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電壓和電流的選擇。額定電壓越大，器件的成本就越高。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護(hù)，使MOSFET不 會(huì)失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓，即較大VDS。設(shè)計(jì)工程師需要考慮的其他安全因素...

什么是三極管，三極管，不管是在模電還是數(shù)電中都是常見的電子器件，利用它的特性，在模電中通常作放大作用，而在數(shù)電中則作開關(guān)或者邏輯轉(zhuǎn)換。三極管的主要結(jié)構(gòu)是PN結(jié)，可以是NPN組合，也可以是PNP組合。三極管較基本的作用是放大，把微弱的電信號(hào)放大成一定強(qiáng)度的信號(hào)，...

三極管的作用：代換，三極管的作用之四就是代換作用，在一定情況下與某些電子元器件相結(jié)合可代換其它器件，完成相應(yīng)功能。比如：兩只三極管串聯(lián)可代換調(diào)光臺(tái)燈中的雙向觸發(fā)二極管;在某些電路中，三極管可以代換8V的穩(wěn)壓管，代換30V的穩(wěn)壓管等等。三極管的分類：1、按材質(zhì)分...

什么是三極管？三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也被稱為雙極型晶體管或晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件。它的主要功能是將微弱的電信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，同時(shí)也被用作無觸點(diǎn)開關(guān)。三極管的分類，根據(jù)結(jié)構(gòu)和工作原理的不同，三極管可以分為NPN型和PNP型兩種...

三極管（英語：transistor）是一種電子器件，具有電流放大作用。三極管的三個(gè)電極連接著交流電源的正負(fù)極，中間部分是基區(qū)。當(dāng)基區(qū)加上正向電壓時(shí)，集電結(jié)正偏而形成發(fā)射結(jié)；反之集電結(jié)反偏而形成漏極-源二極。三極管是電子設(shè)備中較重要的無源元件之一，在電路中用"v...

三極管的分類：1、按材質(zhì)分: 硅管（導(dǎo)通壓降0.7V）、鍺管（導(dǎo)通壓降0.3V）。2、按結(jié)構(gòu)分: NPN 、 PNP。3、按功能分: 開關(guān)管、功率管、達(dá)林頓管、光敏管。達(dá)林頓管：又叫復(fù)合管，將兩個(gè)三極管串聯(lián)，以組成一只等效的新的三極管。接法總共有4種：NPN+...

二極管的反向特性：當(dāng)外加反向電壓時(shí)，所加的反向電壓加強(qiáng)了內(nèi)電場(chǎng)對(duì)多數(shù)載流子的阻擋，所以二極管中幾乎沒有電流通過。但是這時(shí)的外電場(chǎng)能促使少數(shù)載流子漂移，所以少數(shù)載流子形成很小的反向電流。由于少數(shù)載流子數(shù)量有限，只要加不大的反向電壓就可以使全部少數(shù)載流子越過PN結(jié)...

雪崩二極管，雪崩二極管的英文名稱為Avalanche diode，它是利用半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中載流子的碰撞電離和渡越時(shí)間兩種物理效應(yīng)而產(chǎn)生負(fù)阻的固體微波器件。當(dāng)反向電壓增大到一定數(shù)值時(shí)，PN結(jié)被反向擊穿，載流子倍增就像雪崩一樣，反向電流突然快速增加。雪崩二極管用于在特...

反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊...

MOS場(chǎng)效應(yīng)管，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的...

二極管保護(hù)：二極管可用于保護(hù)電路免受電壓峰值和電磁干擾等影響。在電路中加入二極管后，可以有效地限制電壓，保護(hù)電路不受損壞。穩(wěn)壓：二極管還可以作為穩(wěn)壓器使用，它可以在電路中提供一個(gè)固定的電壓，使電路的工作更加穩(wěn)定。二極管的實(shí)際案例解說：整流器：二極管被普遍應(yīng)用于...

三極管的飽和狀態(tài)，當(dāng)三極管發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏時(shí)，三極管工作在飽和狀態(tài)。在飽和狀態(tài)下，三極管集電極電流ic的大小已經(jīng)不受基極電流ib的控制，ic與ib不再成比例關(guān)系。飽和狀態(tài)下的三極管基極電流ib變大時(shí)，集電極電流ic也不會(huì)變大了，這就相當(dāng)于水龍頭的開關(guān)已經(jīng)...

交流二極管（DIAC）、突波保護(hù)二極管、雙向觸發(fā)二極管，當(dāng)施加超過規(guī)定電壓（Break Over電壓，VBO）的電壓會(huì)開始導(dǎo)通使得端子之間的電壓降低的雙方向元件。用于電路的突波保護(hù)上。另，雖被稱為二極管，實(shí)際的構(gòu)造、動(dòng)作原理都應(yīng)歸類為閘流管/可控硅整流器的復(fù)雜...

三極管具有電流放大作用，能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量，也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。三極管的簡(jiǎn)介，三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件，是半導(dǎo)體基本元器件之一，是電子電路的主要元件，具有電流放大作用，三極管是在一塊半導(dǎo)體...

三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種電流控制電流的半導(dǎo)體器件·其作用是把微弱信號(hào)放大成輻值較大的電信號(hào)，具有電流放大作用，也用作無觸點(diǎn)開關(guān)，是電子電路的主要元件。三極管的作用：1、放大作用。三極管的單向?qū)щ娦裕沟盟苋菀装研盘?hào)放...

三極管顧名思義具有三個(gè)電極。二極管是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的，而三極管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，共用的一個(gè)電極成為三極管的基極(用字母B表示——B取自英文Base，基本的、基礎(chǔ)的)，其他的兩個(gè)電極分別稱為集電極(用字母C表示——C取自英文Collector，收集)和發(fā)射極(...

溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理：vGS對(duì)iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況，增強(qiáng)型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個(gè)背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵——源電壓vGS=0時(shí)，即使加上漏——源電壓vDS，而且不論vDS的極性如何，總有一個(gè)PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，...

LED 燈具的驅(qū)動(dòng)。設(shè)計(jì)LED燈具的時(shí)候經(jīng)常要使用MOS管，對(duì)LED恒流驅(qū)動(dòng)而言，一般使用NMOS。功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電，當(dāng)電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時(shí)MOSFET才開始導(dǎo)通。因此，設(shè)計(jì)時(shí)...

三極管飽和情況，像圖1因?yàn)槭艿诫娮鑂c的限制(Rc是固定值，那么較大電流為U/Rc，其中U為電源電壓)，集電極電流是不能無限增加下去的。當(dāng)基極電流的增大，不能使集電極電流繼續(xù)增大時(shí)，三極管就進(jìn)入了飽和狀態(tài)。一般判斷三極管是否飽和的準(zhǔn)則是：Ib*β〉Ic。進(jìn)入飽...

二極管是否損壞如何判斷：?jiǎn)呜?fù)導(dǎo)電性能的檢測(cè)及好壞的判斷，通常，鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右，反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5kΩ左右，反向電阻值為（無窮大）。正向電阻越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說明二極管的單向...

在1884年，愛迪生被授予了此項(xiàng)發(fā)明的專業(yè)技術(shù)。由于當(dāng)時(shí)這種裝置實(shí)際上并不能看出實(shí)用價(jià)值，這項(xiàng)專業(yè)技術(shù)更多地是為了防止別人聲稱較早發(fā)現(xiàn)了這一所謂“愛迪生效應(yīng)”。20年后，約翰·弗萊明（愛迪生前雇員）發(fā)現(xiàn)了這一效應(yīng)的實(shí)用價(jià)值，它可以用來制作精確檢波器。1904年...

場(chǎng)效應(yīng)管由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個(gè)主要部分組成。在JFET中，柵極和通道之間通過PN結(jié)隔離；而在MOSFET中，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離。當(dāng)在柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r(shí)，會(huì)在柵極下方的半導(dǎo)體中形成一個(gè)導(dǎo)...

三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)， 也用作無觸點(diǎn)開關(guān)。晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的主要元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)...

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個(gè)方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過...

測(cè)試步驟：MOS管的檢測(cè)主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。其步驟如下：假如有阻值沒被測(cè)MOS管有漏電現(xiàn)象。1、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開，萬用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大，則MOS管漏電，不變則完好。2、然后一根導(dǎo)線把MO...

二極管應(yīng)用：1.整流，整流二極管主要用于整流電路，即把交流電變換成脈動(dòng)的直流電。整流二極管都是面結(jié)型，因此結(jié)電容較大，使其工作頻率較低，一般為3kHZ以下。2.開關(guān)，二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于一只接通的開關(guān)；在反向電壓作用下，電阻很大...

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個(gè)方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過...

場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴(kuò)...

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)管，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過管的耗散功率，較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值。（2）各類型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中，要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝...

場(chǎng)效應(yīng)管由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個(gè)主要部分組成。在JFET中，柵極和通道之間通過PN結(jié)隔離；而在MOSFET中，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離。當(dāng)在柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r(shí)，會(huì)在柵極下方的半導(dǎo)體中形成一個(gè)導(dǎo)...