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半導體晶圓誠信為本

來源: 發(fā)布時間:2022-05-28

    聲壓pm朝膨脹方向拉伸氣泡,如圖5c所示。因此,負的聲壓pm也對周圍的液體做部分功。由于共同作用的結(jié)果,氣泡內(nèi)的熱能不能全部釋放或轉(zhuǎn)化為機械能,因此,氣泡內(nèi)的氣體溫度不能降低到**初的氣體溫度t0或液體溫度。如圖6b所示,氣穴振蕩的***周期完成后,氣泡內(nèi)的氣體溫度t2將在t0和t1之間。t2可以表達如下:t2=t1-δt=t0+δt-δt(5)其中,δt是氣泡膨脹一次后的溫度減量,δt小于δt。當氣穴振蕩的第二周期達到**小氣泡尺寸時,氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的溫度t3為:t3=t2+δt=t0+δt-δt+δt=t0+2δt-δt(6)當氣穴振蕩的第二周期完成后,氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的溫度t4為:t4=t3-δt=t0+2δt-δt-δt=t0+2δt-2δt(7)同理,當氣穴振蕩的第n個周期達到**小氣泡尺寸時,氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的溫度t2n-1為:t2n-1=t0+nδt–(n-1)δt(8)當氣穴振蕩的第n個周期完成后,氣泡內(nèi)的氣體或蒸汽的溫度t2n為:t2n=t0+nδt-nδt=t0+n(δt-δt)(9)根據(jù)公式(8),內(nèi)爆的周期數(shù)ni可以表達如下:ni=(ti-t0-δt)/(δt–δt)+1(10)根據(jù)公式(10),內(nèi)爆時間τi可以表達如下:τi=nit1=t1((ti-t0-δt)/(δt–δt)+1)=ni/f1=((ti-t0-δt)/(δt–δt)+1)/f1(11)其中,t1為循環(huán)周期。半導體晶圓定制價格?半導體晶圓誠信為本

    在半導體晶圓制造過程中,光阻層的涂敷、曝光和成像對元器件的圖案制造來說是必要的工藝步驟。在圖案化的***(即在光阻層的涂敷、成像、離子植入和蝕刻之后)進行下一工藝步驟之前,光阻層材料的殘留物需徹底除去。至今在半導體制造工業(yè)中一般使用兩步法(干法灰化和濕蝕刻)除去這層光阻層膜。第一步利用干法灰化除去光阻層(PR)的大部分;第二步利用緩蝕劑組合物濕蝕刻/清洗工藝除去且清洗掉剩余的光阻層,其步驟一般為清洗液清洗/漂洗/去離子水漂洗。在這個過程中只能除去殘留的聚合物光阻層和無機物,而不能攻擊損害金屬層如鋁層。技術(shù)實現(xiàn)要素:本發(fā)明旨在提供了一種用于半導體晶圓等離子蝕刻殘留物的清洗液。本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種用于半導體晶圓等離子蝕刻殘留物的清洗液,其是由如下重量份數(shù)的原料組成:有機溶劑44-50份、氟化物8-15份、氯化物10-12份、甲基丙烯酸甲酯4-8份、有機胺5-10份、氨基酸12-15份、胍類12-18份、苯并三氮唑4-7份、有機羧酸18-20份、硫脲22-25份和水60-72份。所述有機溶劑為選自亞砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醚中的一種或多種。所述氟化物為氟化氫、或氟化氫與堿形成的鹽。河北半導體晶圓銷售價格半導體晶圓價格走勢..

    并均勻地到達位于腔室c內(nèi)的半導體晶圓200。在實際應用中,半導體晶圓干燥設備100包含多個微波產(chǎn)生器130。一般而言,微波產(chǎn)生器130平均地環(huán)繞腔室c分布,如此一來,微波w可均勻地進入腔室c內(nèi),并均勻地到達位于腔室c內(nèi)的半導體晶圓200,從而促進半導體晶圓200的干燥過程。舉例而言,如圖1所示,至少兩個微波產(chǎn)生器130平均地分布于殼體120外側(cè),使其平均地環(huán)繞腔室c分布。另外,應當理解的是,本發(fā)明的殼體120基本上可設置于產(chǎn)業(yè)中現(xiàn)有的單晶圓濕處理設備(圖未示)上。一般而言,單晶圓濕處理設備具有旋轉(zhuǎn)基座,其用以承載單一片半導體晶圓,以于單晶圓濕處理設備內(nèi)對半導體晶圓進行各種處理。經(jīng)單晶圓濕處理設備處理后,半導體晶圓可被留在旋轉(zhuǎn)基座上,并且可將本發(fā)明的殼體120以及設置于其上的微波產(chǎn)生器130設置于單晶圓濕處理設備的旋轉(zhuǎn)基座上,從而能執(zhí)行前文所述的半導體晶圓干燥過程。請參照圖2,其為依據(jù)本發(fā)明另一實施方式的半導體晶圓干燥設備100的剖視圖。在本實施方式中,如圖2所示,半導體晶圓干燥設備100進一步包含旋轉(zhuǎn)器140。旋轉(zhuǎn)器140連接基座110,并且被配置成旋轉(zhuǎn)基座110。于半導體晶圓干燥設備100對半導體晶圓200執(zhí)行干燥處理的期間。

    本申請還提供具有上述基板結(jié)構(gòu)的半導體晶圓,以及制作上述基板結(jié)構(gòu)的晶圓制造方法。根據(jù)本申請的方案,提供具有邊框結(jié)構(gòu)的基板結(jié)構(gòu)、半導體晶圓、以及晶圓制作方法。根據(jù)本申請的一方案,提供一種承載半導體組件的基板結(jié)構(gòu),其特征在于,包含:一晶圓層,具有相對應的一***表面與一第二表面,其中該第二表面具有向該***表面凹陷的一中心凹陷區(qū)域,該中心凹陷區(qū)域位于該第二表面當中,使得該晶圓層的一邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域環(huán)繞在該第二表面周圍;以及一金屬層,具有相對應的一第三表面與一第四表面,該第三表面完全貼合于該第二表面。進一步的,為了彌補較薄晶圓層的結(jié)構(gòu)強度,其中該第二表面更包含具有向該***表面凹陷的一***環(huán)狀凹陷區(qū)域,該***環(huán)狀凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域位于該第二表面當中,使得該晶圓層在該***環(huán)狀凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域之間形成環(huán)狀的一***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域。進一步的,為了更彌補較薄晶圓層的結(jié)構(gòu)強度,其中該第二表面更具有向該***表面凹陷的第二環(huán)狀凹陷區(qū)域,該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域位于該第二表面當中,使得該晶圓層在該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域之間形成環(huán)狀的一第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域,該***環(huán)狀凹陷區(qū)域完全包含環(huán)狀的該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域。半導體晶圓產(chǎn)品的用途是什么?

    所述有機胺為二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺、多乙烯多胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、三丙胺,N,N-二甲基乙醇胺、N,N-甲基乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺一種或多種。所述有機羧酸選自丙二酸、草酸、乙二胺四乙酸鹽和檸檬酸中的一種或者多種。所述胍類為四甲基胍、碳酸胍、醋酸胍、3-胍基丙酸、聚六亞甲基胍和對胍基苯甲酸。所述清洗液的pH值為2~5。實施例3一種用于半導體晶圓等離子蝕刻殘留物的清洗液,其是由如下重量份數(shù)的原料組成:有機溶劑48份、氟化物12份、氯化物11份、甲基丙烯酸甲酯6份、有機胺7份、氨基酸14份、胍類15份、苯并三氮唑5份、有機羧酸19份、硫脲23份和水64份。所述有機溶劑為選自亞砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醚中的一種或多種。所述氟化物為氟化氫、或氟化氫與堿形成的鹽。所述有機胺為二乙烯三胺、五甲基二乙烯三胺、多乙烯多胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、三丙胺,N,N-二甲基乙醇胺、N,N-甲基乙基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺一種或多種。所述有機羧酸選自丙二酸、草酸、乙二胺四乙酸鹽和檸檬酸中的一種或者多種。所述胍類為四甲基胍、碳酸胍、醋酸胍、3-胍基丙酸、聚六亞甲基胍和對胍基苯甲酸。成都8寸半導體晶圓厚度多少?天水半導體晶圓銷售價格

半導體產(chǎn)品的加工過程主要包括晶圓制造和封裝測試。半導體晶圓誠信為本

    本申請關(guān)于半導體,特別是關(guān)于晶圓級芯片封裝基板結(jié)構(gòu)的設計與制作。背景技術(shù):現(xiàn)代電子裝置越來越輕薄短小,集成電路的尺寸不*縮小,還有薄型化的趨勢。相較于傳統(tǒng)芯片,薄型化的芯片能夠承受的物理應力與熱應力較小。在進行熱處理與其他加工工藝時,特別是當芯片焊貼到印刷電路板時,物理應力與熱應力容易造成基板的裂紋與/或翹曲,進而導致半導體元器件失效。除此之外,當芯片薄型化之后,由于導電的線路可能變小變窄,使得電阻增加。不利于降低消耗功率,也導致溫度上升的速度較快。當散熱效率無法應付溫度上升的速度時,可能需要額外的散熱組件,就喪失薄型化芯片的優(yōu)點。據(jù)此,需要一種具有較強強度的基板結(jié)構(gòu),以便減低芯片在進行熱處理、加工與焊貼等工序時,因為應力或熱應力而導致失效的機率。在此同時,還要降低上述基板結(jié)構(gòu)的電阻值,以便減少消耗功率,降低熱耗損,增進芯片的使用壽命。技術(shù)實現(xiàn)要素:本申請所提供的基板結(jié)構(gòu)以及晶圓級芯片封裝的基板結(jié)構(gòu),在芯片的中心部分具有較薄的晶圓層,可以降低基板結(jié)構(gòu)的整體電阻值。在芯片的周邊部分具有邊框結(jié)構(gòu),在芯片的中心部分可以具有一或多重內(nèi)框結(jié)構(gòu),以彌補較薄晶圓層的結(jié)構(gòu)強度。半導體晶圓誠信為本

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