Ia與Il成正比,即當(dāng)光電二極管的光電流增大時,光控晶閘管的輸出電流也相應(yīng)增大,同時Il的增大,使BGl、BG2的電流放大系數(shù)a1、a2也增大。當(dāng)al與a2之和接近l時,光控晶閘管的Ia達到**大,即完全導(dǎo)通。能使光控晶閘管導(dǎo)通的**小光照度,稱其為導(dǎo)通光照度。光控晶閘管與普通晶閘管一樣,一經(jīng)觸發(fā),即成通導(dǎo)狀態(tài)。只要有足夠強度的光源照射一下管子的受光窗口,它就立即成為通導(dǎo)狀態(tài),而后即使撤離光源也能維持導(dǎo)通,除非加在陽極和陰極之間的電壓為零或反相,才能關(guān)閉。3.光控晶閘管的特性為了使光控晶閘管能在微弱的光照下觸發(fā)導(dǎo)通,因此必須使光控晶閘管在極小的控制電流下能可靠地導(dǎo)通。這樣光控晶閘管受到了高溫和...
晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項編輯1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動和負(fù)載在起動時一般都比其額定電流大幾倍,且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,建議您在選取模塊電流規(guī)格時應(yīng)留出適當(dāng)裕量。推薦選擇如下:阻性負(fù)載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍。2、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時(即模塊高輸入電壓、低輸出電壓)輸出較大電流,這樣會使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值,不是有效值,所以,盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標(biāo)稱值,但有效值會超過模塊標(biāo)稱值的幾倍。因此,要求模塊應(yīng)在較大導(dǎo)通角下(100...
認(rèn)識半導(dǎo)體晶閘管晶閘管又被稱做可控硅整流器,以前被簡稱為可控硅。1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品,并于1958年將其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),形成三個PN結(jié),分別稱:陽極,陰極和控制極。圖1晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管在工作過程中,它的陽極(A)和陰極(K)與電源和負(fù)載連接,組成晶閘管的主電路。晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。工作過程加正向電壓且門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才導(dǎo)通,這是晶閘管的閘流特性,即可控特性。若晶閘管承受反向陽極電壓時,不管門極承受何種電壓,晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。晶閘管在導(dǎo)通情況下,當(dāng)主回路電壓(或電流)減...
而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從其中陽極向陰極單方行為向?qū)?,所以采用可控硅有單雙向關(guān)系之分。電子生產(chǎn)中常用的SCR,單向MCR-100,雙向TLC336等雙向可控硅按象限來分,又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝、外絕緣全塑料包裝;按觸發(fā)電流來分:分為微觸型、高靈敏度型、標(biāo)準(zhǔn)觸發(fā)型;按電壓分:常規(guī)工作電壓進行品種、高壓品種。可控硅產(chǎn)品由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優(yōu)點,自上個世紀(jì)六十長代以來,獲得了迅猛發(fā)展,并已形成了一門單獨的學(xué)科?!熬чl管交流技術(shù)”??煽毓璋l(fā)展到,在工藝上已經(jīng)非常成熟,質(zhì)量更好,收率有了很大的提高,并向高壓大電...
[1]維持電流I:是指晶閘管維持導(dǎo)通所必需的**小電流,一般為幾十到幾百毫安。IH與結(jié)溫有關(guān),結(jié)溫越高,則I越小。擎住電流I:是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號后,能維持導(dǎo)通所需的**小電流。對同一晶閘管來說,通常I約為I的2~4倍。[1]浪涌電流I:浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結(jié)溫超過額定結(jié)溫的不重復(fù)性**大正向過載電流。斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt:是指在額定結(jié)溫、門極開路的情況下,不能使晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓**大上升率。通態(tài)電流臨界上升率di/dt:指在規(guī)定條件下,晶閘管能承受的**大通態(tài)電流上升率。如果di/dt過大,在晶閘管剛開通時會有很大的電流集中在門極附近...
下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔,測量任意兩腳間的電阻,*當(dāng)黑表筆接G極,紅表筆接K極時,電阻呈低阻值,對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極,剩下的就是A極。(此處指的模擬表,電子式萬用表紅表筆與電池正極相連,模擬表紅表筆與電池負(fù)極相連)光控晶閘管晶閘管光控晶閘管(LightTriggeredThyristor——LTT),又稱光觸發(fā)晶閘管。國內(nèi)也稱GK型光開關(guān)管,是一種光敏器件。1.光控晶閘管的結(jié)構(gòu)通常晶閘管有三個電極:控制極G、陽極A和陰極K。而光控晶閘管由于其控制信號來自光...
當(dāng)主回路電壓(或電流)減小到接近于零時,晶閘管關(guān)斷。工作過程/晶閘管編輯概述晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個PN結(jié)圖1,可以把它中間的NP分成兩部分,構(gòu)成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復(fù)合管,圖2晶閘管當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時,為使晶閘管導(dǎo)通,必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此,兩個互相復(fù)合的晶體管電路,當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時,就會形成強烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2;發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik;電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1...
晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板,采用了采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路。中文名晶閘管智能模塊特點三相交流模塊輸出對稱性好等優(yōu)點功耗低,效率高等適用溫度-25℃~+45℃目錄1模塊特點2模塊規(guī)格3注意事項4模塊參數(shù)晶閘管智能模塊模塊特點編輯(1)本產(chǎn)品均采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,實現(xiàn)了控制電路和晶閘管主電路集成一體化,使模塊具備了弱電控制強電的電力調(diào)控作用。(2)采用進口方形芯片,模塊壓降小、功耗低,效率高;采用進口貼片元件,保證觸發(fā)控制電路的可靠性;采用(DCB)陶瓷覆銅板,導(dǎo)熱性能好,熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)高于國家標(biāo)準(zhǔn)近10倍;采用高級導(dǎo)熱絕緣封裝材料,絕緣、防潮性能優(yōu)良。(3)觸發(fā)控制電路、主電路...
測量時黑表筆接陽極A,紅表筆接陰極K,此時表針不動,顯示阻值為無窮大(∞)。用鑷子或?qū)Ь€將晶閘管的陽極A與門極短路(見圖2),相當(dāng)于給G極加上正向觸發(fā)電壓,此時若電阻值為幾歐姆至幾十歐姆(具體阻值根據(jù)晶閘管的型號不同會有所差異),則表明晶閘管因正向觸發(fā)而導(dǎo)通。再斷開A極與G極的連接(A、K極上的表筆不動,只將G極的觸發(fā)電壓斷掉)。若表針示值仍保持在幾歐姆至幾十歐姆的位置不動,則說明此晶閘管的觸發(fā)性能良好。特殊的晶閘管/晶閘管編輯雙向晶閘管TRIAC晶閘管從外表上看,雙向晶閘管和普通晶閘管很相似,也有三個電極。但是,它除了其中一個電極G仍叫做控制極外,另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極,而統(tǒng)稱...
當(dāng)選擇替代晶閘管,無論什么參數(shù),不要有太多的左邊距,它應(yīng)該是盡可能接近的取代晶閘管的參數(shù),由于過度保證金不造成浪費,而且有時副作用,即沒有觸發(fā),或不敏感等。另外,還要留意兩個晶閘管的外形要相同,否則會給企業(yè)安裝管理工作發(fā)展帶來一些不利。晶閘管的工作原理的陽極A和陰極K,其陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,形成晶閘管的主電路,晶閘管的柵極G和陰極與控制晶閘管的裝置連接,形成晶閘管的控制電路。晶閘管的工作條件:1.當(dāng)晶閘管承受反向陽極電壓時,無論門極電壓是多少,晶閘管都會被關(guān)閉。2.當(dāng)所述晶閘管的陽極電壓是正向,在晶閘管的柵極電壓是正向傳導(dǎo)只的情況。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下,只要有一定的正向影響陽極工...
下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔,測量任意兩腳間的電阻,*當(dāng)黑表筆接G極,紅表筆接K極時,電阻呈低阻值,對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極,剩下的就是A極。(此處指的模擬表,電子式萬用表紅表筆與電池正極相連,模擬表紅表筆與電池負(fù)極相連)光控晶閘管晶閘管光控晶閘管(LightTriggeredThyristor——LTT),又稱光觸發(fā)晶閘管。國內(nèi)也稱GK型光開關(guān)管,是一種光敏器件。1.光控晶閘管的結(jié)構(gòu)通常晶閘管有三個電極:控制極G、陽極A和陰極K。而光控晶閘管由于其控制信號來自光...
或電流)的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時晶閘管處于正向?qū)顟B(tài)。3.一旦晶閘管開始導(dǎo)通,它就被鉗住在導(dǎo)通狀態(tài),而此時門極電流可以取消。晶閘管不能被門極關(guān)斷,像一個二極管一樣導(dǎo)通,直到電流降至零和有反向偏置電壓作用在晶閘管上時,它才會截止。當(dāng)晶閘管再次進入正向阻斷狀態(tài)后,允許門極在某個可控的時刻將晶閘管再次觸發(fā)導(dǎo)通。晶閘管可用兩個不同極性(P-N-P和N-P-N)晶體管來模擬,如圖G1所示。當(dāng)晶閘管的柵極懸空時,BG1和BG2都處于截止?fàn)顟B(tài),此時電路基本上沒有電流流過負(fù)載電阻RL,當(dāng)柵極輸入一個正脈沖電壓時BG2道通,使BG1的基極電位下降,BG1因此開始道通,BG1的道通使得BG2的基極電位進一步升...
4.可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管亦稱門控晶閘管。其主要特點是,當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關(guān)斷。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點,以具有自關(guān)斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。它的容量及使用壽命均超過巨型晶體管。目前,大功率可關(guān)斷晶閘管已廣用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,顯示出強大的生命力。5.光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管,是一種光敏器件。由于其控制信號來自光的照射,沒有必要再引出控制極,所以只有兩個電極(陽極A和陰極K),結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣,是由四層PNPN器件構(gòu)成。圖2光控晶閘管符號圖當(dāng)在光控晶閘管的陽極加上正向電壓,陰極加上負(fù)向電壓時,控晶閘管可以...
晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板,采用了采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路。中文名晶閘管智能模塊特點三相交流模塊輸出對稱性好等優(yōu)點功耗低,效率高等適用溫度-25℃~+45℃目錄1模塊特點2模塊規(guī)格3注意事項4模塊參數(shù)晶閘管智能模塊模塊特點編輯(1)本產(chǎn)品均采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,實現(xiàn)了控制電路和晶閘管主電路集成一體化,使模塊具備了弱電控制強電的電力調(diào)控作用。(2)采用進口方形芯片,模塊壓降小、功耗低,效率高;采用進口貼片元件,保證觸發(fā)控制電路的可靠性;采用(DCB)陶瓷覆銅板,導(dǎo)熱性能好,熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)高于國家標(biāo)準(zhǔn)近10倍;采用高級導(dǎo)熱絕緣封裝材料,絕緣、防潮性能優(yōu)良。(3)觸發(fā)控制電路、主電路...
[1]維持電流I:是指晶閘管維持導(dǎo)通所必需的**小電流,一般為幾十到幾百毫安。IH與結(jié)溫有關(guān),結(jié)溫越高,則I越小。擎住電流I:是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號后,能維持導(dǎo)通所需的**小電流。對同一晶閘管來說,通常I約為I的2~4倍。[1]浪涌電流I:浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結(jié)溫超過額定結(jié)溫的不重復(fù)性**大正向過載電流。斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt:是指在額定結(jié)溫、門極開路的情況下,不能使晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓**大上升率。通態(tài)電流臨界上升率di/dt:指在規(guī)定條件下,晶閘管能承受的**大通態(tài)電流上升率。如果di/dt過大,在晶閘管剛開通時會有很大的電流集中在門極附近...
適應(yīng)多于六個晶閘管元件的各種大型可控整流設(shè)備。具有完善故障、報警檢測和保護功能。實時檢測過流、過壓、反饋丟失、控制板內(nèi)部故障。設(shè)有開機給定回零、軟啟動、截流、截壓、急停保護。調(diào)試簡便,數(shù)控板調(diào)試不用示波器和萬用表。每一塊控制板均經(jīng)過了嚴(yán)格的軟件測試、硬件老化,以確保工作穩(wěn)定可靠。三相晶閘管觸發(fā)板適用電路①三相全控橋式可控整流電路。②帶平衡電抗器的雙反星形可控整流電路。③變壓器原邊交流調(diào)壓,副邊二極管整流電路。④三相零式整流電路。⑤三相半控橋式可控整流電路。⑥三相交流相控調(diào)壓電路⑦三相五柱式雙反星形可控硅整流電路三相晶閘管觸發(fā)板正常使用條件⑴海拔高度不超過2000M。⑵環(huán)境溫度:-40℃-+50...
Ia與Il成正比,即當(dāng)光電二極管的光電流增大時,光控晶閘管的輸出電流也相應(yīng)增大,同時Il的增大,使BGl、BG2的電流放大系數(shù)a1、a2也增大。當(dāng)al與a2之和接近l時,光控晶閘管的Ia達到**大,即完全導(dǎo)通。能使光控晶閘管導(dǎo)通的**小光照度,稱其為導(dǎo)通光照度。光控晶閘管與普通晶閘管一樣,一經(jīng)觸發(fā),即成通導(dǎo)狀態(tài)。只要有足夠強度的光源照射一下管子的受光窗口,它就立即成為通導(dǎo)狀態(tài),而后即使撤離光源也能維持導(dǎo)通,除非加在陽極和陰極之間的電壓為零或反相,才能關(guān)閉。3.光控晶閘管的特性為了使光控晶閘管能在微弱的光照下觸發(fā)導(dǎo)通,因此必須使光控晶閘管在極小的控制電流下能可靠地導(dǎo)通。這樣光控晶閘管受到了高溫和...
4.可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管亦稱門控晶閘管。其主要特點是,當(dāng)門極加負(fù)向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關(guān)斷。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點,以具有自關(guān)斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。它的容量及使用壽命均超過巨型晶體管。目前,大功率可關(guān)斷晶閘管已廣用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,顯示出強大的生命力。5.光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管,是一種光敏器件。由于其控制信號來自光的照射,沒有必要再引出控制極,所以只有兩個電極(陽極A和陰極K),結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣,是由四層PNPN器件構(gòu)成。圖2光控晶閘管符號圖當(dāng)在光控晶閘管的陽極加上正向電壓,陰極加上負(fù)向電壓時,控晶閘管可以...
而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從其中陽極向陰極單方行為向?qū)?,所以采用可控硅有單雙向關(guān)系之分。電子生產(chǎn)中常用的SCR,單向MCR-100,雙向TLC336等雙向可控硅按象限來分,又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝、外絕緣全塑料包裝;按觸發(fā)電流來分:分為微觸型、高靈敏度型、標(biāo)準(zhǔn)觸發(fā)型;按電壓分:常規(guī)工作電壓進行品種、高壓品種??煽毓璁a(chǎn)品由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優(yōu)點,自上個世紀(jì)六十長代以來,獲得了迅猛發(fā)展,并已形成了一門單獨的學(xué)科?!熬чl管交流技術(shù)”??煽毓璋l(fā)展到,在工藝上已經(jīng)非常成熟,質(zhì)量更好,收率有了很大的提高,并向高壓大電...
引起了電子雪崩,粒界層迅速變成低阻抗,電流迅速增加,泄漏了能量,抑制了過電壓,從而使晶閘管得到保護。浪涌過后,粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數(shù)來表示。標(biāo)稱電壓:當(dāng)參考壓敏電阻直流1mA電流流動,它兩端的電壓值。通流數(shù)據(jù)容量:是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形進行沖擊以及電流,每隔5分鐘沖擊1次,共沖擊10次,標(biāo)稱工作電壓發(fā)生變化在-10[%]以內(nèi)的大經(jīng)濟沖擊產(chǎn)生電流值來表示。因為企業(yè)正常的壓敏電阻粒界層只有通過一定程度大小的放電容量和放電次數(shù),標(biāo)稱電壓值不會隨著研究放電次數(shù)不斷增多而下降,而且也隨著不同放電產(chǎn)生電流幅值的增大而下降,當(dāng)大到某一部分電流時,標(biāo)稱電壓下降到0,...
如果把左邊從下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的話,那么右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向,它們之間正好是一正一反地并聯(lián)在一起。我們把這種聯(lián)接叫做反向并聯(lián)。因此,從電路功能上可以把它等效成圖3(c),也就是說,一個雙向晶閘管在電路中的作用是和兩只普通晶閘管反向并聯(lián)起來等效的。這也正是雙向晶閘管為什么會有雙向控制導(dǎo)通特性的根本原因。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣,必須在陽極和陰極之間加上正向電壓,管子才能導(dǎo)通。對雙向晶閘管來說,無所謂陽極和陰極。它的任何一個主電極,對圖3(b)中的兩個晶閘管管子來講,對一個管子是陽極,對另一個管子就是陰極,反過來也一樣。因此,雙向晶閘管...
1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動和負(fù)載在起動時一般都比其額定電流大幾倍,且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,建議您在選取模塊電流規(guī)格時應(yīng)留出適當(dāng)裕量。推薦選擇如下:阻性負(fù)載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍。2、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時(即模塊高輸入電壓、低輸出電壓)輸出較大電流,這樣會使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值,不是有效值,所以,盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標(biāo)稱值,但有效值會超過模塊標(biāo)稱值的幾倍。因此,要求模塊應(yīng)在較大導(dǎo)通角下(100度以上)工作。3、控制電源要求(1)電壓為DC12V...