【真空鍍膜機操作工藝流程】首先開水、電、氣→總電源→開維持泵→開擴散泵加熱→開粗抽泵→開預(yù)抽閥→關(guān)預(yù)抽閥→開粗抽閥→開羅茨泵→如有離子轟擊，開轟擊30秒，關(guān)轟擊→開真空計→當真空到6.0~7.0pa時，關(guān)粗抽閥→開前置閥→開精抽閥，當真空達到7x10-3pa，開轉(zhuǎn)架→開始鍍膜操作→鍍膜完畢后，關(guān)閉真空計、離子源→關(guān)精抽閥，前置閥→關(guān)羅茨泵→開抽氣閥，取件→上料，反復(fù)開始操作。 特別注意： 1.設(shè)備停用時，鍍膜室要保持真空狀態(tài)，減少內(nèi)表面氣體的吸附，防止氧化。 2.冷卻水通道場下才能對擴散泵進行加熱，未經(jīng)充分冷卻的泵不得與da氣接觸，防止氧化。 3.要保證機器內(nèi)擴散泵和機械泵的油定期檢查和更換。 4.設(shè)備運行中遇有停電或其它事故發(fā)生，須先停擴散泵，關(guān)精抽閥，前置閥和真空計。 5.產(chǎn)品做完下班后，關(guān)了擴散泵后須待溫度降低至60℃后才能關(guān)維持泵。 真空鍍膜機故障維修技巧有哪些？湖南二手蒸發(fā)真空鍍膜機

【濺鍍工藝的原理】以幾十電子伏特或更高動能的荷電粒子轟擊材料表面，使其濺射出進入氣相，可用來刻蝕和鍍膜。入射一個離子所濺射出的原子個數(shù)稱為濺射產(chǎn)額(Yield)產(chǎn)額越高濺射速度越快，以Cu,Au,Ag等*高，Ti,Mo,Ta,W等*低。一般在0.1-10原子/離子。 離子可以直流輝光放電(glow discharge)產(chǎn)生，在10-1—10 Pa真空度，在兩極間加高壓產(chǎn)生放電，正離子會轟擊負電之靶材而濺射也靶材，而鍍至被鍍物上。 正常輝光放電(glow discharge)的電流密度與陰極物質(zhì)與形狀、氣體種類壓力等有關(guān)。濺鍍時應(yīng)盡可能維持其穩(wěn)定。 任何材料皆可濺射鍍膜，即使高熔點材料也容易濺鍍，但對非導(dǎo)體靶材須以射頻（RF）或脈沖（pulse）濺射；且因?qū)щ娦暂^差，濺鍍功率及速度較低。金屬濺鍍功率可達10W/cm2,非金屬＜5W/cm2。 河北實驗室真空鍍膜機真空鍍膜機故障解決方法？

【真空鍍膜之磁控濺射鍍膜】 磁控濺射對陰極濺射中電子使基片溫度上升過快的缺點加以改良,形成了電場和磁場方向相互垂直的特點。在正交的電磁場的作用下,電子以擺線的方式沿著靶表面前進,從而xianzhu地延長了電子的運動路程,增加了同工作氣體分子的碰撞幾率,提高了電子的電離效率。由于電子每經(jīng)過一次碰撞損失一部分動能,經(jīng)過多次碰撞后,喪失了能量成為“*終電子”進入離陰極靶面較遠的弱電場區(qū),*后到達陽極時已經(jīng)是能量消耗殆盡的低能電子,也就不再會使基片過熱。同時高密度等離子體被束縛在靶面附近,又不與基片接觸,這樣電離產(chǎn)生的正離子能十分有效地轟擊靶面,而基片又可免受等離子體的轟擊,因而基片溫度又可降低。在濺射儀起輝以后,并不把樣品轉(zhuǎn)入陽極的生長位置,也不通循環(huán)水,使樣品隨放電的熱能而逐漸升高至一定溫度后,才開始生長,以減小應(yīng)力,獲得牢固度較高的薄膜。另外在樣品盤中還安裝了溫控儀(精度小于1℃)以監(jiān)控薄膜生長過程中的樣品溫度。

【真空鍍膜機之卷繞機構(gòu)設(shè)計中應(yīng)考慮的問題】 ①提高卷繞速度的問題。卷繞速度即是帶狀基材運動的線速度，它是卷繞機構(gòu)的一個主要技術(shù)指櫟。國內(nèi)早期鍍膜機卷繞速度只有10m/min，現(xiàn)在也只有80m/min～120m/min，在國外日本的EW系列產(chǎn)品中，其卷繞速度已達到300m/min，德國L．H公司生產(chǎn)的鍍膜機已達到600m/min，可見隨著鍍膜技術(shù)的發(fā)展，卷繞速度有待提高。 ②帶狀基材的線速恒定問題。這一問題也很重要，因為只有卷繞機構(gòu)保證帶狀基材的線速恒定，才能使基材上鍍層厚度均勻。這一點對制備帶狀基材的功能性膜（如電容器膜）尤為重要。 ③帶狀基材的跑偏和起褶問題。隨著卷繞速度的提高，帶狀基材在卷繞鍍膜過程中，起褶和發(fā)生偏斜，嚴重時會造成基材的斷裂，使生產(chǎn)中斷，既影響生產(chǎn)效率，又浪費材料。因此，在卷繞機構(gòu)的設(shè)計中應(yīng)充分考慮這一問題。 真空鍍膜機日常怎么維護？

【真空鍍膜之磁控濺射】在陰極靶表面形成一正交電磁場，在此區(qū)電子密度高，進而提高離子密度，使得濺鍍率提高(一個數(shù)量級)，濺射速度可達0.1—1 um/min膜層附著力較蒸鍍佳，是目前*實用的鍍膜技術(shù)之一。其它有偏壓濺射、反應(yīng)濺射、離子束濺射等鍍膜技術(shù) 濺鍍機設(shè)備與工藝濺鍍機由真空室，排氣系統(tǒng)，濺射源和控制系統(tǒng)組成。濺射源又分為電源和濺射qiang（sputter gun）。磁控濺射qiang分為平面型和圓柱型，其中平面型分為矩型和圓型，靶材料利用率30- 40%，圓柱型靶材料利用率>50% 濺射電源分為：直流（DC）、射頻（RF）、脈沖（pulse）， 直流：800-1000V（Max）導(dǎo)體用，須可災(zāi)弧。 射頻：13.56MHZ，非導(dǎo)體用。 脈沖：泛用，*新發(fā)展出 真空鍍膜機的生產(chǎn)廠家。山東二手光學(xué)真空鍍膜機

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【真空鍍膜機清洗工藝之放電清洗】利用熱絲或電極作為電子源，在其相對于待清洗的表面加負偏壓可以實現(xiàn)離子轟擊的氣體解吸及某些碳氫化合物的去除。清洗效果取決于電極材料、幾何形狀及其與表面的關(guān)系。即取決于單位表面積上的離子數(shù)和離子能量，從而取決于有效電功率。在真空室中充入適當分壓力的惰性氣體(典型的如Ar氣)，可以利用兩個適當?shù)碾姌O間的低壓下的輝光放電產(chǎn)生的離子轟擊來達到清洗的目的。該方法中，惰性氣體被離化并轟擊真空室內(nèi)壁、真空室內(nèi)的其它結(jié)構(gòu)件及被鍍基片，它可以使某些真空系統(tǒng)免除被高溫烘烤。如果在充入的氣體中加入氧氣，對某些碳氫化合物可以獲得更好的清洗效果。因為氧氣可以使某些碳氫化合物氧化生成易揮發(fā)性氣體而容易被真空系統(tǒng)排除。不銹鋼高真空和超高真空容器表面上雜質(zhì)的主要成分是碳和碳氫化合物。一般情況下，其中的碳不能單獨揮發(fā)．經(jīng)化學(xué)清洗后，需要引入Ar或Ar+O2混合氣體進行輝光放電清洗，使表面上的雜質(zhì)和由于化學(xué)作用被束縛在表面上的氣體得到qing除。湖南二手蒸發(fā)真空鍍膜機

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