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TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓IRRM=mA------------反向重復(fù)峰值電流IGT=mA------------門極觸發(fā)電流VGT=V------------門極觸發(fā)電壓執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：QB-02-091．晶閘管關(guān)斷過(guò)電壓（換流過(guò)電壓、空穴積蓄效應(yīng)過(guò)電壓）及保護(hù)晶閘管從導(dǎo)通到阻斷，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產(chǎn)生過(guò)電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部...

IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上；IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說(shuō)的IGBT也指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來(lái)越多見(jiàn)。IGBT模塊連接圖IGBT模塊的安裝：為了使接觸熱阻變小，推薦在散熱器與IGBT模塊的安裝面之間涂敷散熱絕緣混合劑。涂敷散熱絕緣混合劑時(shí)，在散熱器或IGBT模塊的金屬基板面上涂敷。如圖1所示。隨著IGBT模塊與散熱器通過(guò)螺釘夾...

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由BJT(雙極結(jié)型晶體三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡(jiǎn)單講，是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān)，IGBT沒(méi)有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開(kāi)時(shí)當(dāng)做開(kāi)路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。IGBT是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)钠骷?，是電力電子裝置的“CPU”。采用IGBT進(jìn)行功率變換，能夠提高用電效率和質(zhì)量，具有高效節(jié)能和...

但在中MOSFET及IGBT主流器件市場(chǎng)上，90％主要依賴進(jìn)口，基本被國(guó)外歐美、日本企業(yè)壟斷。國(guó)外企業(yè)如英飛凌、ABB、三菱等廠商研發(fā)的IGBT器件產(chǎn)品規(guī)格涵蓋電壓600V-6500V，電流2A-3600A，已形成完善的IGBT產(chǎn)品系列。英飛凌、三菱、ABB在1700V以上電壓等級(jí)的工業(yè)IGBT領(lǐng)域占優(yōu)勢(shì)；在3300V以上電壓等級(jí)的高壓IGBT技術(shù)領(lǐng)域幾乎處于壟斷地位。在大功率溝槽技術(shù)方面，英飛凌與三菱公司處于國(guó)際水平。西門康、仙童等在1700V及以下電壓等級(jí)的消費(fèi)IGBT領(lǐng)域處于優(yōu)勢(shì)地位。盡管我國(guó)擁有大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，但是目前國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與國(guó)際大公司相比還存在很大差距，...

脈沖的幅值與柵驅(qū)動(dòng)電路阻抗和dV/dt的實(shí)際數(shù)值有直接關(guān)系。IGBT本身的設(shè)計(jì)對(duì)減小C和C的比例非常重要，它可因此減小dV/dt感生電壓幅值。如果dV/dt感生電壓峰值超過(guò)IGBT的閥值，Q1產(chǎn)生集電極電流并產(chǎn)生很大的損耗，因?yàn)榇藭r(shí)集電極到發(fā)射極的電壓很高。為了減小dV/dt感生電流和防止器件開(kāi)通，可采取以下措施：關(guān)斷時(shí)采用柵極負(fù)偏置，可防止電壓峰值超過(guò)V，但問(wèn)題是驅(qū)動(dòng)電路會(huì)更復(fù)雜。減小IGBT的CGC寄生電容和多晶硅電阻Rg’。減小本征JFET的影響圖3給出了為反向偏置關(guān)斷而設(shè)計(jì)的典型IGBT電容曲線。CRES曲線（及其他曲線）表明一個(gè)特性，電容一直保持在較高水平，直到V接近15V，...

模塊的內(nèi)部等效電路多個(gè)管芯并聯(lián)時(shí)，柵極已經(jīng)加入柵極電阻，實(shí)際的等效電路如圖2所示。不同制造商的模塊，柵極電阻的阻值也不相同；不過(guò)，同一個(gè)模塊內(nèi)部的柵極電阻，其阻值是相同的。圖2單管模塊內(nèi)部的實(shí)際等效電路圖IGBT單管模塊通常稱為1in1模塊，前面的“1”表示內(nèi)部包含一個(gè)IGBT管芯，后面的“1”表示同一個(gè)模塊塑殼之中。2.半橋模塊，2in1模塊半橋（Halfbridge）模塊也稱為2in1模塊，可直接構(gòu)成半橋電路，也可以用2個(gè)半橋模塊構(gòu)成全橋，3個(gè)半橋模塊也構(gòu)成三相橋。因此，半橋模塊有時(shí)候也稱為橋臂（Phase-Leg）模塊。圖3是半橋模塊的內(nèi)部等效。不同的制造商的接線端子名稱也有所不...

在所述柵極結(jié)構(gòu)的每一側(cè)包括二個(gè)所述第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)，在其他實(shí)施例中，也能改變所述柵極結(jié)構(gòu)和對(duì)應(yīng)的所述第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)的數(shù)量和位置。所述溝槽101的步進(jìn)為1微米～3微米，所述溝槽101的步進(jìn)如圖3a中的d1所示。在所述漂移區(qū)1和所述集電區(qū)9之間形成有由一導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)組成的電場(chǎng)中止層8。本發(fā)明一實(shí)施例中，所述igbt器件為n型器件，一導(dǎo)電類型為n型，第二導(dǎo)電類型為p型。在其他實(shí)施例中也能為：所述igbt器件為p型器件，一導(dǎo)電類型為p型，第二導(dǎo)電類型為n型。本發(fā)明一實(shí)施例具有如下有益技術(shù)效果：1、本發(fā)明一實(shí)施例對(duì)器件單元結(jié)構(gòu)中的柵極結(jié)構(gòu)的屏蔽結(jié)構(gòu)做了特別的設(shè)置，在柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)設(shè)置有形成...

溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極（即集電極C）。IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP（原來(lái)為NPN）晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相...

igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊。由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu)，igbt的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)，變頻器，變頻家電等領(lǐng)域。目錄1特點(diǎn)2應(yīng)用3注意事項(xiàng)4發(fā)展趨勢(shì)IGBT功率模塊特點(diǎn)編輯igbt功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率mosfet的優(yōu)點(diǎn)于一體化。又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低，開(kāi)關(guān)頻率高（可達(dá)20khz），這兩點(diǎn)非常顯著的特性，西門子公司又推出低飽和壓降（）...

被所述多晶硅柵6側(cè)面覆蓋的所述阱區(qū)2的表面用于形成溝道。由一導(dǎo)電類型重?fù)诫s的發(fā)射區(qū)7形成在所述多晶硅柵6兩側(cè)的所述阱區(qū)2的表面。所述多晶硅柵6通過(guò)頂部對(duì)應(yīng)的接觸孔連接到由正面金屬層12組成的金屬柵極，所述接觸孔穿過(guò)層間膜10。所述發(fā)射區(qū)通過(guò)頂部的對(duì)應(yīng)的接觸孔連接到由正面金屬層12組成的金屬源極；令所述發(fā)射區(qū)頂部對(duì)應(yīng)的接觸孔為源極接觸孔11，所述源極接觸孔11還和穿過(guò)所述發(fā)射區(qū)和所述阱區(qū)2接觸。本發(fā)明一實(shí)施例中，由圖1所示可知，在各所述單元結(jié)構(gòu)中，所述源極接觸孔11和各所述屏蔽接觸孔連接成一個(gè)整體結(jié)構(gòu)。所述一屏蔽多晶硅4a和所述第二屏蔽多晶硅4b也分布通過(guò)對(duì)應(yīng)的接觸孔連接到所述金屬源極。...

圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，...

在所述柵極結(jié)構(gòu)的每一側(cè)包括二個(gè)所述第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)，在其他實(shí)施例中，也能改變所述柵極結(jié)構(gòu)和對(duì)應(yīng)的所述第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)的數(shù)量和位置。所述溝槽101的步進(jìn)為1微米～3微米，所述溝槽101的步進(jìn)如圖3a中的d1所示。在所述漂移區(qū)1和所述集電區(qū)9之間形成有由一導(dǎo)電類型重?fù)诫s區(qū)組成的電場(chǎng)中止層8。本發(fā)明一實(shí)施例中，所述igbt器件為n型器件，一導(dǎo)電類型為n型，第二導(dǎo)電類型為p型。在其他實(shí)施例中也能為：所述igbt器件為p型器件，一導(dǎo)電類型為p型，第二導(dǎo)電類型為n型。本發(fā)明一實(shí)施例具有如下有益技術(shù)效果：1、本發(fā)明一實(shí)施例對(duì)器件單元結(jié)構(gòu)中的柵極結(jié)構(gòu)的屏蔽結(jié)構(gòu)做了特別的設(shè)置，在柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)設(shè)置有形成...

由形成于半導(dǎo)體襯底表面的一導(dǎo)電類型輕摻雜區(qū)組成。第二導(dǎo)電類型摻雜的阱區(qū)，形成于所述漂移區(qū)表面。在所述漂移區(qū)的底部表面形成有由第二導(dǎo)電類重?fù)诫s區(qū)組成的集電區(qū)。電荷存儲(chǔ)層，所述電荷存儲(chǔ)層形成于所述漂移區(qū)的頂部區(qū)域且位于所述漂移區(qū)和所述阱區(qū)交界面的底部，所述電荷存儲(chǔ)層具有一導(dǎo)電類重?fù)诫s；所述電荷存儲(chǔ)層用于阻擋第二導(dǎo)電類載流子從所述漂移區(qū)中進(jìn)入到所述阱區(qū)中。多個(gè)溝槽，各所述溝槽穿過(guò)所述阱區(qū)和所述電荷存儲(chǔ)層且各所述溝槽的進(jìn)入到所述漂移區(qū)中；一個(gè)所述igbt器件的單元結(jié)構(gòu)中包括一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)以及形成于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)，在所述柵極結(jié)構(gòu)的每一側(cè)包括至少一個(gè)所述第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)。所述柵極...

由形成于半導(dǎo)體襯底表面的一導(dǎo)電類型輕摻雜區(qū)組成。第二導(dǎo)電類型摻雜的阱區(qū)，形成于所述漂移區(qū)表面。在所述漂移區(qū)的底部表面形成有由第二導(dǎo)電類重?fù)诫s區(qū)組成的集電區(qū)。電荷存儲(chǔ)層，所述電荷存儲(chǔ)層形成于所述漂移區(qū)的頂部區(qū)域且位于所述漂移區(qū)和所述阱區(qū)交界面的底部，所述電荷存儲(chǔ)層具有一導(dǎo)電類重?fù)诫s；所述電荷存儲(chǔ)層用于阻擋第二導(dǎo)電類載流子從所述漂移區(qū)中進(jìn)入到所述阱區(qū)中。多個(gè)溝槽，各所述溝槽穿過(guò)所述阱區(qū)和所述電荷存儲(chǔ)層且各所述溝槽的進(jìn)入到所述漂移區(qū)中；一個(gè)所述igbt器件的單元結(jié)構(gòu)中包括一個(gè)柵極結(jié)構(gòu)以及形成于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)，在所述柵極結(jié)構(gòu)的每一側(cè)包括至少一個(gè)所述第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)。所述柵極...

IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上；IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說(shuō)的IGBT也指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來(lái)越多見(jiàn)。IGBT模塊連接圖IGBT模塊的安裝：為了使接觸熱阻變小，推薦在散熱器與IGBT模塊的安裝面之間涂敷散熱絕緣混合劑。涂敷散熱絕緣混合劑時(shí)，在散熱器或IGBT模塊的金屬基板面上涂敷。如圖1所示。隨著IGBT模塊與散熱器通過(guò)螺釘夾...

下拉電阻r3并聯(lián)在電阻r2與控制管n3之間，控制限壓功能的工作與否；請(qǐng)?jiān)俅螀㈤唸D1，限流電路300包括電阻r1和正向二極管n22，電阻r1與正向二極管n22相串聯(lián)，限壓電路100、控制電路200和限流電路300相并聯(lián)，限制限壓部分的電流大小，解決了分立器件限壓電路集成在驅(qū)動(dòng)輸出端導(dǎo)通時(shí)出現(xiàn)的較大電流現(xiàn)象，不降低了工作損耗，減小了分立器件的成本、也提高了芯片使用的壽命。使用時(shí)，當(dāng)lp接收到mcu的信號(hào)置高時(shí)，限壓電路開(kāi)始工作，a點(diǎn)電壓被限壓在設(shè)定所需要的電壓u1，如希望igbt驅(qū)動(dòng)輸出限制在12v，此時(shí)a電壓的設(shè)定u1＝12v+vbe，b點(diǎn)電壓為u2＝12v+2vbe，終c點(diǎn)電壓為12v...

目前，為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時(shí)產(chǎn)生瞬時(shí)集電極電流，設(shè)計(jì)人員一般會(huì)設(shè)計(jì)柵特性是需要負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)的IGBT。然而提供負(fù)偏置增加了電路的復(fù)雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅(qū)動(dòng)器，因?yàn)檫@些IC是專為接地操作而設(shè)計(jì)──與控制電路相同。因此，研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅(qū)動(dòng)器便為理想了。這樣的器件已經(jīng)開(kāi)發(fā)出來(lái)了。器件與負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)IGBT進(jìn)行性能表現(xiàn)的比較測(cè)試，在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測(cè)試結(jié)果。為了理解dV/dt感生開(kāi)通現(xiàn)象，我們必須考慮跟IGBT結(jié)構(gòu)有關(guān)的電容。圖1顯示了三個(gè)主要的IGBT寄生電容。集電極到發(fā)射極電容C，集電極到柵極電...

但在中MOSFET及IGBT主流器件市場(chǎng)上，90％主要依賴進(jìn)口，基本被國(guó)外歐美、日本企業(yè)壟斷。國(guó)外企業(yè)如英飛凌、ABB、三菱等廠商研發(fā)的IGBT器件產(chǎn)品規(guī)格涵蓋電壓600V-6500V，電流2A-3600A，已形成完善的IGBT產(chǎn)品系列。英飛凌、三菱、ABB在1700V以上電壓等級(jí)的工業(yè)IGBT領(lǐng)域占優(yōu)勢(shì)；在3300V以上電壓等級(jí)的高壓IGBT技術(shù)領(lǐng)域幾乎處于壟斷地位。在大功率溝槽技術(shù)方面，英飛凌與三菱公司處于國(guó)際水平。西門康、仙童等在1700V及以下電壓等級(jí)的消費(fèi)IGBT領(lǐng)域處于優(yōu)勢(shì)地位。盡管我國(guó)擁有大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，但是目前國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與國(guó)際大公司相比還存在很大差距，...

可控硅可控硅簡(jiǎn)稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋Ｆ渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴}，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由...

附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明限壓電路結(jié)構(gòu)示意圖。圖中：100限壓電路、110一齊納二極管、120第二齊納二極管、200控制電路、300限流電路。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明提供一種igbt驅(qū)動(dòng)電路，將分立器件實(shí)現(xiàn)的限壓電路集成在芯片中，節(jié)省了面積，降低了成本，將限壓電路與igbt的驅(qū)動(dòng)電路結(jié)合在一個(gè)功能塊里進(jìn)一步節(jié)省了面積和成本...

措施：在三相變壓器次級(jí)星形中點(diǎn)與地之間并聯(lián)適當(dāng)電容，就可以減小這種過(guò)電壓。與整流器并聯(lián)的其它負(fù)載切斷時(shí)，因電源回路電感產(chǎn)生感應(yīng)電勢(shì)的過(guò)電壓。變壓器空載且電源電壓過(guò)零時(shí)，初級(jí)拉閘，因變壓器激磁電流的突變，在次級(jí)感生出很高的瞬時(shí)電壓，這種電壓尖峰值可達(dá)工作電壓的6倍以上。交流電網(wǎng)遭雷擊或電網(wǎng)侵入干擾過(guò)電壓，即偶發(fā)性浪涌電壓，都必須加阻容吸收路進(jìn)行保護(hù)。3．直流側(cè)過(guò)電壓及保護(hù)當(dāng)負(fù)載斷開(kāi)時(shí)或快熔斷時(shí)，儲(chǔ)存在變壓器中的磁場(chǎng)能量會(huì)產(chǎn)生過(guò)電壓，顯然在交流側(cè)阻容吸收保護(hù)電路可以抑制這種過(guò)電壓，但由于變壓器過(guò)載時(shí)儲(chǔ)存的能量比空載時(shí)要大，還不能完全消除。措施：能常采用壓敏吸收進(jìn)行保護(hù)。4．過(guò)電流保護(hù)一般加...

同一代技術(shù)中通態(tài)損耗與開(kāi)關(guān)損耗兩者相互矛盾,互為消長(zhǎng)。IGBT模塊按封裝工藝來(lái)看主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術(shù)，如燒結(jié)取代焊接，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝。隨著IGBT芯片技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片的高工作結(jié)溫與功率密度不斷提高，IGBT模塊技術(shù)也要與之相適應(yīng)。未來(lái)IGBT模塊技術(shù)將圍繞芯片背面焊接固定與正面電極互連兩方面改進(jìn)。模塊技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)：無(wú)焊接、無(wú)引線鍵合及無(wú)襯板/基板封裝技術(shù)；內(nèi)部集成溫度傳感器、電流傳感器及驅(qū)動(dòng)電路等功能元件，不斷提高IGBT模塊的功率密度、集成度及智能度。IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)...

3、本發(fā)明還設(shè)置了電荷存儲(chǔ)層，電荷存儲(chǔ)層結(jié)合第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)能更好的防止集電區(qū)注入的少子進(jìn)入到溝道區(qū)域中，從而能降低降低器件的飽和壓降。附圖說(shuō)明下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明：圖1是本發(fā)明實(shí)施例一實(shí)施例igbt器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例第二實(shí)施例igbt器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3a-圖3g是本發(fā)明一實(shí)施例方法各步驟中器件的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式本發(fā)明實(shí)施例一實(shí)施例igbt器件：如圖1所示，是本發(fā)明實(shí)施例一實(shí)施例igbt器件的結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明一實(shí)施例igbt器件包括：漂移區(qū)1，由形成于半導(dǎo)體襯底(未顯示)表面的一導(dǎo)電類型輕摻雜區(qū)組成。本發(fā)明實(shí)施例一實(shí)施例中...

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種igbt驅(qū)動(dòng)電路，包括限壓電路、控制電路和限流電路。，所述限壓電路、所述控制電路和所述限流電路相并聯(lián)。，所述限壓電路包括：一齊納二極管；第二齊納二極管，所述第二齊納二極管與所述一齊納二極管串聯(lián)。，所述控制電路包括限壓電路控制輸入lp、電阻r2、下拉電阻r3和控制管n3，所述限壓電路控制輸入lp與所述電阻r2串聯(lián)，所述電阻r2與所述控制管n3相串聯(lián)，所述下拉電阻r3并聯(lián)在所述電阻r2與所述控制管n3之間。，所述限流電路包括電阻r1和正向二極管n22，所述電阻r1與所述正向二極管n22相串聯(lián)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明將分立器件實(shí)...

如果該力矩不足，可能使接觸熱阻變大，或在工作中產(chǎn)生松動(dòng)。反之，如果力矩過(guò)大，可能引起外殼破壞。將IGBT模塊安裝在由擠壓模制作的散熱器上時(shí)，IGBT模塊的安裝與散熱器擠壓方向平行，這是為了減小散熱器變形的影響。圖2螺釘?shù)膴A緊方法把模塊焊接到PCB時(shí)，應(yīng)注意焊接時(shí)間要短。注意波形焊接機(jī)的溶劑干燥劑的用量，不要使用過(guò)量的溶劑。模塊不能沖洗。用網(wǎng)版印刷技術(shù)在散熱器表面印刷50μm的散熱復(fù)合用螺釘把模塊和PCB安裝在散熱器上。在未上螺釘之前，輕微移動(dòng)模塊可以更好地分布散熱膏。安裝螺釘時(shí)先用合適的力度固定兩個(gè)螺釘，然后用推薦的力度旋緊螺釘。在IGBT模塊的端子上，將柵極驅(qū)動(dòng)電路和控制電路錫焊時(shí)，...

消除了導(dǎo)通電阻中jfet的影響。同時(shí)縮小了原胞尺寸即步進(jìn)(pitch)，提高原胞密度，每個(gè)芯片的溝道總寬度增加，減小了溝道電阻。另一方面，由于多晶硅柵面積增大，減少了分布電阻，有利于提高開(kāi)關(guān)速度。igbt的飽和壓降(vcesat)和關(guān)斷損耗以及抗沖擊能力是衡量igbt器件的幾個(gè)重要指標(biāo)。飽和壓降是衡量igbt產(chǎn)品導(dǎo)通損耗的重要參數(shù)，降低igbt飽和壓降可以有效降低igbt功率損耗，減小產(chǎn)品發(fā)熱，提高功率轉(zhuǎn)換效率。耐壓特性也是是產(chǎn)品的重要參數(shù)之一。降低關(guān)斷損耗可以限度的降低igbt在高頻下的功率損耗。igbt產(chǎn)品抗沖擊能力的主要體現(xiàn)就是產(chǎn)品抗短路能力，是體現(xiàn)產(chǎn)品可靠性的重要參數(shù)指標(biāo)。隨著...