一個(gè)晶圓1300可以在半導(dǎo)體的制程與封裝之后，再進(jìn)行芯片的切割，這種制作過程通常被稱為晶圓級(jí)芯片封裝(wlcsp,waferlevelchipscalepackage)。如圖13所示，該晶圓1300可以預(yù)先設(shè)計(jì)成要在虛線處進(jìn)行切割，以便在封裝之后形成多個(gè)芯片。在圖13當(dāng)中，該晶圓1300可以包含三個(gè)尺寸相同的芯片1310~1330。在一實(shí)施例中，這三個(gè)芯片1310~1330可以是同一種設(shè)計(jì)的芯片。換言之，這三個(gè)芯片1310~1330可以包含上述基板結(jié)構(gòu)300~1200當(dāng)中的其中一種。或者說整個(gè)晶圓1300所包含的所有芯片都包含同一種基板結(jié)構(gòu)。在另一實(shí)施例當(dāng)中，這三個(gè)芯片1310~1330可以是不同種設(shè)計(jì)的芯片。也就是說，這三個(gè)芯片1310~1330可以包含上述基板結(jié)構(gòu)300~1200當(dāng)中的其中兩種或三種。換言之，整個(gè)晶圓1300的多個(gè)芯片包含兩種以上的基板結(jié)構(gòu)。舉例來說，芯片1310可以包含基板結(jié)構(gòu)500，芯片1320可以包含基板結(jié)構(gòu)900，芯片1330可以包含基板結(jié)構(gòu)400。在另一范例中，芯片1310可以包含基板結(jié)構(gòu)300，芯片1320可以包含基板結(jié)構(gòu)800。圖13所示的芯片也可以包含圖6、7、11、12分別所示的四種剖面600、700、1100與1200。換言之，本申請(qǐng)并不限定同一個(gè)晶圓上的任兩顆芯片使用相同的剖面。請(qǐng)參考圖14所示。半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品的用途是什么？江門半導(dǎo)體晶圓商家

    本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體晶圓濕法清洗治具。背景技術(shù)：濕法清洗是半導(dǎo)體生產(chǎn)中被***接受和使用，作為半導(dǎo)體制造過程中，由于其成本低，可靠性高等優(yōu)點(diǎn)被***使用。通常的濕法清洗過程是將需要清洗的晶圓放置到特定的花籃中，然后將承載晶圓的花籃放置于相應(yīng)的清洗燒杯中，清洗燒杯中盛放可以清洗晶圓的溶液，根據(jù)不同的清洗要求，清洗燒杯會(huì)放置在帶有加熱或者超聲功能的清洗槽內(nèi)。傳統(tǒng)的晶圓清洗花籃通常將晶圓豎直放置，通過卡槽固定，此種方式存在如下缺陷：由于標(biāo)準(zhǔn)晶圓清洗花籃的卡槽通常設(shè)計(jì)的較窄，人為操作取、放片時(shí)手易抖動(dòng)、位置把握不準(zhǔn)等因素，晶圓容易和卡槽周邊發(fā)生碰撞、擠壓，造成晶圓破碎。如果在設(shè)計(jì)時(shí)增大花籃卡槽寬度的話，運(yùn)輸和清洗操作過程中晶圓在卡槽內(nèi)容易大幅度晃動(dòng)，產(chǎn)生較大的沖擊力，同樣會(huì)造成晶圓破碎。為了解決這一問題，出現(xiàn)了一些水平放置清洗花籃，晶圓在花籃中水平放置，可以避免豎直放置型花籃容易導(dǎo)致晶圓破損的問題?，F(xiàn)有水平放置清洗花籃通常被設(shè)計(jì)為特定尺寸的圓形花籃，但是隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，在產(chǎn)品流線中一般會(huì)有多種尺寸、多種不同形狀的晶圓同時(shí)流片，傳統(tǒng)方法只能定制不同尺寸的花籃進(jìn)行使用，這增加了設(shè)備的持有成本。遼寧半導(dǎo)體晶圓多大半導(dǎo)體晶圓推薦咨詢??

    圖11b為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面的一示意圖。圖12為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面的一示意圖。圖13為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的晶圓的一示意圖。圖14為根據(jù)本申請(qǐng)另一實(shí)施例的晶圓的一示意圖。圖15為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的晶圓制作方法的前列程示意圖。圖16a~16j為根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的晶圓制作過程的各階段的剖面示意圖。具體實(shí)施方式本發(fā)明將詳細(xì)描述一些實(shí)施例如下。然而，除了所揭露的實(shí)施例外，本發(fā)明的范圍并不受該些實(shí)施例的限定，是以其后的申請(qǐng)專利范圍為準(zhǔn)。而為了提供更清楚的描述及使該項(xiàng)技藝的普通人員能理解本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容，圖示內(nèi)各部分并沒有依照其相對(duì)的尺寸進(jìn)行繪圖，某些尺寸或其他相關(guān)尺度的比例可能被凸顯出來而顯得夸張，且不相關(guān)的細(xì)節(jié)部分并沒有完全繪出，以求圖示的簡(jiǎn)潔。請(qǐng)參考圖1所示，其為現(xiàn)有半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)100的一剖面示意圖。在該結(jié)構(gòu)100當(dāng)中，依序包含一金屬層110、一晶圓層120與一半導(dǎo)體組件層130。晶圓層120夾在該金屬層110與半導(dǎo)體組件層130之間。在圖1當(dāng)中，該半導(dǎo)體組件層130可以包含垂直型設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體元器件，例如包含至少一個(gè)金氧半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管器件(mosfet。

    位于上側(cè)所述夾塊49固設(shè)有兩個(gè)前后對(duì)稱的卡扣61，所述切割腔27的前側(cè)固設(shè)有玻璃窗66，通過所述卡扣61，可使所述夾塊49夾緊所述硅錠48，通過所述玻璃窗66可便于觀測(cè)切割情況。初始狀態(tài)時(shí)，滑塊47與送料腔68右壁抵接，切割片50處于上側(cè)，兩個(gè)海綿52抵接切割片50，接收箱28位于切割腔27下側(cè)，并接收腔29內(nèi)存有清水，橫條33位于**下側(cè)，第二齒牙34與***齒牙38不接觸，第二齒牙34與限制塊39不接觸，限制塊39插入限制腔42內(nèi)。當(dāng)使用時(shí)，通過***電機(jī)63的運(yùn)轉(zhuǎn)，可使蝸桿65帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)軸36轉(zhuǎn)動(dòng)，通過旋轉(zhuǎn)軸36的旋轉(zhuǎn)，可使***連桿32帶動(dòng)三叉連桿31繞圓弧方向左右晃動(dòng)，從而可使連接臺(tái)35帶動(dòng)橫條33繞圓弧方向左右晃動(dòng)，當(dāng)橫條33沿圓弧方向向上移動(dòng)時(shí)，第二齒牙34可與***齒牙38嚙合，進(jìn)而可帶動(dòng)上滑塊47向左移動(dòng)，則可使夾塊49向左移動(dòng)，當(dāng)橫條33帶動(dòng)第二齒牙34向上移動(dòng)時(shí)，第二齒牙34可抵接限制塊39，并使限制塊39向上移動(dòng)，進(jìn)而可使限制塊39離開限制腔42，則可使滑塊47能夠正常向左移動(dòng)，當(dāng)滑塊47需要向右移動(dòng)時(shí)，手動(dòng)向上拉動(dòng)手握球46，使限制塊39向上移動(dòng)，并手動(dòng)向右拉動(dòng)手拉塊40，則橫板41可帶動(dòng)滑塊47向右移動(dòng)，通過第二電機(jī)16的運(yùn)轉(zhuǎn)，可使切割軸51帶動(dòng)切割片50轉(zhuǎn)動(dòng)。半導(dǎo)體晶圓推薦廠家..

    非脈沖模式)時(shí)晶圓上的通孔或槽確定沒有被清洗干凈；第四步是采用sems或元素分析工具如edx檢測(cè)以上五片晶圓的通孔或槽內(nèi)的可追蹤的殘留物狀態(tài)。步驟一至步驟四可以重復(fù)數(shù)次以逐步縮短時(shí)間τ2直到觀察到通孔或槽內(nèi)的可追蹤殘留物。由于時(shí)間τ2被縮短，氣泡的體積無法徹底縮小，從而將逐步堵塞圖案結(jié)構(gòu)并影響清洗效果，這個(gè)時(shí)間被稱為臨界冷卻時(shí)間τc。知道臨界冷卻時(shí)間τc后，時(shí)間τ2可以設(shè)置為大于2τc以獲得安全范圍。更詳細(xì)的舉例如下：***步是選擇10個(gè)不同的時(shí)間τ1作為實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(doe)的條件，如下表3所示的τ10，2τ10,4τ10,8τ10,16τ10,32τ10,64τ10,128τ10,256τ10,512τ10；第二步是選擇時(shí)間τ2至少是10倍的512τ10，在***屏測(cè)試時(shí)**好是20倍的512τ10，如表3所示；第三步是確定一功率p0分別在具有特定的圖案結(jié)構(gòu)的晶圓上運(yùn)行以上10個(gè)條件，此處，p0為運(yùn)行連續(xù)模式(非脈沖模式)時(shí)晶圓上的通孔或槽確定沒有被清洗干凈；第四步是使用表3所示的上述條件處理等離子刻蝕后的10片具有通孔或槽的晶圓，選擇等離子刻蝕后的晶圓的原因在于刻蝕過程中會(huì)在槽和通孔側(cè)壁產(chǎn)生聚合物，這些位于通孔底部或側(cè)壁上的聚合物難以用傳統(tǒng)方法去除。半導(dǎo)體晶圓推薦貨源.?棗莊半導(dǎo)體晶圓廠家現(xiàn)貨

半導(dǎo)體晶圓的運(yùn)用場(chǎng)景。江門半導(dǎo)體晶圓商家

    周期測(cè)量模塊30104用于通過使用以下公式的計(jì)數(shù)器測(cè)量高電平和低電平信號(hào)的持續(xù)時(shí)間：τ1＝counter_h*20ns,τ2＝counter_l*20ns其中，counter_h為高電平的數(shù)量，counter_l為低電平的數(shù)量。主控制器26094比較計(jì)算出的通電時(shí)間和預(yù)設(shè)時(shí)間τ1，如果計(jì)算出的通電時(shí)間比預(yù)設(shè)時(shí)間τ1長(zhǎng)，主控制器26094發(fā)送報(bào)警信號(hào)到主機(jī)25080，主機(jī)25080接收到報(bào)警信號(hào)則關(guān)閉聲波發(fā)生器25082。主控制器26094比較計(jì)算出的斷電時(shí)間和預(yù)設(shè)時(shí)間τ2，如果計(jì)算出的斷電時(shí)間比預(yù)設(shè)時(shí)間τ2短，主控制器26094發(fā)送報(bào)警信號(hào)到主機(jī)25080，主機(jī)25080接收到報(bào)警信號(hào)則關(guān)閉聲波發(fā)生器25082。在一個(gè)實(shí)施例中，主控制器26094的型號(hào)可以選擇alteracycloneivfpga型號(hào)為ep4ce22f17c6n。圖31揭示了由于聲波裝置自身的特性，主機(jī)關(guān)閉聲波電源后，聲波電源仍然會(huì)繼續(xù)振蕩多個(gè)周期。主控制器26094測(cè)量聲波發(fā)生器25082在斷電后振蕩多個(gè)周期的時(shí)間τ3。時(shí)間τ3可以通過試驗(yàn)取得。因此，實(shí)際的通電時(shí)間等于τ-τ3，其中，τ為周期測(cè)量模塊25104計(jì)算出的時(shí)間。主控制器26094比較實(shí)際通電時(shí)間和預(yù)設(shè)時(shí)間τ1，如果實(shí)際通電時(shí)間比預(yù)設(shè)時(shí)間τ1長(zhǎng)，則主控制器26094發(fā)送報(bào)警信號(hào)到主機(jī)25080。江門半導(dǎo)體晶圓商家

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