金屬層310可以代換為金屬層510。圖6所示剖面600的**是晶圓層320。該結(jié)構(gòu)300所形成的芯片可以是矩形，也可以是正方形。在該晶圓層320的中間是該金屬層310。該金屬層310的上下軸長度611與左右軸長度612可以是相同，也可以不同。當(dāng)兩者相同時(shí)，該金屬層310的剖面是正方形。該金屬層310剖面與該晶圓層320外緣之間，是該晶圓層320用于包圍該金屬層310的四個(gè)邊框。該四個(gè)邊框的厚度可以相同，也可以不同。舉例來說，相對于上下外緣的厚度621與623可以相同，相對于左右外緣的厚度622與624可以相同。但厚度621與622可以不同。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以透過圖6理解到，本申請并不限定該晶圓層320外緣的形狀。換言之，本申請不限定該芯片的形狀。本申請也不限定該金屬層310的形狀。除此之外，當(dāng)該晶圓層320與該金屬層310都是矩形時(shí)，本申請也不限定該晶圓層320用于包圍該金屬層310的四個(gè)邊框的厚度。在一實(shí)施例當(dāng)中，這四個(gè)邊框的厚度621~624可以相同，以簡化設(shè)計(jì)與制作的問題。在另一實(shí)施例當(dāng)中，這四個(gè)邊框當(dāng)中兩組邊框的厚度可以相同，以簡化設(shè)計(jì)與制作的問題。在更一實(shí)施例當(dāng)中，這四個(gè)邊框的厚度621~624可以完全不同，以便適應(yīng)芯片設(shè)計(jì)的需要。請參考圖7所示。浙江12英寸半導(dǎo)體晶圓代工。汕頭半導(dǎo)體晶圓誠信互利

    因此晶圓1010須旋轉(zhuǎn)以在整個(gè)晶圓1010上接收均勻的聲波能量。雖然在圖1a及圖1b中*示意了一個(gè)聲波裝置1003，但是在其他實(shí)施例中，也可以同時(shí)或間歇使用兩個(gè)或多個(gè)聲波裝置。同理，也可以使用兩個(gè)或多個(gè)噴頭1012以更均勻的輸送清洗液1032。參考圖2a至圖2g所示的不同形狀的超聲波或兆聲波換能器。圖2a示意了三角形或餅形的傳感器；圖2b示意了矩形的傳感器；圖2c示意了八邊形的傳感器；圖2d示意了橢圓形的傳感器；圖2e示意了半圓形的傳感器；圖2f示意了1/4圓形的傳感器；圖2g示意了圓形的傳感器。這些形狀中的每一個(gè)聲波換能器可以用于代替圖1所示的聲波裝置1003中的壓電式傳感器1004。參考圖3揭示了在晶圓清洗過程中的氣泡內(nèi)爆。當(dāng)聲能作用于氣泡3012上時(shí)，氣泡3012的形狀逐漸從球形a壓縮至蘋果形g。**終氣泡3012到達(dá)內(nèi)爆狀態(tài)i并形成微噴射。如圖4a至圖4b所示，微噴射很猛烈(可達(dá)到上千個(gè)大氣壓和上千攝氏度)，會(huì)損傷晶圓4010上的精細(xì)圖案結(jié)構(gòu)4034，尤其是當(dāng)特征尺寸t縮小到70nm或更小時(shí)。圖4a至圖4b揭示了在晶圓清洗過程中不穩(wěn)定的氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu)。參考圖4a所示，由于聲波空化在半導(dǎo)體晶圓4010的圖案結(jié)構(gòu)4034上方形成氣泡4040,4042，4044。江門半導(dǎo)體晶圓銷售價(jià)格開封怎么樣半導(dǎo)體晶圓?

    在清洗過程中晶圓24010浸沒在清洗液24070中。在上述實(shí)施例中，在晶圓清洗工藝中，如果聲波電源的所有關(guān)鍵工藝參數(shù)，例如功率水平、頻率、通電時(shí)間(τ1)、斷電時(shí)間(τ2)都預(yù)設(shè)在電源控制器中，而不是實(shí)時(shí)監(jiān)測，在晶圓清洗過程中，由于一些異常情況，仍然可能發(fā)生圖案結(jié)構(gòu)損傷。因此，需要一種實(shí)時(shí)監(jiān)測聲波電源工作狀態(tài)的裝置和方法，如果參數(shù)不在正常范圍，則聲波電源應(yīng)該關(guān)閉且需要發(fā)出警報(bào)信號并報(bào)告。圖25揭示了本發(fā)明的一實(shí)施例的使用超聲波或兆聲波清洗晶圓過程中監(jiān)測聲波電源運(yùn)行參數(shù)的控制系統(tǒng)。該控制系統(tǒng)包括主機(jī)25080、聲波發(fā)生器25082、聲波換能器1003、檢測電路25086和通信電纜25088。主機(jī)25080發(fā)送聲波的參數(shù)設(shè)定值到聲波發(fā)生器25082，例如功率設(shè)定值p1、通電時(shí)間設(shè)定值τ1、功率設(shè)定值p2、斷電時(shí)間設(shè)定值τ2、頻率設(shè)定值和控制指令，例如電源開啟指令。聲波發(fā)生器25082在接收到上述指令后產(chǎn)生聲波波形，并發(fā)送聲波波形到聲波換能器1003來清洗晶圓1010。同時(shí)，主機(jī)25080發(fā)送的參數(shù)設(shè)定值和聲波發(fā)生器25082的輸出值被檢測電路25086讀取。檢測電路25086將聲波發(fā)生器25082的輸出值和主機(jī)25080發(fā)送的參數(shù)設(shè)定值進(jìn)行比較后。

    圖11b為根據(jù)本申請一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面的一示意圖。圖12為根據(jù)本申請一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)的剖面的一示意圖。圖13為根據(jù)本申請一實(shí)施例的晶圓的一示意圖。圖14為根據(jù)本申請另一實(shí)施例的晶圓的一示意圖。圖15為根據(jù)本申請一實(shí)施例的晶圓制作方法的前列程示意圖。圖16a~16j為根據(jù)本申請實(shí)施例的晶圓制作過程的各階段的剖面示意圖。具體實(shí)施方式本發(fā)明將詳細(xì)描述一些實(shí)施例如下。然而，除了所揭露的實(shí)施例外，本發(fā)明的范圍并不受該些實(shí)施例的限定，是以其后的申請專利范圍為準(zhǔn)。而為了提供更清楚的描述及使該項(xiàng)技藝的普通人員能理解本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容，圖示內(nèi)各部分并沒有依照其相對的尺寸進(jìn)行繪圖，某些尺寸或其他相關(guān)尺度的比例可能被凸顯出來而顯得夸張，且不相關(guān)的細(xì)節(jié)部分并沒有完全繪出，以求圖示的簡潔。請參考圖1所示，其為現(xiàn)有半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)100的一剖面示意圖。在該結(jié)構(gòu)100當(dāng)中，依序包含一金屬層110、一晶圓層120與一半導(dǎo)體組件層130。晶圓層120夾在該金屬層110與半導(dǎo)體組件層130之間。在圖1當(dāng)中，該半導(dǎo)體組件層130可以包含垂直型設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體元器件，例如包含至少一個(gè)金氧半導(dǎo)體場效晶體管器件(mosfet。什么才可以稱為半導(dǎo)體晶圓？

    目的是使得氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽的溫度降至接近室溫t0。圖12a-12b揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實(shí)施例的差異*在步驟10050。在本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝中，在時(shí)間段τ2內(nèi)，電源的頻率增至f2，功率水平p2基本上等于功率水平p1。圖13a-13b揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實(shí)施例的差異*在步驟10050。在本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝中，在時(shí)間段τ2內(nèi)，電源的頻率增至f2，功率水平從p1降至p2。圖14a-14b揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實(shí)施例的差異*在步驟10050。在本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝中，在時(shí)間段τ2內(nèi)，電源的頻率從f1增至f2，功率水平從p1增至p2。由于頻率f2高于頻率f1，因此，聲波能量對氣泡的加熱不那么強(qiáng)烈，功率水平p2可略高于功率水平p1，但是不能太高，以確保在時(shí)間段τ2內(nèi)，氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽的溫度降低，如圖14b所示。圖15a至圖15c揭示了在聲波清洗晶圓的過程中，穩(wěn)定的氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu)。參考圖15a所示。國內(nèi)半導(dǎo)體晶圓廠家哪家好？北京半導(dǎo)體晶圓廠家現(xiàn)貨

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    13)v3＝v2-△v＝v1+δv-△v＝v0-△v+δv-△v＝v0+δv-2△v(14)其中，△v是由超/兆聲波產(chǎn)生的正壓使氣泡壓縮一次后氣泡的體積減量，δv是由超/兆聲波產(chǎn)生的負(fù)壓使氣泡膨脹一次后氣泡的體積增量，(δv-△v)是一個(gè)周期后由方程式(5)計(jì)算出的溫度增量(△t-δt)導(dǎo)致的體積增量。氣穴振蕩的第二個(gè)周期完成后，在溫度的持續(xù)增長過程中，氣泡的尺寸達(dá)到更大。氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽的體積v4為：v4＝v3+δv＝v0+δv-2△v+δv＝v0+2(δv-△v)(15)第三次壓縮后，氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽的體積v5為：v5＝v4-△v＝v0+2(δv-△v)-△v＝v0+2δv-3△v(16)同理，當(dāng)氣穴振蕩的第n個(gè)周期達(dá)到**小氣泡尺寸時(shí)，氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽的體積v2n-1為：v2n-1＝v0+(n-1)δv-n△v＝v0+(n-1)δv-n△v(17)當(dāng)氣穴振蕩的第n個(gè)周期完成后，氣泡內(nèi)的氣體和/或蒸汽的體積v2n為：v2n＝v0+n(δv-△v)(18)為了將氣泡的體積限制在所需體積vi內(nèi)，該所需體積vi是具有足夠物理活動(dòng)的尺寸或者是氣泡狀態(tài)低于氣穴振蕩或氣泡密度的飽和點(diǎn)，而不會(huì)阻塞通孔、槽或其他凹進(jìn)區(qū)域內(nèi)的清洗液交換路徑。周期數(shù)ni可以表示為：ni＝(vi–v0-△v)/(δv-△v)+1(19)根據(jù)公式(19)，達(dá)到vi所需的時(shí)間τi可以表示為：τi＝nit1＝t1(。汕頭半導(dǎo)體晶圓誠信互利

昆山創(chuàng)米半導(dǎo)體科技有限公司是一家半導(dǎo)體科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)轉(zhuǎn)讓；半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料、電子設(shè)備、機(jī)械設(shè)備及配件、機(jī)電設(shè)備、太陽能光伏設(shè)備、太陽能電池及組件、電子產(chǎn)品、電子材料、針紡織品、玻璃制品、五金制品、日用百貨、勞保用品、化工產(chǎn)品及原料（不含危險(xiǎn)化學(xué)品及易制毒化學(xué)品）的銷售；貨物及技術(shù)的進(jìn)出口業(yè)務(wù)。（依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動(dòng)） 許可項(xiàng)目：廢棄電器電子產(chǎn)品處理（依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動(dòng)，具體經(jīng)營項(xiàng)目以審批結(jié)果為準(zhǔn)） 一般項(xiàng)目：固體廢物治理；非金屬廢料和碎屑加工處理；再生資源回收（除生產(chǎn)性廢舊金屬）；電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷售；電力電子元器件銷售；電子設(shè)備銷售（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外，憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營活動(dòng)）的公司，是一家集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售為一體的專業(yè)化公司。創(chuàng)米半導(dǎo)體擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富、技術(shù)創(chuàng)新的專業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，以高度的專注和執(zhí)著為客戶提供晶圓，wafer，半導(dǎo)體輔助材料，晶圓盒。創(chuàng)米半導(dǎo)體繼續(xù)堅(jiān)定不移地走高質(zhì)量發(fā)展道路，既要實(shí)現(xiàn)基本面穩(wěn)定增長，又要聚焦關(guān)鍵領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)型再突破。創(chuàng)米半導(dǎo)體始終關(guān)注能源市場，以敏銳的市場洞察力，實(shí)現(xiàn)與客戶的成長共贏。