圖3為依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備的剖視圖。具體實(shí)施方式以下將以附圖公開本發(fā)明的多個實(shí)施方式。為明確說明起見,許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而,應(yīng)了解到,這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說,在本發(fā)明的部分實(shí)施方式中,...
圖11b為根據(jù)本申請一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面的一示意圖。圖12為根據(jù)本申請一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面的一示意圖。圖13為根據(jù)本申請一實(shí)施例的晶圓的一示意圖。圖14為根據(jù)本申請另一實(shí)施例的晶圓的一示意圖。圖15為根據(jù)本申請一實(shí)施例的晶圓制作...
所述第二螺桿57的外周上螺紋連接設(shè)有螺套58,所述螺套58與所述第四連桿54之間鉸接設(shè)有第五連桿56,通過所述第二螺桿57的間歇性正反轉(zhuǎn)動,可使所述螺套58間歇性升降移動,進(jìn)而可使所述第五連桿56帶動所述第四連桿54間歇性往返左右移動,從而可使所述移動...
在圖8b所示的實(shí)施例當(dāng)中,示出四個內(nèi)框結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以從圖8a與圖8b理解到,本申請并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的數(shù)量、位置、形狀等配置的參數(shù)。在一實(shí)施例當(dāng)中,如圖8a所示,在內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822之處,晶圓層820的厚度與在邊框結(jié)構(gòu)的厚度是相同的。在...
所述有機(jī)胺為二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺、多乙烯多胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、三丙胺,N,N-二甲基乙醇胺、N,N-甲基乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺一種或多種。所述有機(jī)羧酸選自丙二酸、草酸、乙二胺四乙酸鹽和檸檬酸中的一種或者多種。所述胍類為四甲...
事實(shí)上,材料產(chǎn)業(yè)相關(guān)基礎(chǔ)**技術(shù)早已被國際大廠壟斷,而基礎(chǔ)**又是材料產(chǎn)業(yè)必備要素,同時國外廠商又不愿將**出售給中國,因此在基礎(chǔ)**瓶頸的突破上進(jìn)度緩慢。人才挑戰(zhàn)突破技術(shù)的關(guān)鍵在于人才。近期關(guān)于中國集成電路產(chǎn)業(yè)人才短缺和人才挖角有諸多討論,根據(jù)統(tǒng)計,...
并均勻地到達(dá)位于腔室c內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓200。在實(shí)際應(yīng)用中,半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100包含多個微波產(chǎn)生器130。一般而言,微波產(chǎn)生器130平均地環(huán)繞腔室c分布,如此一來,微波w可均勻地進(jìn)入腔室c內(nèi),并均勻地到達(dá)位于腔室c內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓200,從而促進(jìn)半導(dǎo)體...
該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域完全包圍該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域,該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域完全包圍該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域。進(jìn)一步的,為了保護(hù)該金屬層,并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響,該基板結(jié)構(gòu)更包含:一樹酯層,具有相對應(yīng)的一第五表面與一第六表面,其中該第五表面的形狀相應(yīng)于該第四表...
半導(dǎo)體晶圓和設(shè)備康耐視解決方案支持晶圓和半導(dǎo)體設(shè)備制造過程RelatedProductsIn-Sight視覺系統(tǒng)擁有高級機(jī)器視覺技術(shù)的簡單易用的工業(yè)級智能相機(jī)固定式讀碼器使用簡單且成本媲美激光掃描儀的視覺讀碼器??的鸵暀C(jī)器視覺解決方案是從晶圓制造到集成...
本發(fā)明是關(guān)于一種半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備。背景技術(shù):半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)涉及各種制造與測試過程,而其中一些過程涉及化學(xué)處理。在化學(xué)處理過程中,化學(xué)溶液接觸晶圓并與其發(fā)生反應(yīng)。在化學(xué)處理后,以去離子水(deionizedwater,diw)對晶圓進(jìn)行清洗處理,應(yīng)接著先干...
為了盡可能地利用晶圓的面積來制作不同芯片,其中該半導(dǎo)體晶圓當(dāng)中預(yù)定切割出一第二芯片區(qū)域,包含如該***芯片區(qū)域相同的該基板結(jié)構(gòu),該***芯片區(qū)域與該第二芯片區(qū)域的形狀不同。進(jìn)一步的,為了使用晶圓級芯片制造技術(shù)來加速具有上述基板結(jié)構(gòu)的芯片制作,其中該半導(dǎo)...
氣泡內(nèi)氣體或蒸汽的溫度不需要冷卻至室溫或清洗液的溫度。它可以是高于室溫或清洗液溫度的一定溫度。較佳地,該溫度是明顯低于內(nèi)爆溫度ti。根據(jù)公式(8)和(9),如果已知(δt-δt),可以計算出內(nèi)爆時間τi。但通常情況下,(δt-δt)不太容易被計算出或直...
該中心凹陷區(qū)域位于該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域當(dāng)中,該***環(huán)狀凹陷區(qū)域位于該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域當(dāng)中。進(jìn)一步的,為了更彌補(bǔ)較薄晶圓層的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,其中該***芯片區(qū)域更包含該屏蔽層未覆蓋的一第二環(huán)狀凹陷區(qū)域與該屏蔽層覆蓋的一第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域,該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域完全包...
功率為p1時檢測到的通電時間和預(yù)設(shè)時間τ1進(jìn)行比較,如果檢測到的通電時間比預(yù)設(shè)時間τ1長,檢測電路發(fā)送報警信號到主機(jī),主機(jī)接收到報警信號則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源;檢測電路還比較檢測到的斷電時間和預(yù)設(shè)時間τ2,如果檢測到的斷電時間比預(yù)設(shè)時間τ2短,檢測電...
用于集成電路生產(chǎn)的材料依然以進(jìn)口為主,中國生產(chǎn)替代空間非常龐大。未來隨著多條中國新建晶圓制造產(chǎn)線陸續(xù)投產(chǎn),預(yù)計2018年將為中國當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來新契機(jī)。未來中國半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢將從兩方面同步進(jìn)行:集中優(yōu)勢資源,針對各類別半導(dǎo)體材料,以一...
所述有機(jī)胺為二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺、多乙烯多胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、三丙胺,N,N-二甲基乙醇胺、N,N-甲基乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺一種或多種。所述有機(jī)羧酸選自丙二酸、草酸、乙二胺四乙酸鹽和檸檬酸中的一種或者多種。所述胍類為四甲...
本申請還提供具有上述基板結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶圓,以及制作上述基板結(jié)構(gòu)的晶圓制造方法。根據(jù)本申請的方案,提供具有邊框結(jié)構(gòu)的基板結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體晶圓、以及晶圓制作方法。根據(jù)本申請的一方案,提供一種承載半導(dǎo)體組件的基板結(jié)構(gòu),其特征在于,包含:一晶圓層,具有相對應(yīng)的一*...
清洗液中的氣泡可以在每次***時段的清洗后充分冷卻,以避免損傷晶圓。根據(jù)以下實(shí)施例的詳細(xì)描述,本發(fā)明的其他方面、特征及技術(shù)對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員將是顯而易見的。附圖說明構(gòu)成本說明書一部分的附圖被包括以描述本發(fā)明的某些方面。對本發(fā)明以及本發(fā)明提供的系統(tǒng)的組...
所述拉桿45向上延伸部分伸出外界,且其頂面固設(shè)有手握球46,所述限制塊39頂面與所述滑動腔43的頂壁之間固定安裝有彈簧44,當(dāng)所述橫條33帶動所述第二齒牙34向上移動時,所述第二齒牙34可抵接所述限制塊39,并使所述限制塊39向上移動,進(jìn)而可使所述限制...
如果能夠減少該晶圓層120的電阻值,就可以減少圖1與圖2的電流路徑的總電阻值。此種改進(jìn)能減少消耗功率,降低熱耗損,增進(jìn)芯片的使用壽命。想要減低該晶圓層120的電阻值,可以減少該晶圓層120的厚度。但如前所述,如何在減少該晶圓層120的厚度之后,還能維持...
之后為f3,**后為f4,且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似,在一個實(shí)施例中,在時間段τ1內(nèi),電源的頻率先設(shè)置為f4,之后為f3,**后為f1,且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似,在一個實(shí)施例中,在時間段...
氣穴振蕩是一種混沌現(xiàn)象??栈瘹馀莸漠a(chǎn)生及其破裂受到很多物理參數(shù)的影響。這些猛烈的氣穴振蕩例如不穩(wěn)定的氣穴振蕩或微噴射將損傷這些圖案結(jié)構(gòu)(鰭結(jié)構(gòu)、槽和通孔)。在傳統(tǒng)的超聲波或兆聲波清洗過程中,只有當(dāng)功率足夠高,例如大于5-10瓦時,才會產(chǎn)生***的顆粒去...
并均勻地到達(dá)位于腔室c內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓200。在實(shí)際應(yīng)用中,半導(dǎo)體晶圓干燥設(shè)備100包含多個微波產(chǎn)生器130。一般而言,微波產(chǎn)生器130平均地環(huán)繞腔室c分布,如此一來,微波w可均勻地進(jìn)入腔室c內(nèi),并均勻地到達(dá)位于腔室c內(nèi)的半導(dǎo)體晶圓200,從而促進(jìn)半導(dǎo)體...
該金屬層凹陷區(qū)域在該第二表面的投影區(qū)域位于該中心凹陷區(qū)域當(dāng)中。在一實(shí)施例中,為了設(shè)計與制作的方便,其中該金屬層凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域的形狀相應(yīng),該金屬層凹陷區(qū)域的面積小于該中心凹陷區(qū)域的面積??偵纤?,本申請?zhí)峁┝司哂袕?qiáng)度較大的基板結(jié)構(gòu)的芯片,其具有...
所述動力腔26內(nèi)設(shè)有可控制所述升降塊15間歇性往返升降,來達(dá)到連續(xù)切割狀態(tài)的動力機(jī)構(gòu)103,所述切割腔27靠上側(cè)位置設(shè)有兩個左右對稱,且能用來冷卻所述切割片50的海綿52,所述切割腔27的靠上側(cè)位置左右兩側(cè)連通設(shè)有冷卻水腔14,是冷卻水腔14的上側(cè)連通...
所述拉桿45向上延伸部分伸出外界,且其頂面固設(shè)有手握球46,所述限制塊39頂面與所述滑動腔43的頂壁之間固定安裝有彈簧44,當(dāng)所述橫條33帶動所述第二齒牙34向上移動時,所述第二齒牙34可抵接所述限制塊39,并使所述限制塊39向上移動,進(jìn)而可使所述限制...
并且不同規(guī)格的花籃無法同時進(jìn)行作業(yè),**降低了生產(chǎn)的效率。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)不足,提供一種半導(dǎo)體晶圓濕法清洗治具,可適用于不同尺寸不同形狀晶圓,且可實(shí)現(xiàn)多層同時清洗。本實(shí)用新型具體采用以下技術(shù)方案解決上述技術(shù)問題...
在步驟10010中,將超聲波或兆聲波裝置置于晶圓的上表面附近。在步驟10020中,將清洗液,可以是化學(xué)液或摻了氣體的水噴射到晶圓表面以填滿晶圓和聲波裝置之間的間隙。在步驟10030中,卡盤攜帶晶圓開始旋轉(zhuǎn)以進(jìn)行清洗工藝。在步驟10040中,頻率為f1以...