的燒結(jié)方法通常有： ⑴無壓燒結(jié)，⑵熱壓燒結(jié)和反應(yīng)熱壓燒結(jié)，⑶熱等靜壓燒結(jié)（HIP），⑷微波燒結(jié)， ⑸超高壓燒結(jié)， ⑹放電等離子體燒結(jié)（SPS），⑺原位加壓成型燒結(jié)等。常以無壓燒結(jié)為主。在結(jié)構(gòu)陶瓷方面，由于氧化鋯陶瓷具有高韌性、高抗彎強度和高耐磨...

SiC由Si原子和C原子組成，其晶體結(jié)構(gòu)具有同質(zhì)多型體的特點，在半導(dǎo)體領(lǐng)域常見的是具有立方閃鋅礦結(jié)構(gòu)的3C-SiC和六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的4H-SiC和6H-SiC。21世紀以來以Si為基本材料的微電子機械系統(tǒng)(MEMS)已有長足的發(fā)展，隨著MEMS應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴...

碳化硅半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于制造領(lǐng)域！眾所周知，碳化硅半導(dǎo)體功率器件可以應(yīng)用在新能源領(lǐng)域。“現(xiàn)在我們新能源汽車所用的電可能還有煤電，未來光伏發(fā)電就會占有更多比重，甚至全部使用光伏發(fā)電?！敝锌圃涸菏繗W陽明高曾在一次討論會上這樣說過，光伏需要新能源汽車來消費儲能，而新能...

碳化硅（SiC）是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基石是芯片，制作芯片的材料按照歷史進程分為：代半導(dǎo)體材料（大部分為目前使用的高純度硅），第二代化合物半導(dǎo)體材料（砷化鎵、磷化銦），第三代化合物半導(dǎo)體材料（碳化硅、氮化鎵）。碳化硅因其優(yōu)越的物理性...

那氮化鎵外延層為啥也要在碳化硅單晶襯底上長呢？理論上講，氮化鎵外延層比較好當然用本身氮化鎵的單晶襯底，不過在之前的文章中也有提到，氮化鎵的單晶實在是太難做了點，不僅反應(yīng)過程難以控制、長得特別慢，而且面積較小、價格昂貴，商業(yè)化很是困難，而碳化硅和氮化...

碳化硅耐高溫，與強酸、強堿均不起反應(yīng)，導(dǎo)電導(dǎo)熱性好，具有很強的抗輻射能力。用碳化硅粉直接升華法可制得大體積和大面積碳化硅單晶。用碳化硅單晶可生產(chǎn)綠色或藍色發(fā)光二極管、場效應(yīng)晶體管，雙極型晶體管。用碳化硅纖維可制成雷達吸波材料，在***工業(yè)中前景廣闊...

碳化硅被譽為下一代半導(dǎo)體材料，因為其具有眾多優(yōu)異的物理化學(xué)特性，被廣泛應(yīng)用于光電器件、高頻大功率、高溫電子器件。本文闡述了SiC研究進展及應(yīng)用前景，從光學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)、熱穩(wěn)定性、化學(xué)性質(zhì)、硬度和耐磨性、摻雜物六個方面介紹了SiC的性能。SiC有高的硬度與熱穩(wěn)...

如何對活性的氧化鋁陶瓷進行儲存?氧化鋁陶瓷目前分為高純型與普通型兩種。高純型氧化鋁陶瓷系A(chǔ)l2O3含量在99.9%以上的陶瓷材料，那么如何對活性的氧化鋁陶瓷進行儲存?下面由小編為大家介紹：一、在使用之前切勿將包裝袋打開，避免發(fā)生吸潮，對使用的效果造成影響;二、...

熱壓鑄、軋膜的原料處理方式主要是干法研磨，注漿、干壓和等靜壓的原料處理方式主要是濕法研磨。熱壓鑄、軋膜和凝膠注模等成型方法在處理好的粉料里還要混入有機物，干壓和等靜壓的粉料經(jīng)濕法研磨后還要進行造粒處理，現(xiàn)在的造粒設(shè)備主要有壓力式噴霧干燥塔和離心式噴...

化鋯陶瓷可以應(yīng)用在哪些地方?隨著社會不斷的發(fā)展，在結(jié)構(gòu)陶瓷方面，由于氧化鋯陶瓷具有高韌性、高抗彎強度和高耐磨性，優(yōu)異的隔熱性能，熱膨脹系數(shù)接近于鋼等優(yōu)點，因此被廣泛應(yīng)用于結(jié)構(gòu)陶瓷領(lǐng)域。那么氧化鋯陶瓷可以應(yīng)用在哪些地方?氧化鋯的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，具有良好的熱穩(wěn)定性以...

注漿成型的成型過程包括物理脫水過程和化學(xué)凝聚過程，物理脫水通過多孔的石膏模的毛細作用排除漿料中的水分，化學(xué)凝聚過程是因為在石膏模表面CaSO4 的溶解生成的Ca2+提高了漿料中的離子強度，造成漿料的絮凝。在物理脫水和化學(xué)凝聚的作用下，陶瓷粉體顆粒在石膏模壁上沉...

氧化鋯陶瓷是由氧化鋯（ZrO2）制成的工業(yè)陶瓷材料，具有化學(xué)惰性和高熱膨脹性，具有很高的耐磨性和抗裂紋擴展能力。在所有高級陶瓷材料中，它在室溫下具有比較高的韌性和強度。它還具有優(yōu)良的隔熱性和低導(dǎo)熱性。氧化鋯陶瓷具有精細的晶粒尺寸，可提供鋒利的邊緣和光滑的表面。...

氧化鋯陶瓷呈白色，含雜質(zhì)時呈黃色或灰色，一般含有HfO2，不易分離。在常壓下純ZrO2共有三種晶態(tài)。氧化鋯陶瓷的生產(chǎn)要求制備高純、分散性能好、粒子超細、粒度分布窄的粉體，氧化鋯超細粉末的制備方法很多，氧化鋯的提純主要有氯化和熱分解法、堿金屬氧化分解法、石灰熔融...

只有現(xiàn)成的設(shè)備還不足以保證氧化鋯陶瓷的產(chǎn)品質(zhì)量，還應(yīng)該擁有配套的生產(chǎn)工藝，所以氧化鋯陶瓷生產(chǎn)工藝是否精湛就是企業(yè)選擇生產(chǎn)廠家時需要注意的另一個重點。只有工藝好，才能讓生產(chǎn)出來的產(chǎn)品在耐磨、耐腐蝕、耐高溫、耐酸堿度等方面表現(xiàn)更好，可以達到國際先進水平。原材料質(zhì)量...

為何半絕緣型與導(dǎo)電型碳化硅襯底技術(shù)壁壘都比較高？PVT方法中SiC粉料純度對晶片質(zhì)量具有較大影響。粉料中一般含有極微量的氮（N），硼（B）、鋁（Al）、鐵（Fe）等雜質(zhì)，其中氮是n型摻雜劑，在碳化硅中產(chǎn)生游離的電子，硼、鋁是p型摻雜劑，產(chǎn)生游離的空...

碳化硅SiC的應(yīng)用前景由于SiC具有上述眾多優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，不僅能夠作為一種良好的高溫結(jié)構(gòu)材料，也是一種理想的高溫半導(dǎo)體材料。近20年，伴隨薄膜制備技術(shù)的高速發(fā)展，SiC薄膜已經(jīng)被***應(yīng)用于保護涂層、光致發(fā)光、場效應(yīng)晶體管、薄膜發(fā)光二極管以及非晶Si太陽...

不同的SiC多型體在半導(dǎo)體特性方面表現(xiàn)出各自的特性。利用SiC的這一特點可以制作SiC不同多型體間晶格完全匹配的異質(zhì)復(fù)合結(jié)構(gòu)和超晶格，從而獲得性能較好的器件．其中6H-SiC結(jié)構(gòu)為穩(wěn)定，適用于制造光電子器件：p-SiC比6H-SiC活潑，其電子遷移率比較高，飽...

功率半導(dǎo)體多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進行電力控制。目前，功率半導(dǎo)體材料正迎來材料更新?lián)Q代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二者的物理特性均優(yōu)于現(xiàn)在使用的Si（硅），作為節(jié)能***受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期...

SiC碳化硅是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一：由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料。相比傳統(tǒng)的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁帶寬度是硅的3倍；導(dǎo)熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8-10倍；電子飽和漂移速率為硅的2-3倍。優(yōu)勢體現(xiàn)在...

“實際上，它們是電動開關(guān)?！拔覀兛梢赃x擇這些電子開關(guān)的技術(shù)，它們可以啟用和禁用各種電機繞組，并有效地使電機旋轉(zhuǎn)?！庇糜诖斯δ艿漠斚铝餍械碾娮影雽?dǎo)體開關(guān)稱為IGBT。90%以上的汽車制造商都在使用它們。它們是根據(jù)需要將電池電流轉(zhuǎn)換成電機的低價的方法?！边@就是業(yè)界...

全球碳化硅襯底企業(yè)主要有CREE、II-VI、SiCrystal，國際企業(yè)相比國內(nèi)企業(yè)由于起步早，在產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗、技術(shù)成熟度、產(chǎn)能規(guī)模等方面具備優(yōu)勢，搶占了全球碳化硅襯底絕大部分的市場份額。隨著下游終端市場，新能源汽車、光伏、5G基站等領(lǐng)域的快速增長，為上游碳化...

碳化硅是技術(shù)密集型行業(yè)，對研發(fā)人員操作經(jīng)驗、資金投入有較高要求。國際巨頭半導(dǎo)體公司研發(fā)早于國內(nèi)公司數(shù)十年，提前完成了技術(shù)積累工作。因此，國內(nèi)企業(yè)存在人才匱乏、技術(shù)水平較低的困難，制約了半導(dǎo)體行業(yè)的產(chǎn)業(yè)化進程發(fā)展。而在碳化硅第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，行業(yè)整體處于產(chǎn)業(yè)化...

SiC材料具有良好的電學(xué)特性和力學(xué)特性，是一種非常理想的可適應(yīng)諸多惡劣環(huán)境的半導(dǎo)體材料。它禁帶寬度較大，具有熱傳導(dǎo)率高、耐高溫、抗腐蝕、化學(xué)穩(wěn)定性高等特點，以其作為器件結(jié)構(gòu)材料，可以得到耐高溫、耐高壓和抗腐蝕的SiC-MEMS器件，具有廣闊的市場和應(yīng)用前景。同...

以碳化硅為的第三代半導(dǎo)體材料，被譽為繼硅材料之后有前景的半導(dǎo)體材料之一，與硅材料相比，以碳化硅晶片為襯造的半導(dǎo)體器件具備高功率、耐高壓/高溫、高頻、低能耗、抗輻射能力強等優(yōu)點，可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體功率器件和5G通訊等領(lǐng)域。按照襯底電學(xué)性能的不同，碳化...

碳化硅sic的電學(xué)性質(zhì)SiC的臨界擊穿電場比常用半導(dǎo)體Si和GaAs都大很多，這說明SiC材料制作的器件可承受很大的外加電壓，具備很好的耐高特性。另外，擊穿電場和熱導(dǎo)率決定器件的最大功率傳輸能力。擊穿電場對直流偏壓轉(zhuǎn)換為射頻功率給出一個基本的界限，...

碳化硅sic的電學(xué)性質(zhì)SiC的臨界擊穿電場比常用半導(dǎo)體Si和GaAs都大很多，這說明SiC材料制作的器件可承受很大的外加電壓，具備很好的耐高特性。另外，擊穿電場和熱導(dǎo)率決定器件的最大功率傳輸能力。擊穿電場對直流偏壓轉(zhuǎn)換為射頻功率給出一個基本的界限，...

碳化硅襯備技術(shù)包括PVT法（物相傳輸法）、溶液法和HTCVD法（高溫氣相化學(xué)沉積法）等，目前國際上基本采用PVT法制備碳化硅單晶。SiC單晶生長經(jīng)歷3個階段，分別是Acheson法、Lely法、改良Lely法。利用SiC高溫升華分解特性，可采用升華...

設(shè)備制造商之間的一場大戰(zhàn)正在牽引逆變器領(lǐng)域展開，尤其是純電池電動汽車。一般來說，混合動力車正朝著48伏電池的方向發(fā)展。對于動力發(fā)明家來說，SiC對于混合動力車來說通常太貴了，盡管有例外。與混合動力一樣，純電池電動汽車由牽引逆變器組成。高壓母線將逆變器連接到蓄電...

碳化硅SiC的應(yīng)用前景 由于SiC具有上述眾多優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，不僅能夠作為一種良好的高溫結(jié)構(gòu)材料，也是一種理想的高溫半導(dǎo)體材料。近20年，伴隨薄膜制備技術(shù)的高速發(fā)展，SiC薄膜已經(jīng)被***應(yīng)用于保護涂層、光致發(fā)光、場效應(yīng)晶體管、薄膜發(fā)光二極管以及非晶Si...

功率半成品在成熟節(jié)點上制造。這些設(shè)備旨在提高系統(tǒng)的效率并將能量損失降至比較低。通常，它們的額定值是由電壓和其他規(guī)格決定的，而不是由工藝幾何形狀決定的。多年來，占主導(dǎo)地位的功率半技術(shù)一直（現(xiàn)在仍然）基于硅，即功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。功率M...