輔助生殖4大通用技能一技能：人工授精二技能：體外受精三技能：卵巢移植四技能：?jiǎn)尉语@微注射技術(shù)一般而言，體外受精是妥妥的主加技能，應(yīng)用***。1.單精子顯微注射技術(shù)單精子顯微注射技術(shù)（簡(jiǎn)稱ICSI，即Intracytoplasmicsperminjection的英文縮寫(xiě)）指胞漿內(nèi)單精子顯微注射技術(shù)。該技術(shù)是借助顯微操作系統(tǒng)將單個(gè)精子頭注入小鼠卵子胞漿內(nèi),使卵子受精，體外培養(yǎng)到早期胚胎，再放回母體子宮內(nèi)發(fā)育著床。在臨床上，ICSI即第二代“試管嬰兒技術(shù)”。壓電破膜儀PMM 6用于RNA注射。美國(guó)透明帶打孔壓電胚胎干細(xì)胞

PMM可用于移去卵細(xì)胞內(nèi)的染色體，它可以用平口針迅速的穿透透明帶，而無(wú)須用尖頭針。含有染色體的細(xì)胞質(zhì)會(huì)混進(jìn)洗液管，通過(guò)透明帶的孔抽取出來(lái)。PMM和傳統(tǒng)方法相比提高了速度和準(zhǔn)確率，也就是說(shuō)增加了效率。細(xì)胞核顯微注射Piezo可以輕易破壞核的細(xì)胞質(zhì)膜收集核，利用平口針灸可以一次注射1個(gè)或更多的核。針在膜的表面形成一個(gè)較深的內(nèi)陷，piezo就很容易破膜將核注射進(jìn)去。胚胎干細(xì)胞顯微注射PMM與傳統(tǒng)尖頭針相比可促進(jìn)ES細(xì)胞注射入胚泡，甚至可以穿透和部分破壞內(nèi)細(xì)胞群，增加ES細(xì)胞的作用。平口針的頂端直徑為8-12um，大約可裝15個(gè)ES細(xì)胞，用中、低檔能量的脈沖，PMM即可穿透細(xì)胞群，用低能量的多次脈沖，針可穿透滋養(yǎng)外胚層（TE)。卵母細(xì)胞胞漿內(nèi)單精子顯微注射PMM通過(guò)將精子尾部與頭部割離，精子頭部吸入平口針，在中低檔能量下即可穿透透明帶，進(jìn)行單精子顯微注射。增加了速度和準(zhǔn)確率，PMM為轉(zhuǎn)基因鼠高效率的產(chǎn)品。與傳統(tǒng)方法相比，Piezo增加了顯微注射的速度和準(zhǔn)確率，利用MII轉(zhuǎn)基因的方法很有效的生成轉(zhuǎn)基因鼠。日本透明帶穿孔壓電PRIME TECH 公司生產(chǎn)的PMM 150FU為全世界較早的壓電破膜儀。

傳統(tǒng)的壓電陶瓷較其它類型的壓電材料壓電效應(yīng)要強(qiáng)，從而得到了廣泛應(yīng)用。但作為大應(yīng)邊，高能換能材料，傳統(tǒng)壓電陶瓷的壓電效應(yīng)仍不能滿足要求。于是近幾年來(lái)，人們?yōu)榱搜芯砍鼍哂懈鼉?yōu)異壓電性的新壓電材料，做了大量工作，現(xiàn)已發(fā)現(xiàn)并研制出了Pb(A1/3B2/3)PbTiO3單晶（A=Zn2+,Mg2+）。這類單晶的d33比較高可達(dá)2600pc/N(壓電陶瓷d33比較大為850pc/N),k33可高達(dá)0.95（壓電陶瓷K33比較高達(dá)0.8），其應(yīng)變>1.7%，幾乎比壓電陶瓷應(yīng)變高一個(gè)數(shù)量級(jí)。儲(chǔ)能密度高達(dá)130J/kg，而壓電陶瓷儲(chǔ)能密度在10J/kg以內(nèi)。鐵電壓電學(xué)者們稱這類材料的出現(xiàn)是壓電材料發(fā)展的又一次飛躍?，F(xiàn)在美國(guó)、日本、俄羅斯和中國(guó)已開(kāi)始進(jìn)行這類材料的生產(chǎn)工藝研究，它的批量生產(chǎn)的成功必將帶來(lái)壓電材料應(yīng)用的飛速發(fā)展。

注射—將含一個(gè)已制動(dòng)精子的注射管輕柔刺破透明帶和卵膜，進(jìn)入卵母細(xì)胞中心。注入精子時(shí)，應(yīng)盡可能少地帶入培養(yǎng)液。之后使用負(fù)壓破壞卵膜，隨后輕柔抽吸細(xì)胞質(zhì)。精子置入、穿過(guò)卵膜和抽吸細(xì)胞質(zhì)以***卵母細(xì)胞的不同方法對(duì)受精和胚胎發(fā)育率的影響是一個(gè)研究熱點(diǎn)。壓電輔助的ICSI是一種新型方法，目前已在有ICSI結(jié)局不良病史和MⅡ期卵母細(xì)胞有限的患者中使用。在ICSI操作過(guò)程中，該技術(shù)對(duì)卵母細(xì)胞的損傷較小且可改善受精率和胚胎質(zhì)量。目前使用壓電驅(qū)動(dòng)管的新型ICSI注射技術(shù)已成功用于多種哺乳動(dòng)物。由于該注射器采用超聲切割力(而不是刺穿力)穿透卵膜，注射過(guò)程中卵母細(xì)胞幾乎沒(méi)有變形，因此其對(duì)卵母細(xì)胞的損傷大幅減少。該技術(shù)實(shí)現(xiàn)的存活率和成功率同樣高。注射后，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室方案培養(yǎng)卵母細(xì)胞。受精I(xiàn)CSI后，受精率為50%-80%。雖然ICSI不可保證一定受精，但完全受精失敗的發(fā)生率較低，通常發(fā)生于獲卵數(shù)較低的周期。受精失敗的原因通常不是未置入精子或卵母細(xì)胞排出精子。其可能是由于卵母細(xì)胞***失敗，這通常與卵母細(xì)胞質(zhì)量較差或精子無(wú)活性有關(guān)。PMM利用壓電晶體管壓電效應(yīng)，將卵細(xì)胞外層的透明帶輕易穿孔，以執(zhí)行動(dòng)物克隆或人工生殖。

時(shí)值壓電效應(yīng)發(fā)現(xiàn)的一百周年，特參考馬遜（W.P.Mason）之作撰寫(xiě)本文，簡(jiǎn)介壓電性之歷史及其應(yīng)用。早期壓電效應(yīng)*止于學(xué)術(shù)上的趣味性研究，而如今則已成為非常有用的效應(yīng)，用它制出各式各樣的聲電換能器，其操作頻譜可由100Hz起涵蓋至幾個(gè)GHz，依頻率的不同而有不同的用途。聲納、反潛、海底通訊、電話通訊等是低頻（聲頻、AF波段）訊號(hào)**典型的應(yīng)用。在幾個(gè)MHz范圍，其波長(zhǎng)在毫米范圍，適合用來(lái)作非破壞性的檢驗(yàn)材料（nondestructivetesting,簡(jiǎn)稱NDT）與醫(yī)學(xué)診斷上，所謂超聲波成像術(shù)、全像攝影術(shù)、計(jì)算機(jī)輔助聲波斷層攝影術(shù)等就是針對(duì)這些用途而研究的。頻率在VHF、UHF波段則使用壓電性所研制出來(lái)的表面聲波電子組件。如延遲線、各式濾波器、回旋器（convolver）、相關(guān)器（correlator）等訊號(hào)處理組件，在通訊上與訊號(hào)處理上具有重要的應(yīng)用。當(dāng)頻率高至低微波波段，其對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)在微米范圍，用來(lái)制作聲學(xué)顯微鏡，其解像力可和傳統(tǒng)的光學(xué)顯微鏡比美，而其機(jī)械波而非電磁波的獨(dú)特性質(zhì)，則可彌補(bǔ)光學(xué)顯微鏡在應(yīng)用上的不足。利用壓電破膜儀 PMM ，可以精確控制和操作受精卵，提高受孕成功率。日本精子制動(dòng)壓電ICSI

壓電破膜儀 PMM PIEZO-ICSI的使用不僅可以提高受精成功率，還可以減少操作的時(shí)間和風(fēng)險(xiǎn)，提高工作效率。美國(guó)透明帶打孔壓電胚胎干細(xì)胞

壓電效應(yīng)可分為正壓電效應(yīng)和逆壓電效應(yīng)。正壓電壓電效應(yīng)是指：當(dāng)晶體受到某固定方向外力的作用時(shí),內(nèi)部就產(chǎn)生電極化現(xiàn)象,同時(shí)在某兩個(gè)表面上產(chǎn)生符號(hào)相反的電荷；當(dāng)外力撤去后，晶體又恢復(fù)到不帶電的狀態(tài)；當(dāng)外力作用方向改變時(shí)，電荷的極性也隨之改變；晶體受力所產(chǎn)生的電荷量與外力的大小成正比。壓電式傳感器大多是利用正壓電效應(yīng)制成的。逆壓電是指對(duì)晶體施加交變電場(chǎng)引起晶體機(jī)械變形的現(xiàn)象。用逆壓電效應(yīng)制造的變送器可用于電聲和超聲工程。壓電敏感元件的受力變形有厚度變形型、長(zhǎng)度變形型、體積變形型、厚度切變型、平面切變型5種基本形式。壓電晶體是各向異性的，并非所有晶體都能在這5種狀態(tài)下產(chǎn)生壓電效應(yīng)。例如石英晶體就沒(méi)有體積變形壓電效應(yīng)，但具有良好的厚度變形和長(zhǎng)度變形壓電效應(yīng)。美國(guó)透明帶打孔壓電胚胎干細(xì)胞