所述動力腔26內(nèi)設(shè)有可控制所述升降塊15間歇性往返升降,來達(dá)到連續(xù)切割狀態(tài)的動力機(jī)構(gòu)103,所述切割腔27靠上側(cè)位置設(shè)有兩個左右對稱,且能用來冷卻所述切割片50的海綿52,所述切割腔27的靠上側(cè)位置左右兩側(cè)連通設(shè)有冷卻水腔14,是冷卻水腔14的上側(cè)連通設(shè)有傳動腔55,所述傳動腔55內(nèi)設(shè)有可控制所述海綿52在所述切割片50上升時抵接所述切割片50,達(dá)到冷卻效果的傳動機(jī)構(gòu)104,所述傳動機(jī)構(gòu)104與所述動力機(jī)構(gòu)103聯(lián)動運轉(zhuǎn)。另外,在一個實施例中,所述步進(jìn)機(jī)構(gòu)101包括固設(shè)在所述滑塊47底面上的步進(jìn)塊37,所述步進(jìn)塊37位于所述從動腔62內(nèi),所述步進(jìn)塊37的底面固設(shè)有***齒牙38,所述從動腔62的后壁上轉(zhuǎn)動設(shè)有兩個左右對稱的旋轉(zhuǎn)軸36,所述旋轉(zhuǎn)軸36的外周上固設(shè)有***連桿32,所述從動腔62的后壁上鉸接設(shè)有兩個左右對稱的第二連桿30,所述第二連桿30與所述***連桿32之間鉸接設(shè)有三叉連桿31,所述三叉連桿31另一側(cè)鉸接設(shè)有旋轉(zhuǎn)軸36,兩個所述旋轉(zhuǎn)軸36的頂面上固設(shè)有一個橫條33,所述橫條33的頂面上固設(shè)有第二齒牙34,所述第二齒牙34可與所述***齒牙38嚙合,通過所述旋轉(zhuǎn)軸36的旋轉(zhuǎn),可使所述***連桿32帶動所述三叉連桿31繞圓弧方向左右晃動。國內(nèi)半導(dǎo)體晶圓廠家哪家好?遂寧半導(dǎo)體晶圓五星服務(wù)
本申請還提供具有上述基板結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體晶圓,以及制作上述基板結(jié)構(gòu)的晶圓制造方法。根據(jù)本申請的方案,提供具有邊框結(jié)構(gòu)的基板結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體晶圓、以及晶圓制作方法。根據(jù)本申請的一方案,提供一種承載半導(dǎo)體組件的基板結(jié)構(gòu),其特征在于,包含:一晶圓層,具有相對應(yīng)的一***表面與一第二表面,其中該第二表面具有向該***表面凹陷的一中心凹陷區(qū)域,該中心凹陷區(qū)域位于該第二表面當(dāng)中,使得該晶圓層的一邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域環(huán)繞在該第二表面周圍;以及一金屬層,具有相對應(yīng)的一第三表面與一第四表面,該第三表面完全貼合于該第二表面。進(jìn)一步的,為了彌補較薄晶圓層的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,其中該第二表面更包含具有向該***表面凹陷的一***環(huán)狀凹陷區(qū)域,該***環(huán)狀凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域位于該第二表面當(dāng)中,使得該晶圓層在該***環(huán)狀凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域之間形成環(huán)狀的一***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域。進(jìn)一步的,為了更彌補較薄晶圓層的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,其中該第二表面更具有向該***表面凹陷的第二環(huán)狀凹陷區(qū)域,該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域位于該第二表面當(dāng)中,使得該晶圓層在該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域之間形成環(huán)狀的一第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域,該***環(huán)狀凹陷區(qū)域完全包含環(huán)狀的該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域。安徽半導(dǎo)體晶圓去膠設(shè)備原理半導(dǎo)體產(chǎn)品的加工過程主要包括晶圓制造和封裝測試。
之后為f3,**后為f4,且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似,在一個實施例中,在時間段τ1內(nèi),電源的頻率先設(shè)置為f4,之后為f3,**后為f1,且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似,在一個實施例中,在時間段τ1內(nèi),電源的頻率先設(shè)置為f1,之后為f4,**后為f3,且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似,在一個實施例中,在時間段τ1內(nèi),電源的頻率先設(shè)置為f3,之后為f4,**后為f1,且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似,在一個實施例中,在時間段τ1內(nèi),電源的頻率先設(shè)置為f3,之后為f1,**后為f4,且f4小于f3,f3小于f1。仍與圖9c所示的清洗工藝相似,在一個實施例中,在時間段τ1內(nèi),電源的頻率先設(shè)置為f4,之后為f1,**后為f3,且f4小于f3,f3小于f1。圖10a至圖10c揭示了根據(jù)本發(fā)明的又一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。參考圖10a所示,與圖7a所示的清洗工藝相類似,在時間段τ1內(nèi),將具有功率水平p1及頻率f1的電源應(yīng)用至聲波裝置。然而,在時間段τ2內(nèi),電源的功率水平降至p2而不是如圖7a所示降到零。結(jié)果,如圖10b所示,氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽的溫度降至t0+δt2。圖10c揭示了圖10a及圖10b所示的晶圓清洗工藝步驟的流程圖。
進(jìn)而可取出產(chǎn)品。另外,在一個實施例中,所述動力機(jī)構(gòu)103包括固設(shè)在所述動力腔26底壁上的第三電機(jī)25,所述第三電機(jī)25的頂面動力連接設(shè)有電機(jī)軸24,所述電機(jī)軸24的頂面固設(shè)有***轉(zhuǎn)盤23,所述升降腔18的上下壁之間轉(zhuǎn)動設(shè)有***螺桿17,所述***螺桿17貫穿所述升降塊15,并與所述升降塊15螺紋連接,所述***螺桿17向下延伸部分伸入所述動力腔26內(nèi),且其底面固設(shè)有第二輪盤21,所述第二輪盤21的底面與所述***轉(zhuǎn)盤23的頂面鉸接設(shè)有第三連桿22,所述第二輪盤21直徑大于所述***轉(zhuǎn)盤23的直徑,通過所述第三電機(jī)25的運轉(zhuǎn),可使所述電機(jī)軸24帶動所述***轉(zhuǎn)盤23轉(zhuǎn)動,進(jìn)而可使所述第二輪盤21帶動所述***螺桿17間歇性往返轉(zhuǎn)動,則可使所述升降塊15間歇性升降,繼而可使所述切割片50能夠連續(xù)切割所述硅錠48。另外,在一個實施例中,所述傳動機(jī)構(gòu)104包括滑動設(shè)在所述移動腔13前后壁上的移動塊53,所述海綿52向所述移動腔13延伸部分伸入所述移動腔13內(nèi),并與所述移動塊53固定連接,所述移動腔13的下側(cè)連通設(shè)有冷卻水腔14,所述冷卻水腔14內(nèi)存有冷卻水,所述海綿52向下延伸部分伸入所述冷卻水腔14內(nèi),所述移動塊53的頂面固設(shè)有第四連桿54,所述傳動腔55的底壁上轉(zhuǎn)動設(shè)有第二螺桿57。半導(dǎo)體晶圓研磨設(shè)備。
該金屬層凹陷區(qū)域在該第二表面的投影區(qū)域位于該中心凹陷區(qū)域當(dāng)中。在一實施例中,為了設(shè)計與制作的方便,其中該金屬層凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域的形狀相應(yīng),該金屬層凹陷區(qū)域的面積小于該中心凹陷區(qū)域的面積??偵纤?,本申請?zhí)峁┝司哂袕?qiáng)度較大的基板結(jié)構(gòu)的芯片,其具有晶圓層的邊框結(jié)構(gòu),也可以具有晶圓層的內(nèi)框結(jié)構(gòu),以便減低芯片在進(jìn)行熱處理、加工與焊貼等工序時,因為應(yīng)力或熱應(yīng)力而導(dǎo)致失效的機(jī)率。在此同時,還要降低上述基板結(jié)構(gòu)的電阻值,以便減少消耗功率,降低熱耗損,增進(jìn)芯片的使用壽命。以上所述,*是本發(fā)明的較佳實施例而已,并非對本發(fā)明作任何形式上的限制,雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上,然而并非用以限定本發(fā)明,任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi),當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例,但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。半導(dǎo)體晶圓銷售電話??合肥半導(dǎo)體晶圓收費
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也不限定這些芯片采用同一種剖面設(shè)計,更不限定使用同一種基板結(jié)構(gòu)。在執(zhí)行晶圓級芯片封裝時,可以根據(jù)同一片晶圓上所欲切割的芯片的設(shè)計,來對該片晶圓執(zhí)行特定的制程。請參考圖15所示,其為根據(jù)本申請一實施例的晶圓制作方法1500的前列程示意圖。圖15所示的晶圓制作方法1500可以是晶圓級芯片封裝方法的一部分。該晶圓級芯片封裝方法可以是先在一整片晶圓上進(jìn)行制作、封裝與測試,然后經(jīng)切割后,再將芯片放置到個別印刷電路板的過程。本申請所欲保護(hù)的部分之一是在封裝測試之前,針對于基板結(jié)構(gòu)的制作方法。當(dāng)然本申請也想要保護(hù)一整套的晶圓級芯片封裝方法。圖15的晶圓制作方法1500所作出的芯片,可以包含圖3~14所述的各種基板結(jié)構(gòu)與剖面。請再參考圖16a~16j,其為根據(jù)本申請實施例的晶圓制作過程的各階段的剖面示意圖。圖16a~16j的各圖是針對晶圓當(dāng)中的某一個芯片來繪制。在說明圖15的各步驟時,可以參考圖16a~16j的各圖。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到雖然圖16a~16j是針對一個芯片的剖面進(jìn)行繪制,但可以根據(jù)晶圓的設(shè)計,普遍地適用于整個晶圓。另外,在圖16a~16j當(dāng)中,主要是針對基板結(jié)構(gòu)1000來繪制。但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到。遂寧半導(dǎo)體晶圓五星服務(wù)
昆山創(chuàng)米半導(dǎo)體科技有限公司是一家半導(dǎo)體科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)轉(zhuǎn)讓;半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料、電子設(shè)備、機(jī)械設(shè)備及配件、機(jī)電設(shè)備、太陽能光伏設(shè)備、太陽能電池及組件、電子產(chǎn)品、電子材料、針紡織品、玻璃制品、五金制品、日用百貨、勞保用品、化工產(chǎn)品及原料(不含危險化學(xué)品及易制毒化學(xué)品)的銷售;貨物及技術(shù)的進(jìn)出口業(yè)務(wù)。(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目,經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動) 許可項目:廢棄電器電子產(chǎn)品處理(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目,經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動,具體經(jīng)營項目以審批結(jié)果為準(zhǔn)) 一般項目:固體廢物治理;非金屬廢料和碎屑加工處理;再生資源回收(除生產(chǎn)性廢舊金屬);電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷售;電力電子元器件銷售;電子設(shè)備銷售(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項目外,憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動)的公司,致力于發(fā)展為創(chuàng)新務(wù)實、誠實可信的企業(yè)。創(chuàng)米半導(dǎo)體擁有一支經(jīng)驗豐富、技術(shù)創(chuàng)新的專業(yè)研發(fā)團(tuán)隊,以高度的專注和執(zhí)著為客戶提供晶圓,wafer,半導(dǎo)體輔助材料,晶圓盒。創(chuàng)米半導(dǎo)體始終以本分踏實的精神和必勝的信念,影響并帶動團(tuán)隊取得成功。創(chuàng)米半導(dǎo)體創(chuàng)始人卜祥唯,始終關(guān)注客戶,創(chuàng)新科技,竭誠為客戶提供良好的服務(wù)。