MEMS技術(shù)的主要分類(lèi):生物MEMS技術(shù)是用MEMS技術(shù)制造的化學(xué)/生物微型分析和檢測(cè)芯片或儀器,統(tǒng)稱(chēng)為Bio-sensor技術(shù),是一類(lèi)在襯底上制造出的微型驅(qū)動(dòng)泵、微控制閥、通道網(wǎng)絡(luò)、樣品處理器、混合池、計(jì)量、增擴(kuò)器、反應(yīng)器、分離器以及檢測(cè)器等元器件并集成為多功能芯片。可以實(shí)現(xiàn)樣品的進(jìn)樣、稀釋、加試劑、混合、增擴(kuò)、反應(yīng)、分離、檢測(cè)和后處理等分析全過(guò)程。它把傳統(tǒng)的分析實(shí)驗(yàn)室功能微縮在一個(gè)芯片上。生物MEMS系統(tǒng)具有微型化、集成化、智能化、成本低的特點(diǎn)。功能上有獲取信息量大、分析效率高、系統(tǒng)與外部連接少、實(shí)時(shí)通信、連續(xù)檢測(cè)的特點(diǎn)。國(guó)際上生物MEMS的研究已成為熱點(diǎn),不久將為生物、化學(xué)分析系統(tǒng)帶來(lái)一...
基于MEMS技術(shù)的SAW器件: 聲表面波(SAW)傳感器是近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的一種新型微聲傳感器,是種用聲表面波器件作為傳感元件,將被測(cè)量的信息通過(guò)聲表面波器件中聲表面波的速度或頻率的變化反映出來(lái),并轉(zhuǎn)換成電信號(hào)輸出的傳感器。 聲表面波傳感器能夠精確測(cè)量物理、化學(xué)等信息(如溫度、應(yīng)力、氣體密度)。由于體積小,聲表面波器件被譽(yù)為開(kāi)創(chuàng)了無(wú)線(xiàn)、小型傳感器的新紀(jì)元,同時(shí),其與集成電路兼容性強(qiáng),在模擬數(shù)字通信及傳感領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用。 聲表面波傳感器能將信號(hào)集中于基片表面、工作頻率高,具有極高的信息敏感精度,能迅速地將檢測(cè)到的信息轉(zhuǎn)換為電信號(hào)輸出,具有實(shí)時(shí)信息檢測(cè)的特性,...
通過(guò)MEMS技術(shù)制作的生物傳感器,圍繞細(xì)胞分選檢測(cè)、生物分子檢測(cè)、人工聽(tīng)覺(jué)微系統(tǒng)等方向,突破了高通量細(xì)胞圖形化、片上細(xì)胞聚焦分選、耳蝸內(nèi)聲電混合刺激、高時(shí)空分辨率相位差分檢測(cè)等一批具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的關(guān)鍵技術(shù),取得了一批原創(chuàng)性成果,研制了具有世界很高水平的高通量原位細(xì)胞多模式檢測(cè)系統(tǒng)、流式細(xì)胞儀、系列流式細(xì)胞檢測(cè)芯片等檢測(cè)儀器,打破了相關(guān)領(lǐng)域國(guó)際廠商的技術(shù)封鎖和壟斷。總之,面向醫(yī)療健康領(lǐng)域的重大需求,經(jīng)過(guò)多年持續(xù)的努力,我們?nèi)〉靡幌盗芯哂袊?guó)際先進(jìn)水平的科研成果,部分技術(shù)處于國(guó)際前列地位,其中多項(xiàng)技術(shù)尚屬?lài)?guó)際開(kāi)創(chuàng)。MEMS常見(jiàn)的產(chǎn)品-陀螺儀傳感器。山西MEMS微納米加工發(fā)展現(xiàn)狀 MEMS制作工藝...
MEMS制作工藝-太赫茲傳感器: 超材料(Metamaterial)是一種由周期性亞波長(zhǎng)金屬諧振的單元陣列組成的人工復(fù)合型電磁材料,通過(guò)合理的設(shè)計(jì)單元結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)特殊的電磁特性,主要包括隱身、完美吸和負(fù)折射等特性。目前,隨著太赫茲技術(shù)的快速發(fā)展,太赫茲超材料器件已成為當(dāng)前科研的研究熱點(diǎn),在濾波器、吸收器、偏振器、太赫茲成像、光譜和生物傳感器等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。 這項(xiàng)研究提出了一種全光學(xué)、端到端的衍射傳感器,用于快速探測(cè)隱藏結(jié)構(gòu)。這種衍射太赫茲傳感器具有獨(dú)特的架構(gòu),由一對(duì)編碼器和解碼器構(gòu)成的衍射網(wǎng)絡(luò)組成,每個(gè)網(wǎng)絡(luò)都承擔(dān)著結(jié)構(gòu)化照明和空間光譜編碼的獨(dú)特職責(zé),這種設(shè)計(jì)較為...
MEMS傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些? 2、汽車(chē)MEMS壓力傳感器主要應(yīng)用在測(cè)量氣囊壓力、燃油壓力、發(fā)動(dòng)機(jī)機(jī)油壓力、進(jìn)氣管道壓力及輪胎壓力。這種傳感器用單晶硅作材料,以采用MEMS技術(shù)在材料中間制作成力敏膜片,然后在膜片上擴(kuò)散雜質(zhì)形成四只應(yīng)變電阻,再以惠斯頓電橋方式將應(yīng)變電阻連接成電路,來(lái)獲得高靈敏度。車(chē)用MEMS壓力傳感器有電容式、壓阻式、差動(dòng)變壓器式、聲表面波式等幾種常見(jiàn)的形式。而MEMS加速度計(jì)的原理是基于牛頓的經(jīng)典力學(xué)定律,通常由懸掛系統(tǒng)和檢測(cè)質(zhì)量組成,通過(guò)微硅質(zhì)量塊的偏移實(shí)現(xiàn)對(duì)加速度的檢測(cè),主要用于汽車(chē)安全氣囊系統(tǒng)、防滑系統(tǒng)、汽車(chē)導(dǎo)航系統(tǒng)和防盜系統(tǒng)等,除了有電容式、壓阻式以外...
MEMS制作工藝-太赫茲特性: 1.相干性由于它是由相千電流驅(qū)動(dòng)的電偶極子振蕩產(chǎn)生,或又相千的激光脈沖通過(guò)非線(xiàn)性光學(xué)頻率差頻產(chǎn)生,因此有很好的相干性。THz的相干測(cè)量技術(shù)能夠直接測(cè)量電場(chǎng)振幅和相位,從而方便提取檢測(cè)樣品的折射率,吸收系數(shù)等。 2.低能性:THz光子的能量只有10^-3量級(jí),遠(yuǎn)小于X射線(xiàn)的10^3量級(jí),不易破壞被檢測(cè)的物質(zhì),適合于生物大分子與活性物質(zhì)結(jié)構(gòu)的研究。 3.穿透性:THz輻射對(duì)于很多非極性物質(zhì),如塑料,紙箱,布料等包裝材料有很強(qiáng)的穿透能力,在環(huán)境控制與安全方面能有效發(fā)揮作用 4.吸收性:大多數(shù)極性分子對(duì)THz有強(qiáng)烈的吸收作用,可以用來(lái)進(jìn)行醫(yī)療...
大部分用戶(hù)對(duì)汽車(chē)、打印機(jī)內(nèi)的MEMS無(wú)感,這些器件與用戶(hù)中間經(jīng)過(guò)了數(shù)層中介。但是可穿戴/直接與用戶(hù)接觸,提升消費(fèi)者科技感,更受年輕用戶(hù)喜愛(ài),例子可見(jiàn)Fitbit等健身手環(huán)。該領(lǐng)域重要的主要有三大塊:消費(fèi)、健康及工業(yè),我們?cè)诖酥饕懻摳荜P(guān)注的前兩者。消費(fèi)領(lǐng)域的產(chǎn)品包含之前提到的健身手環(huán),還有智能手表等。健康領(lǐng)域,即醫(yī)療領(lǐng)域,主要包括診斷,監(jiān)測(cè)和護(hù)理。比如助聽(tīng)、指標(biāo)檢測(cè)(如血壓、血糖水平),體態(tài)監(jiān)測(cè)。MEMS幾乎可以實(shí)現(xiàn)人體所有感官功能,包括視覺(jué)、聽(tīng)覺(jué)、味覺(jué)、嗅覺(jué)(如Honeywell電子鼻)、觸覺(jué)等,各類(lèi)健康指標(biāo)可通過(guò)結(jié)合MEMS與生物化學(xué)進(jìn)行監(jiān)測(cè)。MEMS制作工藝中,以PI為特色的柔性電子出...
MEMS制作工藝壓電器件的常用材料: 氧化鋅是一種眾所周知的寬帶隙半導(dǎo)體材料(室溫下3.4 eV,晶體),它有很多應(yīng)用,如透明導(dǎo)體,壓敏電阻,表面聲波,氣體傳感器,壓電傳感器和UV檢測(cè)器。并因?yàn)榭赡軕?yīng)用于薄膜晶體管方面正受到相當(dāng)?shù)年P(guān)注。同時(shí)氧化鋅還具有相當(dāng)良好的生物相容性,可降解性。E.Fortunato教授介紹了基于氧化鋅的新型薄膜晶體管所帶來(lái)的主要優(yōu)勢(shì),這些薄膜晶體管在下一代柔性電子器件中非常有前途。除此之外,還有眾多的二維材料被應(yīng)用于柔性電子領(lǐng)域,包括石墨烯、半導(dǎo)體氧化物,納米金等。2014年發(fā)表在chemical review和nature nanotechnology上的兩...
MEMS制作工藝深硅刻蝕即ICP刻蝕工藝:硅等離子體刻蝕工藝的基本原理干法刻蝕是利用射頻電源使反應(yīng)氣體生成反應(yīng)活性高的離子和電子,對(duì)硅片進(jìn)行物理轟擊及化學(xué)反應(yīng),以選擇性的去除我們需要去除的區(qū)域。被刻蝕的物質(zhì)變成揮發(fā)性的氣體,經(jīng)抽氣系統(tǒng)抽離,然后按照設(shè)計(jì)圖形要求刻蝕出我們需要實(shí)現(xiàn)的深度。干法刻蝕可以實(shí)現(xiàn)各向異性,垂直方向的刻蝕速率遠(yuǎn)大于側(cè)向的。其原理如圖所示,生成CF基的聚合物以進(jìn)行側(cè)壁掩護(hù),以實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕刻蝕過(guò)程一般來(lái)說(shuō)包含物理濺射性刻蝕和化學(xué)反應(yīng)性刻蝕。對(duì)于物理濺射性刻蝕就是利用輝光放電,將氣體解離成帶正電的離子,再利用偏壓將離子加速,濺擊在被蝕刻物的表面,而將被蝕刻物質(zhì)原子擊出(各向異...
MEMS技術(shù)的主要分類(lèi):光學(xué)方面相關(guān)的資料與技術(shù)。光學(xué)隨著信息技術(shù)、光通信技術(shù)的迅猛發(fā)展,MEMS發(fā)展的又一領(lǐng)域是與光學(xué)相結(jié)合,即綜合微電子、微機(jī)械、光電子技術(shù)等基礎(chǔ)技術(shù),開(kāi)發(fā)新型光器件,稱(chēng)為微光機(jī)電系統(tǒng)(MOEMS)。微光機(jī)電系統(tǒng)(MOEMS)能把各種MEMS結(jié)構(gòu)件與微光學(xué)器件、光波導(dǎo)器件、半導(dǎo)體激光器件、光電檢測(cè)器件等完整地集成在一起。形成一種全新的功能系統(tǒng)。MOEMS具有體積小、成本低、可批量生產(chǎn)、可精確驅(qū)動(dòng)和控制等特點(diǎn)。全球及中國(guó)mems芯片市場(chǎng)有哪些?新型MEMS微納米加工組成MEMS研究?jī)?nèi)容一般可以歸納為以下三個(gè)基本方面: 1.理論基礎(chǔ): 在當(dāng)前MEMS所能達(dá)到的尺度下,宏觀世界基...
MEMS制作工藝-聲表面波器件SAW: 聲表面波是一種沿物體表面?zhèn)鞑サ膹椥圆?,它能夠在兼作傳聲介質(zhì)和電聲換能材料的壓電基底材料表面進(jìn)行傳播。它是聲學(xué)和電子學(xué)相結(jié)合的一門(mén)邊緣學(xué)科。由于聲表面波的傳播速度比電磁波慢十萬(wàn)倍,而且在它的傳播路徑上容易取樣和進(jìn)行處理。因此,用聲表面波去模擬電子學(xué)的各種功能,能使電子器件實(shí)現(xiàn)超小型化和多功能化。隨著微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的發(fā)展進(jìn)步,聲表面波研究向諸多領(lǐng)域進(jìn)行延伸研究。上世紀(jì)90年代,已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了利用聲表面波驅(qū)動(dòng)固體。進(jìn)入二十一世紀(jì),聲表面波SAW在微流體應(yīng)用研究取得了巨大的發(fā)展。應(yīng)用聲表面波器件可以實(shí)現(xiàn)固體驅(qū)動(dòng)、液滴驅(qū)動(dòng)、微加熱、微粒集聚\...
MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點(diǎn): 3.由于聲表面波器件是在單晶材料上用半導(dǎo)體平面工藝制作的,所以它具有很好的一致性和重復(fù)性,易于大量生產(chǎn),而且當(dāng)使用某些單晶材料或復(fù)合材料時(shí),聲表面波器件具有極高的溫度穩(wěn)定性。 4.聲表面波器件的抗輻射能力強(qiáng),動(dòng)態(tài)范圍很大,可達(dá)100dB。這是因?yàn)樗玫氖蔷w表面的彈性波而不涉及電子的遷移過(guò)程 此外,在很多情況下,聲表面波器件的性能還遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了很好的電磁波器件所能達(dá)到的水平。比如用聲表面波可以作成時(shí)間-帶寬乘積大于五千的脈沖壓縮濾波器,在UHF頻段內(nèi)可以作成Q 值超過(guò)五萬(wàn)的諧振腔,以及可以作成帶外抑制達(dá)70dB 、頻率達(dá)1 低Hz ...
駕駛輔助系統(tǒng)升級(jí)帶動(dòng)MEMS&傳感器價(jià)值提升。自動(dòng)駕駛已成大趨勢(shì),環(huán)境信息的感知是實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛的基礎(chǔ),越高級(jí)別的自動(dòng)駕駛對(duì)信息感知能力的需求越高,對(duì)應(yīng)的MEMS&傳感器用量和價(jià)值量也會(huì)相應(yīng)提升。根據(jù)NXP和Strategy analysis的數(shù)據(jù),L1/2級(jí)別的自動(dòng)駕駛只需要1個(gè)攝像頭模組、1-3個(gè)超聲波雷達(dá)和激光雷達(dá),以及0-1個(gè)融合傳感器,新增半導(dǎo)體價(jià)值在100-350美元,而至L4/5級(jí)別自動(dòng)駕駛車(chē)輛將會(huì)引入7-13個(gè)超聲波雷達(dá)和激光雷達(dá)、6-8個(gè)攝像頭模組并會(huì)引入V2X模塊以及多傳感器融合方案,新增半導(dǎo)體價(jià)值在1000美元以上。另外,短期來(lái)看,現(xiàn)實(shí)條件暴露了ADAS的缺陷,導(dǎo)致了一些安...
MEMS制作工藝-太赫茲脈沖輻射探測(cè): 光電導(dǎo)取樣光電導(dǎo)取樣是基于光導(dǎo)天線(xiàn)(photoconductiveantenna,PCA)發(fā)射機(jī)理的逆過(guò)程發(fā)展起來(lái)的一種探測(cè)THz脈沖信號(hào)的探測(cè)技術(shù)。如要對(duì)THz脈沖信號(hào)進(jìn)行探測(cè),首先,需將一個(gè)未加偏置電壓的PCA放置于太赫茲光路之中,以便于一個(gè)光學(xué)門(mén)控脈沖(探測(cè)脈沖)對(duì)其門(mén)控。其中,這個(gè)探測(cè)脈沖和泵浦脈沖有可調(diào)節(jié)的時(shí)間延遲關(guān)系,而這個(gè)關(guān)系可利用一個(gè)延遲線(xiàn)來(lái)加以實(shí)現(xiàn),爾后,用一束探測(cè)脈沖打到光電導(dǎo)介質(zhì)上,這時(shí)在介質(zhì)中能夠產(chǎn)生出電子-空穴對(duì)(自由載流子),而此時(shí)同步到達(dá)的太赫茲脈沖則作為加在PCA上的偏置電場(chǎng),以此來(lái)驅(qū)動(dòng)那些載流子運(yùn)動(dòng),從而在PC...
MEMS制作工藝ICP深硅刻蝕:在半導(dǎo)體制程中,單晶硅與多晶硅的刻蝕通常包括濕法刻蝕和干法刻蝕兩種方法各有優(yōu)劣,各有特點(diǎn)。濕法刻蝕即利用特定的溶液與薄膜間所進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)來(lái)去除薄膜未被光刻膠掩膜覆蓋的部分,而達(dá)到刻蝕的目的。因?yàn)闈穹涛g是利用化學(xué)反應(yīng)來(lái)進(jìn)行薄膜的去除,而化學(xué)反應(yīng)本身不具方向性,因此濕法刻蝕過(guò)程為等向性。濕法刻蝕過(guò)程可分為三個(gè)步驟:1)化學(xué)刻蝕液擴(kuò)散至待刻蝕材料之表面;2)刻蝕液與待刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng);3)反應(yīng)后之產(chǎn)物從刻蝕材料之表面擴(kuò)散至溶液中,并隨溶液排出。 濕法刻蝕之所以在微電子制作過(guò)程中被采用乃由于其具有低成本、高可靠性、高產(chǎn)能及優(yōu)越的刻蝕選擇比等優(yōu)點(diǎn)。但相對(duì)...
MEMS繼電器與開(kāi)關(guān)。其優(yōu)勢(shì)是體積?。芏雀撸捎梦⒐に嚺恐圃鞆亩档统杀荆?,速度快,有望取代帶部分傳統(tǒng)電磁式繼電器,并且可以直接與集成電路IC集成,極大地提高產(chǎn)品可靠性。其尺寸微小,接近于固態(tài)開(kāi)關(guān),而電路通斷采用與機(jī)械接觸(也有部分產(chǎn)品采用其他通斷方式),其優(yōu)勢(shì)劣勢(shì)基本上介于固態(tài)開(kāi)關(guān)與傳統(tǒng)機(jī)械開(kāi)關(guān)之間。MEMS繼電器與開(kāi)關(guān)一般含有一個(gè)可移動(dòng)懸臂梁,主要采用靜電致動(dòng)原理,當(dāng)提高觸點(diǎn)兩端電壓時(shí),吸引力增加,引起懸臂梁向另一個(gè)觸電移動(dòng),當(dāng)移動(dòng)至總行程的1/3時(shí),開(kāi)關(guān)將自動(dòng)吸合(稱(chēng)之為pullin現(xiàn)象)。pullin現(xiàn)象在宏觀世界同樣存在,但是通過(guò)計(jì)算可以得知所需的閾值電壓高得離譜,所以我們?nèi)粘V?..
物聯(lián)網(wǎng)普及極大拓展MEMS應(yīng)用場(chǎng)景。物聯(lián)網(wǎng)的產(chǎn)業(yè)架構(gòu)可以分為四層:感知層、傳輸層、平臺(tái)層和應(yīng)用層,MEMS器件是物聯(lián)網(wǎng)感知層重要組成部分。物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展帶動(dòng)智能終端設(shè)備普及,推動(dòng)MEMS需求放量,據(jù)全球移動(dòng)通信系統(tǒng)協(xié)會(huì)GSMA統(tǒng)計(jì),全球物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備數(shù)量已從2010年的20億臺(tái),增長(zhǎng)到2019年的120億臺(tái),未來(lái)受益于5G商用化和WiFi 6的發(fā)展,物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)潛力巨大,GSMA預(yù)測(cè),到2025年全球物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備將達(dá)到246億臺(tái),2019到2025年將保持12.7%的復(fù)合增長(zhǎng)率。超透鏡的電子束直寫(xiě)和刻蝕工藝其實(shí)并不復(fù)雜?,F(xiàn)代化MEMS微納米加工哪里買(mǎi) MEMS制作工藝ICP深硅刻蝕:在半導(dǎo)體制程中,單...
光學(xué)領(lǐng)域上面較成功的應(yīng)用科學(xué)研究主要集中在兩個(gè)方面:一是基于MOEMS的新型顯示、投影設(shè)備,主要研究如何通過(guò)反射面的物理運(yùn)動(dòng)來(lái)進(jìn)行光的空間調(diào)制,典型標(biāo)識(shí)為數(shù)字微鏡陣列芯片和光柵光閥。 二是通信系統(tǒng),主要研究通過(guò)微鏡的物理運(yùn)動(dòng)來(lái)控制光路發(fā)生預(yù)期的改變,較成功的有光開(kāi)關(guān)調(diào)制器、光濾波器及復(fù)用器等光通信器件。MOEMS是綜合性和學(xué)科交叉性很強(qiáng)的高新技術(shù),開(kāi)展這個(gè)領(lǐng)域的科學(xué)技術(shù)研究,可以帶動(dòng)大量的新概念的功能器件開(kāi)發(fā)。 MEMS的研究?jī)?nèi)容與方向是什么?四川現(xiàn)代MEMS微納米加工 基于MEMS技術(shù)的SAW器件的工作模式和原理: 聲表面波器件一般使用壓電晶體(例如石英晶體等)作為媒介,然...
MEMS制作工藝-聲表面波器件SAW: 聲表面波是一種沿物體表面?zhèn)鞑サ膹椥圆?,它能夠在兼作傳聲介質(zhì)和電聲換能材料的壓電基底材料表面進(jìn)行傳播。它是聲學(xué)和電子學(xué)相結(jié)合的一門(mén)邊緣學(xué)科。由于聲表面波的傳播速度比電磁波慢十萬(wàn)倍,而且在它的傳播路徑上容易取樣和進(jìn)行處理。因此,用聲表面波去模擬電子學(xué)的各種功能,能使電子器件實(shí)現(xiàn)超小型化和多功能化。隨著微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)的發(fā)展進(jìn)步,聲表面波研究向諸多領(lǐng)域進(jìn)行延伸研究。上世紀(jì)90年代,已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了利用聲表面波驅(qū)動(dòng)固體。進(jìn)入二十一世紀(jì),聲表面波SAW在微流體應(yīng)用研究取得了巨大的發(fā)展。應(yīng)用聲表面波器件可以實(shí)現(xiàn)固體驅(qū)動(dòng)、液滴驅(qū)動(dòng)、微加熱、微粒集聚\...
MEMS傳感器的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些? 運(yùn)動(dòng)追蹤在運(yùn)動(dòng)員的日常訓(xùn)練中,MEMS傳感器可以用來(lái)進(jìn)行3D人體運(yùn)動(dòng)測(cè)量,通過(guò)基于聲學(xué)TOF,或者基于光學(xué)的TOF技術(shù),對(duì)每一個(gè)動(dòng)作進(jìn)行記錄,教練們對(duì)結(jié)果分析,反復(fù)比較,以便提高運(yùn)動(dòng)員的成績(jī)。隨著MEMS技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,MEMS傳感器的價(jià)格也會(huì)隨著降低,這在大眾健身房中也可以廣泛應(yīng)用。在滑雪方面,3D運(yùn)動(dòng)追蹤中的壓力傳感器、加速度傳感器、陀螺儀以及GPS可以讓使用者獲得極精確的觀察能力,除了可提供滑雪板的移動(dòng)數(shù)據(jù)外,還可以記錄使用者的位置和距離。在沖浪方面也是如此,安裝在沖浪板上的3D運(yùn)動(dòng)追蹤,可以記錄海浪高度、速度、沖浪時(shí)間、漿板距離、水溫以...
MEMS的采樣精度,速度,適用性都可以達(dá)到較高水平,同時(shí)由于其體積優(yōu)勢(shì)可直接植入人體,是醫(yī)療輔助設(shè)備中關(guān)鍵的組成部分。傳統(tǒng)大型醫(yī)療器械優(yōu)勢(shì)明顯,精度高,但價(jià)格昂貴,普及難度較大,且一般一臺(tái)設(shè)備只完成單一功能。相比之下,某些醫(yī)療目標(biāo)可以通過(guò)MEMS技術(shù),利用其體積小的優(yōu)勢(shì),深入接觸測(cè)量目標(biāo),在達(dá)到一定的精度下,降低成本,完成多重功能的整合。以近期所了解的一些MEMS項(xiàng)目為例,通過(guò)MEMS生物傳感器對(duì)體內(nèi)某些指標(biāo)進(jìn)行測(cè)量,同時(shí)MEMS執(zhí)行器(actuator)可直接作用于病變組織進(jìn)行更直接的醫(yī)療,同時(shí)系統(tǒng)可以通過(guò)MEMS能量收集器進(jìn)行無(wú)線(xiàn)供電,多組單元可以通過(guò)MEMS通信器進(jìn)行信息傳輸。個(gè)人認(rèn)為,...
新材料或?qū)⒊蔀閲?guó)產(chǎn)MEMS發(fā)展的新機(jī)會(huì)。截止到目前,硅基MEMS發(fā)展已經(jīng)有40多年的發(fā)展歷程,如何提高產(chǎn)品性能、降低成本是全球企業(yè)都在思考的問(wèn)題,而基于新材料的MEMS器件則成為擺在眼前的大奶酪,PZT、氮化鋁、氧化釩、鍺等新材料MEMS器件的研究正在進(jìn)行中,搶先一步投入應(yīng)用,將是國(guó)產(chǎn)MEMS彎道超車(chē)的好時(shí)機(jī)。另外,將多種單一功能傳感器組合成多功能合一的傳感器模組,再進(jìn)行集成一體化,也是MEMS產(chǎn)業(yè)新機(jī)會(huì)。提高自主創(chuàng)新意識(shí),加強(qiáng)創(chuàng)新能力,也不是那么的遙遠(yuǎn)。有哪些較為前沿的MEMS傳感器的供應(yīng)廠家?采用微納米加工的MEMS微納米加工銷(xiāo)售廠家 MEMS制作工藝-太赫茲傳感器: 太赫茲(TH...
MEMS發(fā)展的目標(biāo)在于,通過(guò)微型化、集成化來(lái)探索新原理、新功能的元件和系統(tǒng),開(kāi)辟一個(gè)新技術(shù)領(lǐng)域和產(chǎn)業(yè)。MEMS可以完成大尺寸機(jī)電系統(tǒng)所不能完成的任務(wù),也可嵌入大尺寸系統(tǒng)中,把自動(dòng)化、智能化和可靠性水平提高到一個(gè)新的水平。21世紀(jì)MEMS將逐步從實(shí)驗(yàn)室走向?qū)嵱没?,?duì)工農(nóng)業(yè)、信息、環(huán)境、生物工程、醫(yī)療、空間技術(shù)和科學(xué)發(fā)展產(chǎn)生重大影響。MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))大量用于汽車(chē)安全氣囊,而后以MEMS傳感器的形式被大量應(yīng)用在汽車(chē)的各個(gè)領(lǐng)域,隨著MEMS技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,以及應(yīng)用終端“輕、薄、短、小”的特點(diǎn),對(duì)小體積高性能的MEMS產(chǎn)品需求增勢(shì)迅猛,消費(fèi)電子、醫(yī)療等領(lǐng)域也大量出現(xiàn)了MEMS產(chǎn)品的身影?;谌嵝?..
MEMS制作工藝-太赫茲特性: 1.相干性由于它是由相千電流驅(qū)動(dòng)的電偶極子振蕩產(chǎn)生,或又相千的激光脈沖通過(guò)非線(xiàn)性光學(xué)頻率差頻產(chǎn)生,因此有很好的相干性。THz的相干測(cè)量技術(shù)能夠直接測(cè)量電場(chǎng)振幅和相位,從而方便提取檢測(cè)樣品的折射率,吸收系數(shù)等。 2.低能性:THz光子的能量只有10^-3量級(jí),遠(yuǎn)小于X射線(xiàn)的10^3量級(jí),不易破壞被檢測(cè)的物質(zhì),適合于生物大分子與活性物質(zhì)結(jié)構(gòu)的研究。 3.穿透性:THz輻射對(duì)于很多非極性物質(zhì),如塑料,紙箱,布料等包裝材料有很強(qiáng)的穿透能力,在環(huán)境控制與安全方面能有效發(fā)揮作用 4.吸收性:大多數(shù)極性分子對(duì)THz有強(qiáng)烈的吸收作用,可以用來(lái)進(jìn)行醫(yī)療...
MEMS制作工藝ICP深硅刻蝕:在半導(dǎo)體制程中,單晶硅與多晶硅的刻蝕通常包括濕法刻蝕和干法刻蝕兩種方法各有優(yōu)劣,各有特點(diǎn)。濕法刻蝕即利用特定的溶液與薄膜間所進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)來(lái)去除薄膜未被光刻膠掩膜覆蓋的部分,而達(dá)到刻蝕的目的。因?yàn)闈穹涛g是利用化學(xué)反應(yīng)來(lái)進(jìn)行薄膜的去除,而化學(xué)反應(yīng)本身不具方向性,因此濕法刻蝕過(guò)程為等向性。濕法刻蝕過(guò)程可分為三個(gè)步驟:1)化學(xué)刻蝕液擴(kuò)散至待刻蝕材料之表面;2)刻蝕液與待刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng);3)反應(yīng)后之產(chǎn)物從刻蝕材料之表面擴(kuò)散至溶液中,并隨溶液排出。 濕法刻蝕之所以在微電子制作過(guò)程中被采用乃由于其具有低成本、高可靠性、高產(chǎn)能及優(yōu)越的刻蝕選擇比等優(yōu)點(diǎn)。但相對(duì)...
MEMS制作工藝柔性電子的常用材料: 碳納米管(CNT)由于其高的本征載流子遷移率,導(dǎo)電性和機(jī)械靈活性而成為用于柔性電子學(xué)的有前途的材料,既作為場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)中的溝道材料又作為透明電極。管狀碳基納米結(jié)構(gòu)可以被設(shè)想成石墨烯卷成一個(gè)無(wú)縫的圓柱體,它們獨(dú)特的性質(zhì)使其成為理想的候選材料。因?yàn)樗鼈兙哂懈叩墓逃休d流子遷移率和電導(dǎo)率,機(jī)械靈活性以及低成本生產(chǎn)的潛力。另一方面,薄膜基碳納米管設(shè)備為實(shí)現(xiàn)商業(yè)化提供了一條實(shí)用途徑。 有哪些較為前沿的MEMS傳感器公司?本地MEMS微納米加工加工廠國(guó)內(nèi)政策大力推動(dòng)MEMS產(chǎn)業(yè)發(fā)展:國(guó)家政策大力支持傳感器發(fā)展,國(guó)內(nèi)MEMS企業(yè)擁有好的發(fā)展環(huán)境。我國(guó)高...
MEMS制作工藝-微流控芯片: 1.微流控芯片是微流控技術(shù)實(shí)現(xiàn)的主要平臺(tái)。其裝置特征主要是其容納流體的有效結(jié)構(gòu)(通道、反應(yīng)室和其它某些功能部件)至少在一個(gè)緯度上為微米級(jí)尺度。由于微米級(jí)的結(jié)構(gòu),流體在其中顯示和產(chǎn)生了與宏觀尺度不同的特殊性能。因此發(fā)展出獨(dú)特的分析產(chǎn)生的性能。 2.微流控芯片的特點(diǎn)及發(fā)展優(yōu)勢(shì):微流控芯片具有液體流動(dòng)可控、消耗試樣和試劑極少、分析速度成十倍上百倍地提高等特點(diǎn),它可以在幾分鐘甚至更短的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行上百個(gè)樣品的同時(shí)分析,并且可以在線(xiàn)實(shí)現(xiàn)樣品的預(yù)處理及分析全過(guò)程。 3.其產(chǎn)生的應(yīng)用目的是實(shí)現(xiàn)微全分析系統(tǒng)的目標(biāo)-芯片實(shí)驗(yàn)室 4.目前工作發(fā)展的重點(diǎn)應(yīng)用...
射頻MEMS器件分為MEMS濾波器、MEMS開(kāi)關(guān)、MEMS諧振器等。射頻前端模組主要由濾波器、低噪聲放大器、功率放大器、射頻開(kāi)關(guān)等器件組成,其中濾波器是射頻前端中重要的分立器件,濾波器的工藝就是MEMS,在射頻前端模組中占比超過(guò)50%,主要由村田制作所等國(guó)外公司生產(chǎn)。因?yàn)闆](méi)有適用的國(guó)產(chǎn)5GMEMS濾波器,因此華為手機(jī)只能用4G,也是這個(gè)原因,可見(jiàn)MEMS濾波器的重要性。濾波器(SAW、BAW、FBAR等),負(fù)責(zé)接收通道的射頻信號(hào)濾波,將接收的多種射頻信號(hào)中特定頻率的信號(hào)輸出,將其他頻率信號(hào)濾除。以SAW聲表面波為例,通過(guò)電磁信號(hào)-聲波-電磁信號(hào)的兩次轉(zhuǎn)換,將不受歡迎的頻率信號(hào)濾除。MEMS的深...
MEMS制作工藝-太赫茲超材料器件應(yīng)用前景: 在通信系統(tǒng)、雷達(dá)屏蔽、空間勘測(cè)等領(lǐng)域都有著重要的應(yīng)用前景,近年來(lái)受到學(xué)術(shù)界的關(guān)注?;谖⒚准{米技術(shù)設(shè)計(jì)的周期微納超材料能夠在太赫茲波段表現(xiàn)出優(yōu)異的敏感特性,特別是可與石墨烯二維材料集成設(shè)計(jì),獲得更優(yōu)的頻譜調(diào)制特性。因此、將太赫茲超材料和石墨烯二維材料集成,通過(guò)理論研究、軟件仿真、流片測(cè)試實(shí)現(xiàn)了石墨烯太赫茲調(diào)制器的制備。能夠在低頻帶濾波和高頻帶超寬帶濾波的太赫茲濾波器,通過(guò)測(cè)試驗(yàn)證了理論和仿真的正確性,將超材料與石墨烯集成制備的太赫茲調(diào)制器可對(duì)太赫茲波進(jìn)行調(diào)制。 有哪些較為前沿的MEMS傳感器的供應(yīng)廠家?山東MEMS微納米加工之超透鏡定制通...
MEMS制作工藝-微流控芯片: 1.微流控芯片是微流控技術(shù)實(shí)現(xiàn)的主要平臺(tái)。其裝置特征主要是其容納流體的有效結(jié)構(gòu)(通道、反應(yīng)室和其它某些功能部件)至少在一個(gè)緯度上為微米級(jí)尺度。由于微米級(jí)的結(jié)構(gòu),流體在其中顯示和產(chǎn)生了與宏觀尺度不同的特殊性能。因此發(fā)展出獨(dú)特的分析產(chǎn)生的性能。 2.微流控芯片的特點(diǎn)及發(fā)展優(yōu)勢(shì):微流控芯片具有液體流動(dòng)可控、消耗試樣和試劑極少、分析速度成十倍上百倍地提高等特點(diǎn),它可以在幾分鐘甚至更短的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行上百個(gè)樣品的同時(shí)分析,并且可以在線(xiàn)實(shí)現(xiàn)樣品的預(yù)處理及分析全過(guò)程。 3.其產(chǎn)生的應(yīng)用目的是實(shí)現(xiàn)微全分析系統(tǒng)的目標(biāo)-芯片實(shí)驗(yàn)室 4.目前工作發(fā)展的重點(diǎn)應(yīng)用...