三極管是流控型器件,MOS管是壓控型器件,可控硅不單單是流控型器件,稍微復(fù)雜一點(diǎn)。分別介紹。三極管的控制方式三極管是常用的電子元器件,可以用作開(kāi)關(guān),也可以用作信號(hào)放大。三極管分為NPN型和PNP型,當(dāng)三極管的PN結(jié)正向偏置之后,三極管導(dǎo)通。對(duì)于NPN三極管而言:在基極是高電平時(shí),三極管導(dǎo)通;在基極是低電平時(shí),三極管截至。對(duì)于PNP三極管而言:在基極是高電平時(shí),三極管截至;在基極是低電平時(shí),三極管導(dǎo)通。MOS管的控制方式MOS管是壓控型的器件,與三極管相比較,其過(guò)電流能力會(huì)更大。MOS管分為NMOS管和PMOS管。其導(dǎo)通條件不一樣。NMOS管,在Vgs>0時(shí)導(dǎo)通,Vgs<><0時(shí)導(dǎo)通,v...
場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,而晶體管是既利用多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電,由于少數(shù)載流子的濃度對(duì)溫度、輻射等外界條件很敏感,因此,對(duì)于環(huán)境變化較大的場(chǎng)合,采用場(chǎng)效應(yīng)管比較合適。場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極是對(duì)稱的,可以互換使用,耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù),因此靈活性比晶體管好。場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得...
場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點(diǎn),因此經(jīng)常作為多級(jí)放大電流的輸入級(jí),與三極管一樣,根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同,將場(chǎng)效應(yīng)管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài),如下圖是場(chǎng)效應(yīng)管共源放大電路,其中:Rg是柵極電阻,將Rs壓降加至柵極;Rd是漏極電阻,將漏極電流轉(zhuǎn)換成漏極電壓,并影響放大倍數(shù)Au;Rs是源極電阻,為柵極提供偏壓;C3是旁路電容,消除Rs對(duì)交流信號(hào)的衰減。恒流源在計(jì)量測(cè)試應(yīng)用很多方面,如下圖是主要是由場(chǎng)效應(yīng)管組成的恒流源電路,這是可作為磁電式儀表調(diào)標(biāo)尺工序。由于場(chǎng)效應(yīng)管是電壓型控制器件,它的柵極幾乎不取電流,輸入阻抗非常高,其實(shí)要想獲得較大恒流輸出,并且精度提高可...
TO-252封裝線主要做一些功率mos管,三極管和穩(wěn)壓干,LDO。功率MOS從電壓20V 30V 40V 60V 100V 到650V,電流從10A 20A 30A 40A 到100A。深圳市盟科電子科技有限公司型號(hào)MK30N06參數(shù)穩(wěn)定,溝槽工藝,電壓達(dá)60V以上,RDON在30毫歐以內(nèi),使用時(shí)發(fā)熱小,產(chǎn)品通過(guò)SGS認(rèn)證,包括鹵素,ROHS還有REACH。主要應(yīng)用于車燈控制,電源開(kāi)關(guān)等。同系列還有更大的電流如MK50N06,MK80N06,用于一些更高功率的電路上。公司以ISO9001為質(zhì)量體系,結(jié)合生產(chǎn)智能執(zhí)行MES系統(tǒng),流程可控,品質(zhì)保證。提供售前支持,售中跟進(jìn),售后保障。歡迎合作洽談。...
電子產(chǎn)品失效故障中,虛焊焊點(diǎn)失效占很大比重,據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)字表明,在電子整機(jī)產(chǎn)品故障中,有將近一半是由于焊接不良引起的,幾乎超過(guò)電子元器件失效的概率,它使電子產(chǎn)品可靠性降低,輕則噪聲增加技術(shù)指標(biāo)劣化,重則電路板無(wú)法完成設(shè)計(jì)功能,更為嚴(yán)重的是導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)在未有任何前兆的情況下突然崩潰,造成重大的經(jīng)濟(jì)損失和信譽(yù)損失。在電子產(chǎn)品生產(chǎn)的測(cè)試環(huán)節(jié)以及售后維修環(huán)節(jié),虛焊造成的故障讓技術(shù)人員在時(shí)間、精力上造成極大的浪費(fèi),有時(shí)為找一個(gè)虛焊點(diǎn),用上一整天的時(shí)間的情況并不鮮見(jiàn)。在電子產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程及維修過(guò)程中,即使從各方面努力,也無(wú)法杜絕虛焊現(xiàn)象,因此,虛焊一直是困擾電子行業(yè)的焦點(diǎn)問(wèn)題。筆者長(zhǎng)期從事電子產(chǎn)品裝...
電子產(chǎn)品失效故障中,虛焊焊點(diǎn)失效占很大比重,據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)字表明,在電子整機(jī)產(chǎn)品故障中,有將近一半是由于焊接不良引起的,幾乎超過(guò)電子元器件失效的概率,它使電子產(chǎn)品可靠性降低,輕則噪聲增加技術(shù)指標(biāo)劣化,重則電路板無(wú)法完成設(shè)計(jì)功能,更為嚴(yán)重的是導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)在未有任何前兆的情況下突然崩潰,造成重大的經(jīng)濟(jì)損失和信譽(yù)損失。在電子產(chǎn)品生產(chǎn)的測(cè)試環(huán)節(jié)以及售后維修環(huán)節(jié),虛焊造成的故障讓技術(shù)人員在時(shí)間、精力上造成極大的浪費(fèi),有時(shí)為找一個(gè)虛焊點(diǎn),用上一整天的時(shí)間的情況并不鮮見(jiàn)。在電子產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程及維修過(guò)程中,即使從各方面努力,也無(wú)法杜絕虛焊現(xiàn)象,因此,虛焊一直是困擾電子行業(yè)的焦點(diǎn)問(wèn)題。筆者長(zhǎng)期從事電子產(chǎn)品裝...
目視可檢查出較為嚴(yán)重的氧化,對(duì)于氧化后的電子元器件,或棄之不用,或去氧化處理合格后再用。一般處理氧化層采用外力擦、刮;微酸清洗;涂抹助焊劑,然后搪錫使用。(表面貼裝元器件因其封裝體積小,氧化一般不易處理,通常退回廠家換貨或報(bào)廢處理)元器件是否氧化除目檢以外,還有較為復(fù)雜詳細(xì)的可焊性試驗(yàn)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn),條件不具備的,可用手工、波峰焊或回流焊方法,對(duì)元器件進(jìn)行批次抽樣試焊。電子元器件儲(chǔ)存條件及儲(chǔ)存期見(jiàn)下表:元器件可焊面的污染在電子產(chǎn)品生產(chǎn)中,元器件要經(jīng)過(guò)來(lái)料接收清點(diǎn)、存儲(chǔ)、發(fā)料、成型和插件(THT工藝)、SMC和SMD的上下料、貼裝和手工補(bǔ)焊等工序或操作,難免會(huì)產(chǎn)生灰塵、油污及汗?jié)n的污染,造成電...
2N7002和2N7002K是一款帶ESD防靜電保護(hù)的場(chǎng)效應(yīng)管,封裝形式為SOT-23,深圳市盟科電子科技有限公司從2010年成立至今一直專注場(chǎng)效應(yīng)管的研發(fā)、生產(chǎn)和應(yīng)用。主要生產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管,三極管,二極管,可控硅,LDO等。質(zhì)量可靠,且提供全程的售前售后服務(wù)。這款2N7002產(chǎn)品是N溝道增強(qiáng)型帶靜電保護(hù)MOS,ESD可達(dá)2000V,其電壓BVDSS是大于60V,電流ID可達(dá)300mA,阻抗Rdon在VGS@10V檔位下典型值為1歐姆,開(kāi)啟電壓VGS(th)典型值在2-4V。本款產(chǎn)品包裝為3000PCS,標(biāo)準(zhǔn)絲印為7002和02K,也可以支持ODM定制,交期大多在15天就可以產(chǎn)出。主要用于...
三極管是流控型器件,MOS管是壓控型器件,可控硅不單單是流控型器件,稍微復(fù)雜一點(diǎn)。分別介紹。三極管的控制方式三極管是常用的電子元器件,可以用作開(kāi)關(guān),也可以用作信號(hào)放大。三極管分為NPN型和PNP型,當(dāng)三極管的PN結(jié)正向偏置之后,三極管導(dǎo)通。對(duì)于NPN三極管而言:在基極是高電平時(shí),三極管導(dǎo)通;在基極是低電平時(shí),三極管截至。對(duì)于PNP三極管而言:在基極是高電平時(shí),三極管截至;在基極是低電平時(shí),三極管導(dǎo)通。MOS管的控制方式MOS管是壓控型的器件,與三極管相比較,其過(guò)電流能力會(huì)更大。MOS管分為NMOS管和PMOS管。其導(dǎo)通條件不一樣。NMOS管,在Vgs>0時(shí)導(dǎo)通,Vgs<><0時(shí)導(dǎo)通,v...
三極管是流控型器件,MOS管是壓控型器件,可控硅不單單是流控型器件,稍微復(fù)雜一點(diǎn)。分別介紹。三極管的控制方式三極管是常用的電子元器件,可以用作開(kāi)關(guān),也可以用作信號(hào)放大。三極管分為NPN型和PNP型,當(dāng)三極管的PN結(jié)正向偏置之后,三極管導(dǎo)通。對(duì)于NPN三極管而言:在基極是高電平時(shí),三極管導(dǎo)通;在基極是低電平時(shí),三極管截至。對(duì)于PNP三極管而言:在基極是高電平時(shí),三極管截至;在基極是低電平時(shí),三極管導(dǎo)通。MOS管的控制方式MOS管是壓控型的器件,與三極管相比較,其過(guò)電流能力會(huì)更大。MOS管分為NMOS管和PMOS管。其導(dǎo)通條件不一樣。NMOS管,在Vgs>0時(shí)導(dǎo)通,Vgs<><0時(shí)導(dǎo)通,v...
場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理,我們先了解一下只含有一個(gè)P—N結(jié)的二極管的工作過(guò)程。如圖6所示,我們知道在二極管加上正向電壓(P端接正極,N端接負(fù)極)時(shí),二極管導(dǎo)通,其PN結(jié)有電流通過(guò)。這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí),N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端,而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動(dòng),從而形成導(dǎo)通電流。同理,當(dāng)二極管加上反向電壓(P端接負(fù)極,N端接正極)時(shí),這時(shí)在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓,正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端,負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端,電子不移動(dòng),其PN結(jié)沒(méi)有電流通過(guò),二極管截止。開(kāi)關(guān)mos管選擇深圳盟科電子。深圳小家電場(chǎng)效應(yīng)管銷售廠家 將萬(wàn)用表?yè)艿絉×...
深圳市盟科電子科技有限公司座落于深圳市寶安區(qū),成立于2010年,占地面積10000余平方米,是一家專業(yè)的半導(dǎo)體研發(fā)制造商。我司專注于半導(dǎo)體元器件的研發(fā)、生產(chǎn)、加工和銷售。作為國(guó)家高新技術(shù)企業(yè),憑借多年的經(jīng)驗(yàn)和發(fā)展,現(xiàn)已達(dá)年產(chǎn)50億只生產(chǎn)規(guī)模。我司主營(yíng)場(chǎng)效應(yīng)管,二極管,三極管,穩(wěn)壓電路,晶閘管,可控硅等半導(dǎo)體元器件,超過(guò)8種封裝如:SOT-23,SOT-23-3L,SOT-23-5L,SOT-23-6L,TO-252,TO-251,SOT-89,SOT-223等。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信,計(jì)算機(jī),電源,節(jié)能燈,玩具,儀器儀表,家用電器,工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備等領(lǐng)域,且可承接OEM/ODM定制。盟科MK34...
場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀儀器主要用以功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)及其它電子電子元件的耐壓測(cè)試之用。儀器分N溝導(dǎo)型測(cè)試儀和P溝導(dǎo)型測(cè)試儀兩種。耐壓測(cè)試儀方法特性:是按照IEC、ISO、BS、UL、JIS等國(guó)內(nèi)、國(guó)際的安全基準(zhǔn)而設(shè)計(jì),是交流安全通用測(cè)試儀器,合適家電及低壓電器的安全測(cè)試。測(cè)試電壓和漏電流使用4位LED數(shù)碼管顯示,測(cè)試時(shí)間使用2位LED數(shù)碼管顯示。漏電流值由粗調(diào)和細(xì)調(diào)旋鈕調(diào)節(jié)。漏電流超差時(shí)自動(dòng)切斷測(cè)試電壓,并發(fā)出聲光報(bào)警信號(hào)。有外控端子。臣式機(jī)箱、塑料面框、外形新穎美觀。主要技術(shù)參數(shù):測(cè)試電壓:AC0~5KV。測(cè)試電壓誤差:低于3%。測(cè)試電壓波形:50Hz市電正弦波。輸...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型;P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成,所以又稱為金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管,簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管。絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例)它是利用UGS來(lái)控制“感應(yīng)電荷”的多少,以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時(shí),通過(guò)工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子,故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷,這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通,形成了導(dǎo)電溝道,即使在VGS=0時(shí)也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變...
讓氮?dú)獍押噶吓c空氣隔絕開(kāi)來(lái),這樣就大為減少浮渣的產(chǎn)生。目前較好的方法是在氮?dú)獗Wo(hù)下使用含磷的焊料,可將浮渣率控制在**低的程度,焊接缺陷**少。在SMT工藝中回流焊工序,焊膏在使用中也會(huì)不斷氧化,其中的金屬含量越來(lái)越低,或者其中的助焊劑變少,也會(huì)造成虛焊。合理選用回流溫度曲線,可降低虛焊的產(chǎn)生。焊料與PCB金屬層,焊料與元件腳金屬層之間的匹配不當(dāng),也會(huì)造成虛焊。有鉛焊料與無(wú)鉛焊端混用時(shí),如果采用有鉛焊料的溫度曲線,有鉛焊料先熔,而無(wú)鉛焊端不能完全熔化,使元件一側(cè)的界面不能生成良好的金屬間合金層,因此有鉛焊料與無(wú)鉛焊端混用時(shí)焊接質(zhì)量**差。在這種情況下,可提高焊接溫度,一般提高到230~...
場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀儀器主要用以功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)及其它電子電子元件的耐壓測(cè)試之用。儀器分N溝導(dǎo)型測(cè)試儀和P溝導(dǎo)型測(cè)試儀兩種。耐壓測(cè)試儀方法特性:是按照IEC、ISO、BS、UL、JIS等國(guó)內(nèi)、國(guó)際的安全基準(zhǔn)而設(shè)計(jì),是交流安全通用測(cè)試儀器,合適家電及低壓電器的安全測(cè)試。測(cè)試電壓和漏電流使用4位LED數(shù)碼管顯示,測(cè)試時(shí)間使用2位LED數(shù)碼管顯示。漏電流值由粗調(diào)和細(xì)調(diào)旋鈕調(diào)節(jié)。漏電流超差時(shí)自動(dòng)切斷測(cè)試電壓,并發(fā)出聲光報(bào)警信號(hào)。有外控端子。臣式機(jī)箱、塑料面框、外形新穎美觀。主要技術(shù)參數(shù):測(cè)試電壓:AC0~5KV。測(cè)試電壓誤差:低于3%。測(cè)試電壓波形:50Hz市電正弦波。輸...
則該三極管是PNP型半導(dǎo)體三極管.8、現(xiàn)在常見(jiàn)的三極管大部分是塑封的,如何準(zhǔn)確判斷三極管的三只引腳哪個(gè)是b、c、e?三極管的b極很容易測(cè)出來(lái),但怎么斷定哪個(gè)是c哪個(gè)是e?a;這里推薦三種方法:第一種方法:對(duì)于有測(cè)三極管hFE插孔的指針表,先測(cè)出b極后,將三極管隨意插到插孔中去(當(dāng)然b極是可以插準(zhǔn)確的),測(cè)一下hFE值,b;然后再將管子倒過(guò)來(lái)再測(cè)一遍,測(cè)得hFE值比較大的一次,各管腳插入的位置是正確的。第二種方法:對(duì)無(wú)hFE測(cè)量插孔的表,或管子太大不方便插入插孔的,可以用這種方法:對(duì)NPN管,先測(cè)出b極(管子是NPN還是PNP以及其b腳都很容易測(cè)出,是吧?),將表置于R×1kΩ檔,將紅表...
目視可檢查出較為嚴(yán)重的氧化,對(duì)于氧化后的電子元器件,或棄之不用,或去氧化處理合格后再用。一般處理氧化層采用外力擦、刮;微酸清洗;涂抹助焊劑,然后搪錫使用。(表面貼裝元器件因其封裝體積小,氧化一般不易處理,通常退回廠家換貨或報(bào)廢處理)元器件是否氧化除目檢以外,還有較為復(fù)雜詳細(xì)的可焊性試驗(yàn)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn),條件不具備的,可用手工、波峰焊或回流焊方法,對(duì)元器件進(jìn)行批次抽樣試焊。電子元器件儲(chǔ)存條件及儲(chǔ)存期見(jiàn)下表:元器件可焊面的污染在電子產(chǎn)品生產(chǎn)中,元器件要經(jīng)過(guò)來(lái)料接收清點(diǎn)、存儲(chǔ)、發(fā)料、成型和插件(THT工藝)、SMC和SMD的上下料、貼裝和手工補(bǔ)焊等工序或操作,難免會(huì)產(chǎn)生灰塵、油污及汗?jié)n的污染,造成電...
書上說(shuō),MOS管的主要作用是放大。不過(guò)實(shí)際在智能硬件產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)中,幾乎沒(méi)有用到放大用的MOS管,絕大部分是用來(lái)做開(kāi)關(guān)的。偶爾有些放大作用的MOS管,也是集成在芯片里面的??梢院敛豢鋸埖闹v,只要不是做IC設(shè)計(jì)的,幾乎用不到MOS管的放大功能。自己搭出來(lái)的MOS放大電路,性能不可能有專業(yè)芯片公司做的好的。MOS管在常用的數(shù)字電路板上的用法:用作開(kāi)關(guān)的時(shí)候,不管是N-MOS還是P-MOS,記住一句話即可:VGS有電壓差,MOS管就導(dǎo)通。VGS沒(méi)有電壓差,MOS管就關(guān)閉。MOS管常見(jiàn)的主要用途有以下幾種負(fù)極開(kāi)關(guān)(N-MOS):設(shè)備控制LED燈控制電路馬達(dá)控制電路N-MOS廣泛應(yīng)用...
另一部分虛焊焊點(diǎn)往往在一年甚至更長(zhǎng)的時(shí)間才出現(xiàn)開(kāi)路的現(xiàn)象,使產(chǎn)品停止工作,造成損失。虛焊有其隱蔽性、故障出現(xiàn)的偶然性以及系統(tǒng)崩潰損失的重大性,不可忽視。研究虛焊的成因,降低其危害,是我國(guó)從電子制造大國(guó)向電子制造強(qiáng)國(guó)發(fā)展必須重視的重要課題。導(dǎo)致虛焊的原因大致分為幾個(gè)方面:1)元器件因素;2)基板(通常為PCB)因素;3)助焊劑、焊料因素;四、工藝參數(shù)及其他因素。下面進(jìn)行詳細(xì)分析。1元器件因素引起的虛焊及其預(yù)防元器件可焊部分的金屬鍍層厚度不夠、氧化、污染、變形都可造成虛焊的結(jié)果。可焊部分的金屬鍍層厚度不夠通常元器件可焊面鍍有一定厚度的、銀白色的、均勻的易焊錫層,如果鍍層太薄或者鍍層不均勻,...
2N7002和2N7002K是一款帶ESD防靜電保護(hù)的場(chǎng)效應(yīng)管,封裝形式為SOT-23,深圳市盟科電子科技有限公司從2010年成立至今一直專注場(chǎng)效應(yīng)管的研發(fā)、生產(chǎn)和應(yīng)用。主要生產(chǎn)場(chǎng)效應(yīng)管,三極管,二極管,可控硅,LDO等。質(zhì)量可靠,且提供全程的售前售后服務(wù)。這款2N7002產(chǎn)品是N溝道增強(qiáng)型帶靜電保護(hù)MOS,ESD可達(dá)2000V,其電壓BVDSS是大于60V,電流ID可達(dá)300mA,阻抗Rdon在VGS@10V檔位下典型值為1歐姆,開(kāi)啟電壓VGS(th)典型值在2-4V。本款產(chǎn)品包裝為3000PCS,標(biāo)準(zhǔn)絲印為7002和02K,也可以支持ODM定制,交期大多在15天就可以產(chǎn)出。主要用于...
三極管是電流控制型器件-通過(guò)基極電流或是發(fā)射極電流去控制集電極電流;又由于其多子和少子都可導(dǎo)電稱為雙極型元件)NPN型三極管共發(fā)射極的特性曲線三極管各區(qū)的工作條件:1.放大區(qū):發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏:2.飽和區(qū):發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏;3.截止區(qū):發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏。11、半導(dǎo)體三極管的好壞檢測(cè)a;先選量程:R﹡100或R﹡1K檔位b;測(cè)量PNP型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的正向電阻值:紅表筆接基極,黑表筆接發(fā)射極,所測(cè)得阻值為發(fā)射極正向電阻值,若將黑表筆接集電極(紅表筆不動(dòng)),所測(cè)得阻值便是集電極的正向電阻值,正向電阻值愈小愈好.c;測(cè)量PNP型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的反...
MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET)。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為N溝道型和P溝道型。對(duì)于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上,同樣對(duì)于P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。場(chǎng)效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓(或稱電場(chǎng))控制,可以認(rèn)為輸入電流極小或沒(méi)有輸入電流,這使得該器件有很高的輸入阻抗,同時(shí)這也是我們稱之為場(chǎng)效應(yīng)管的原因。在二極管加上正向電壓(P端接正極,N端接負(fù)極)時(shí),二極管導(dǎo)通,其PN結(jié)有電流通過(guò)。這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為...
目視可檢查出較為嚴(yán)重的氧化,對(duì)于氧化后的電子元器件,或棄之不用,或去氧化處理合格后再用。一般處理氧化層采用外力擦、刮;微酸清洗;涂抹助焊劑,然后搪錫使用。(表面貼裝元器件因其封裝體積小,氧化一般不易處理,通常退回廠家換貨或報(bào)廢處理)元器件是否氧化除目檢以外,還有較為復(fù)雜詳細(xì)的可焊性試驗(yàn)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn),條件不具備的,可用手工、波峰焊或回流焊方法,對(duì)元器件進(jìn)行批次抽樣試焊。電子元器件儲(chǔ)存條件及儲(chǔ)存期見(jiàn)下表:元器件可焊面的污染在電子產(chǎn)品生產(chǎn)中,元器件要經(jīng)過(guò)來(lái)料接收清點(diǎn)、存儲(chǔ)、發(fā)料、成型和插件(THT工藝)、SMC和SMD的上下料、貼裝和手工補(bǔ)焊等工序或操作,難免會(huì)產(chǎn)生灰塵、油污及汗?jié)n的污染,造成電...
MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET)。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為N溝道型和P溝道型。對(duì)于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上,同樣對(duì)于P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。場(chǎng)效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓(或稱電場(chǎng))控制,可以認(rèn)為輸入電流極小或沒(méi)有輸入電流,這使得該器件有很高的輸入阻抗,同時(shí)這也是我們稱之為場(chǎng)效應(yīng)管的原因。在二極管加上正向電壓(P端接正極,N端接負(fù)極)時(shí),二極管導(dǎo)通,其PN結(jié)有電流通過(guò)。這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為...
則該三極管是PNP型半導(dǎo)體三極管.8、現(xiàn)在常見(jiàn)的三極管大部分是塑封的,如何準(zhǔn)確判斷三極管的三只引腳哪個(gè)是b、c、e?三極管的b極很容易測(cè)出來(lái),但怎么斷定哪個(gè)是c哪個(gè)是e?a;這里推薦三種方法:第一種方法:對(duì)于有測(cè)三極管hFE插孔的指針表,先測(cè)出b極后,將三極管隨意插到插孔中去(當(dāng)然b極是可以插準(zhǔn)確的),測(cè)一下hFE值,b;然后再將管子倒過(guò)來(lái)再測(cè)一遍,測(cè)得hFE值比較大的一次,各管腳插入的位置是正確的。第二種方法:對(duì)無(wú)hFE測(cè)量插孔的表,或管子太大不方便插入插孔的,可以用這種方法:對(duì)NPN管,先測(cè)出b極(管子是NPN還是PNP以及其b腳都很容易測(cè)出,是吧?),將表置于R×1kΩ檔,將紅表...
表示柵源極間PN結(jié)處于正偏時(shí)柵極電流的方向。P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管除偏置電壓的極性和載流子的類型與N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管不同外,其工作原理完全相同。絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)中,目前常用的是以二氧化硅SiO2作為金屬鋁柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層,簡(jiǎn)稱MOS管。它有N溝道和P溝道兩類,而每一類又分增強(qiáng)型和耗盡型兩種。所謂增強(qiáng)型就是UGS=0時(shí),漏源之間沒(méi)有導(dǎo)電溝道,即使在漏源之間加上一定范圍內(nèi)的電壓,也沒(méi)有漏極電流;反之,在UGS=0時(shí),漏源之間存在有導(dǎo)電溝道的稱為耗盡型。N溝道增強(qiáng)型MOS管是一塊雜質(zhì)濃度較低的P型硅片作為襯底B,在其中擴(kuò)散兩個(gè)N+區(qū)作為電極,分別稱為源極S和漏極D。半導(dǎo)體表面...
讓氮?dú)獍押噶吓c空氣隔絕開(kāi)來(lái),這樣就大為減少浮渣的產(chǎn)生。目前較好的方法是在氮?dú)獗Wo(hù)下使用含磷的焊料,可將浮渣率控制在**低的程度,焊接缺陷**少。在SMT工藝中回流焊工序,焊膏在使用中也會(huì)不斷氧化,其中的金屬含量越來(lái)越低,或者其中的助焊劑變少,也會(huì)造成虛焊。合理選用回流溫度曲線,可降低虛焊的產(chǎn)生。焊料與PCB金屬層,焊料與元件腳金屬層之間的匹配不當(dāng),也會(huì)造成虛焊。有鉛焊料與無(wú)鉛焊端混用時(shí),如果采用有鉛焊料的溫度曲線,有鉛焊料先熔,而無(wú)鉛焊端不能完全熔化,使元件一側(cè)的界面不能生成良好的金屬間合金層,因此有鉛焊料與無(wú)鉛焊端混用時(shí)焊接質(zhì)量**差。在這種情況下,可提高焊接溫度,一般提高到230~...
晶閘管又稱可控硅,其與場(chǎng)效應(yīng)管一樣,皆為半導(dǎo)體器件,它們的外形封裝也基本一樣,但它們?cè)陔娐分械挠猛緟s不一樣。晶閘管可分為單向晶閘管和雙向晶閘管兩種。它們?cè)陔娮与娐分锌梢宰鳛殡娮娱_(kāi)關(guān)使用,用來(lái)控制負(fù)載的通斷;可以用來(lái)調(diào)節(jié)交流電壓,從而實(shí)現(xiàn)調(diào)光、調(diào)速、調(diào)溫。另外,單向晶閘管還可以用于整流。晶閘管在日常中用的很廣,像家里用的聲控?zé)簦话悴捎肂T169、MCR100-6這類小功率單向晶閘管作為電子開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)燈泡工作。在白熾燈泡無(wú)級(jí)調(diào)光或電風(fēng)扇無(wú)級(jí)調(diào)速電路中,常用BT136這類大功率的雙向晶閘管來(lái)實(shí)現(xiàn)調(diào)光或調(diào)速。雙向晶閘管的電路符號(hào)。MOS場(chǎng)效應(yīng)管的電路符號(hào)。場(chǎng)效應(yīng)管屬于單極型半導(dǎo)體器件,其可以分...
盟科SOT-23-6L SOP-8這兩個(gè)封裝主要做一些N+P 雙N 雙P的產(chǎn)品。很多型號(hào)參數(shù)可以跟AO萬(wàn)代pin對(duì)pin。主要用于電機(jī)控制,LED背板,同步整流。MK6801 MK6800 MK6804 MK6404 MK9926 MK4606等熱銷型號(hào)長(zhǎng)期穩(wěn)定供貨。具體規(guī)格可聯(lián)系我們索取資料和樣品。盟科的這類產(chǎn)品因成本優(yōu)勢(shì),質(zhì)量保證,很多客戶選擇去替代進(jìn)口料。原材料選擇上,本司一直本著質(zhì)量為主。各流程管控,盟科的場(chǎng)效應(yīng)管市場(chǎng)認(rèn)可度很高,這也致使我們不斷努力,不斷改進(jìn),為客戶提供更為質(zhì)量的產(chǎn)品,更為***的服務(wù)。成為客戶認(rèn)可的供應(yīng)商。工廠在深圳松崗,設(shè)備大多使用行業(yè)認(rèn)可的品牌,管理和工程團(tuán)隊(duì)也...