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氧化鋯陶瓷力學(xué)性能較好，其作為工程結(jié)構(gòu)材料應(yīng)用非常。氧化鋯陶瓷軸承的壽命穩(wěn)定性高于傳統(tǒng)滑動(dòng)和滾動(dòng)軸承，更加耐磨、抗腐蝕;氧化鋯陶瓷可以制作發(fā)動(dòng)機(jī)氣缸內(nèi)襯、活塞環(huán)等零件，在降低質(zhì)量的同時(shí)還可以提高熱效率;氧化鋯陶瓷閥門可以有效代替?zhèn)鹘y(tǒng)金屬合金閥門，尤...

隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展及制造技術(shù)的提高,氧化鋁陶瓷在現(xiàn)代工業(yè)和現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域中得到越來越的應(yīng)用。1)機(jī)械方面。有耐磨氧化鋁陶瓷襯磚、襯板、襯片,氧化鋁陶瓷釘,陶瓷密封件(氧化鋁陶瓷球閥),黑色氧化鋁陶瓷切削刀具,紅色氧化鋁陶瓷柱塞等。2)電子、電力方面。有各種氧...

通過瓷料配方設(shè)計(jì)摻雜降低瓷體燒結(jié)溫度氧化鋁陶瓷的燒結(jié)溫度主要由其化學(xué)組成中氧化鋁的含量來決定，氧化鋁含量越高，瓷料的燒結(jié)溫度越高，除此之外，還與瓷料組成系統(tǒng)、各組成配比以及添加物種類有關(guān)。因此，在保證瓷體滿足產(chǎn)品使用目的和技術(shù)要求的前提下，我們可以通過配方設(shè)計(jì)...

在磨削過程中，通過主動(dòng)輪帶動(dòng)砂帶運(yùn)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)磨削；接觸輪通常為材質(zhì)較軟的橡膠材料，其作用是支撐砂帶，保證砂帶與工件之間的接觸作用力；彈簧張緊機(jī)構(gòu)在磨削過程中能夠調(diào)節(jié)接觸輪與工件之間的作用力，容易控制，是磨削加工過程中常用的砂帶磨削機(jī)構(gòu)。圖2接觸輪式砂...

冷凍干燥法冷凍干燥法是一種先將氧化鋁陶瓷漿料冷凍，然后通過降壓使溶劑從固相直接升華成氣相，從而獲得多孔結(jié)構(gòu)的方法。該方法制備出的多孔氧化鋁陶瓷為聯(lián)通孔結(jié)構(gòu)，通過控制漿料中冰晶的生長方向，可以得到定向分布的孔洞，終燒結(jié)成為具有相應(yīng)結(jié)構(gòu)的多孔氧化鋁陶瓷。冷凍干燥法...

的中端功率半導(dǎo)體器件是IGBT，它結(jié)合了MOSFET和雙極晶體管的特性。IGBT用于400伏至10千伏的應(yīng)用。問題是功率MOSFET和IGBT正達(dá)到其理論極限，并遭受不必要的能量損失。一個(gè)設(shè)備可能會(huì)經(jīng)歷能量損失，原因有兩個(gè)：傳導(dǎo)和開關(guān)。傳導(dǎo)損耗是由于器件中的電...

碳化硅(SiC)由于其獨(dú)特的物理及電子特性，在一些應(yīng)用上成為比較好的半導(dǎo)體材料:短波長光電元件，高溫，抗幅射以及高頻大功率元件，由于碳化硅的寬能級，以其制成的電子元件可在極高溫下工作，可以抵受的電壓或電場八倍于硅或砷化鎵，特別適用于制造高壓大功率元件如高壓二極...

碳化硅（SiC）半導(dǎo)體器件在航空、航天探測、核能開發(fā)、衛(wèi)星、石油和地?zé)徙@井勘探、汽車發(fā)動(dòng)機(jī)等高溫（350～500oC）和抗輻射領(lǐng)域具有重要應(yīng)用； 高頻、高功率的碳化硅（SiC）器件在雷達(dá)、通信和廣播電視領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景；（目前航天和下屬...

全球碳化硅襯底企業(yè)主要有CREE、II-VI、SiCrystal，國際企業(yè)相比國內(nèi)企業(yè)由于起步早，在產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)、技術(shù)成熟度、產(chǎn)能規(guī)模等方面具備優(yōu)勢，搶占了全球碳化硅襯底絕大部分的市場份額。隨著下游終端市場，新能源汽車、光伏、5G基站等領(lǐng)域的快速增長，為上游碳化...

為提高生產(chǎn)效率并降低成本，大尺寸是碳化硅襯備技術(shù)的重要發(fā)展方向。襯底尺寸越大，單位襯底可制造的芯片數(shù)量越多，單位芯片成本越低。襯底的尺寸越大，邊緣的浪費(fèi)就越小，有利于進(jìn)一步降低芯片的成本。在半絕緣型碳化硅市場，目前主流的襯底產(chǎn)品規(guī)格為4英寸。在導(dǎo)電型碳化硅市場...

現(xiàn)在，SiC材料正在大舉進(jìn)入功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。一些的半導(dǎo)體器件廠商，如羅姆（ROHM）株式會(huì)社、英飛凌科技公司、Cree、飛兆國際電子有限公司等都在開發(fā)自己的SiC功率器件。英飛凌科技公司在今年推出了第5代SiC肖特基勢壘二極管，它結(jié)合了第3代產(chǎn)品的低容性電荷（...

因此，對于牽引逆變器，從IGBT轉(zhuǎn)移到SiCMOSFET是有意義的。但這并不是那么簡單，因?yàn)槌杀驹诘仁街衅鹬匾饔?。然而，特斯拉已?jīng)采取了冒險(xiǎn)行動(dòng)。該公司在其型號3中使用了意法半導(dǎo)體公司的SiCMOSFET，并補(bǔ)充說特斯拉也在使用其他供應(yīng)商。其他汽車制造商也...

半絕緣型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造氮化鎵射頻器件。通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進(jìn)一步制成氮化鎵射頻器件；導(dǎo)電型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造功率器件。與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化...

SiC碳化硅是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一：由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料。相比傳統(tǒng)的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁帶寬度是硅的3倍；導(dǎo)熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8-10倍；電子飽和漂移速率為硅的2-3倍。優(yōu)勢體現(xiàn)在...

現(xiàn)在，SiC材料正在大舉進(jìn)入功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。一些**的半導(dǎo)體器件廠商，如羅姆（ROHM）株式會(huì)社、英飛凌科技公司、Cree、飛兆國際電子有限公司等都在開發(fā)自己的SiC功率器件。英飛凌科技公司在今年推出了第5代SiC肖特基勢壘二極管，它結(jié)合了第3代產(chǎn)品的低容性電...

不同的SiC多型體在半導(dǎo)體特性方面表現(xiàn)出各自的特性。利用SiC的這一特點(diǎn)可以制作SiC不同多型體間晶格完全匹配的異質(zhì)復(fù)合結(jié)構(gòu)和超晶格，從而獲得性能較好的器件．其中6H-SiC結(jié)構(gòu)**為穩(wěn)定，適用于制造光電子器件：p-SiC比6H-SiC活潑，其電子遷移率比較高...

碳化硅是技術(shù)密集型行業(yè)，對研發(fā)人員操作經(jīng)驗(yàn)、資金投入有較高要求。國際巨頭半導(dǎo)體公司研發(fā)早于國內(nèi)公司數(shù)十年，提前完成了技術(shù)積累工作。因此，國內(nèi)企業(yè)存在人才匱乏、技術(shù)水平較低的困難，制約了半導(dǎo)體行業(yè)的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程發(fā)展。而在碳化硅第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，行業(yè)整體處于產(chǎn)業(yè)化...

經(jīng)過數(shù)十年不懈的努力，目前，全球只有少數(shù)的大學(xué)和研究機(jī)構(gòu)研發(fā)出了碳化硅晶體生長和加工技術(shù)。在產(chǎn)業(yè)化方面，只有以美國Cree為**的少數(shù)幾家能夠提供碳化硅晶片，國內(nèi)的碳化硅晶片的需求全賴于進(jìn)口。目前，全球市場上碳化硅晶片價(jià)格昂貴，一片2英寸碳化硅晶片的國...

現(xiàn)在，SiC材料正在大舉進(jìn)入功率半導(dǎo)體領(lǐng)域。一些**的半導(dǎo)體器件廠商，如羅姆（ROHM）株式會(huì)社、英飛凌科技公司、Cree、飛兆國際電子有限公司等都在開發(fā)自己的SiC功率器件。英飛凌科技公司在今年推出了第5代SiC肖特基勢壘二極管，它結(jié)合了第3代產(chǎn)品的低容性電...

“實(shí)際上，它們是電動(dòng)開關(guān)?！拔覀兛梢赃x擇這些電子開關(guān)的技術(shù)，它們可以啟用和禁用各種電機(jī)繞組，并有效地使電機(jī)旋轉(zhuǎn)。”用于此功能的當(dāng)下流行的電子半導(dǎo)體開關(guān)稱為IGBT。90%以上的汽車制造商都在使用它們。它們是根據(jù)需要將電池電流轉(zhuǎn)換成電機(jī)的低價(jià)的方法。”這就是業(yè)界...

碳化硅被譽(yù)為下一代半導(dǎo)體材料，因?yàn)槠渚哂斜姸鄡?yōu)異的物理化學(xué)特性，被廣泛應(yīng)用于光電器件、高頻大功率、高溫電子器件。本文闡述了SiC研究進(jìn)展及應(yīng)用前景，從光學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)、熱穩(wěn)定性、化學(xué)性質(zhì)、硬度和耐磨性、摻雜物六個(gè)方面介紹了SiC的性能。SiC有高的硬度與熱穩(wěn)...

碳化硅（SIC）是半導(dǎo)體界公認(rèn)的“一種未來的材料”，是新世紀(jì)有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ男滦桶雽?dǎo)體材料。預(yù)計(jì)在今后5～10年將會(huì)快速發(fā)展和有***成果出現(xiàn)。促使碳化硅發(fā)展的主要因素是硅（SI）材料的負(fù)載量已到達(dá)極限，以硅作為基片的半導(dǎo)體器件性能和能力極限已無可突破的空間。...

隨著全球電子信息及太陽能光伏產(chǎn)業(yè)對硅晶片需求量的快速增長，硅晶片線切割用碳化硅微粉的需求量也正在迅速增加。以碳化硅（SiC）及GaN為**的寬禁帶材料，是繼Si和GaAs之后的第三代半導(dǎo)體。與Si及GaAs相比，SiC具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、...

SiC碳化硅是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一：由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料。相比傳統(tǒng)的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁帶寬度是硅的3倍；導(dǎo)熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8-10倍；電子飽和漂移速率為硅的2-3倍。優(yōu)勢體現(xiàn)在...

SiC電子器件是微電子器件領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。SiC材料的擊穿電場有4MV/cm，很適合于制造高壓功率器件的有源層。而由于SiC襯底存在缺點(diǎn)等原因，將它直接用于器件制造時(shí)，性能不好。SiC襯底經(jīng)過外延之后，其表面缺點(diǎn)減少，晶格排列整齊，表面形貌良好...

碳化硅襯底成本下降趨勢可期。在碳化硅器件成本結(jié)構(gòu)中，襯底成本約占50%。碳化硅襯底較低的供應(yīng)量和較高的價(jià)格一直是制約碳化硅基器件大規(guī)模應(yīng)用的主要因素之一，碳化硅襯底需要在2500度高溫設(shè)備下進(jìn)行生產(chǎn)，而硅晶只需1500度；碳化硅晶圓約需要7至10天，而硅晶棒只...

功率半成品在成熟節(jié)點(diǎn)上制造。這些設(shè)備旨在提高系統(tǒng)的效率并將能量損失降至比較低。通常，它們的額定值是由電壓和其他規(guī)格決定的，而不是由工藝幾何形狀決定的。多年來，占主導(dǎo)地位的功率半技術(shù)一直（現(xiàn)在仍然）基于硅，即功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。功率M...

相同規(guī)格的碳化硅基MOSFET與硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅減小至原來的1/10，導(dǎo)通電阻可至少降低至原來的1/100。相同規(guī)格的碳化硅基MOSFET較硅基IGBT的總能量損耗可降低70%。碳化硅功率器件具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨(dú)特優(yōu)勢...

不同的SiC多型體在半導(dǎo)體特性方面表現(xiàn)出各自的特性。利用SiC的這一特點(diǎn)可以制作SiC不同多型體間晶格完全匹配的異質(zhì)復(fù)合結(jié)構(gòu)和超晶格，從而獲得性能較好的器件．其中6H-SiC結(jié)構(gòu)**為穩(wěn)定，適用于制造光電子器件：p-SiC比6H-SiC活潑，其電子遷移率比較高...

隨著下游新能源汽車、充電樁、光伏、5G基站等領(lǐng)域的爆發(fā)，了對第三代半導(dǎo)體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場需求，國內(nèi)眾多企業(yè)紛紛通過加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)與資本投入布局碳化硅產(chǎn)業(yè)，我們首先來探討一下碳化硅襯底的國產(chǎn)化進(jìn)程。碳化硅分為立方相（閃鋅礦結(jié)構(gòu)）、六方相...