目的是使得氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽的溫度降至接近室溫t0。圖12a-12b揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實(shí)施例的差異*在步驟10050。在本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝中，在時(shí)間段τ2內(nèi)，電源的頻率增至f2，功率水平p2基本上等于功率水平p1。圖13a-13b揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實(shí)施例的差異*在步驟10050。在本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝中，在時(shí)間段τ2內(nèi)，電源的頻率增至f2，功率水平從p1降至p2。圖14a-14b揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝。本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝與圖10a-10c所示的實(shí)施例的差異*在步驟10050。在本實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝中，在時(shí)間段τ2內(nèi)，電源的頻率從f1增至f2，功率水平從p1增至p2。由于頻率f2高于頻率f1，因此，聲波能量對(duì)氣泡的加熱不那么強(qiáng)烈，功率水平p2可略高于功率水平p1，但是不能太高，以確保在時(shí)間段τ2內(nèi)，氣泡內(nèi)氣體和/或蒸汽的溫度降低，如圖14b所示。圖15a至圖15c揭示了在聲波清洗晶圓的過程中，穩(wěn)定的氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu)。參考圖15a所示。西安怎么樣半導(dǎo)體晶圓?深圳特色半導(dǎo)體晶圓

    當(dāng)該金屬層1010a與該樹酯層1040a都是矩形時(shí)，本申請(qǐng)也不限定該該金屬層1010a用于包圍該樹酯層1040a的四個(gè)邊框的厚度。當(dāng)該金屬層1010b與該樹酯層1040b都是矩形時(shí)，本申請(qǐng)也不限定該該金屬層1010b用于包圍該樹酯層1040b的四個(gè)邊框的厚度。在一實(shí)施例當(dāng)中，這四個(gè)邊框的厚度可以相同，以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)與制作的問題。在另一實(shí)施例當(dāng)中，這四個(gè)邊框當(dāng)中兩組邊框的厚度可以相同，以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)與制作的問題。在更一實(shí)施例當(dāng)中，這四個(gè)邊框的厚度可以完全不同，以便適應(yīng)芯片設(shè)計(jì)的需要。由于芯片的不同區(qū)域可以承載不同的半導(dǎo)體元器件，而不同的半導(dǎo)體元器件所需要的基板結(jié)構(gòu)電阻值可以是不同的。因此，可以如圖12所示的實(shí)施例，在部分區(qū)域讓金屬層1010的厚度較厚，在其他區(qū)域利用較厚的樹酯層1040替換部分的金屬層1010的金屬，以便適應(yīng)不同的半導(dǎo)體元器件所需要的基板結(jié)構(gòu)電阻值。在制作方面，雖然樹酯層1040的深度、形狀與位置有所變化，但由于制作樹酯層1040的工序都是一樣，所以成本只和金屬用量的多少有關(guān)而已。請(qǐng)參考圖13所示，其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的晶圓1300的一示意圖。該晶圓1300可以是業(yè)界經(jīng)常使用的四吋、六吋、八吋、十二吋、十四吋或十六吋晶圓。遂寧半導(dǎo)體晶圓商家半導(dǎo)體晶圓廠家供應(yīng)。

    但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到，晶圓制作方法1500的各個(gè)步驟不*可以對(duì)一整個(gè)晶圓進(jìn)行，也可以針對(duì)單一個(gè)芯片進(jìn)行。在一實(shí)施例當(dāng)中，如果要讓內(nèi)框結(jié)構(gòu)的晶圓層厚度小于邊框結(jié)構(gòu)的晶圓層厚度，可以反復(fù)執(zhí)行步驟1520與1530。在***次執(zhí)行步驟1520時(shí)，屏蔽層的圖樣*包含邊框區(qū)域。***次執(zhí)行蝕刻步驟1530時(shí)，蝕刻的深度到達(dá)內(nèi)框結(jié)構(gòu)的厚度。接著，第二次執(zhí)行步驟1530，屏蔽層的圖樣包含了內(nèi)框區(qū)域。接著，第二次的蝕刻步驟1530可以將晶圓層蝕刻到一半的高度。如此一來，就有厚薄不一的邊框結(jié)構(gòu)與方框結(jié)構(gòu)。步驟1540：去除晶圓上的屏蔽層。如圖16d所示，屏蔽層1610已經(jīng)被去除。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到，去除屏蔽層是公知的技術(shù)，不在此詳述。步驟1550：在晶圓上制造一或多層金屬層。本步驟可以在蝕刻后的第二表面822上制造該金屬層。步驟1550可以使用多種工法的其中之一來進(jìn)行。這些工法包含濺射(sputter)、蒸鍍或化學(xué)氣相沉積(cvd,chemicalvapordeposition)、電鍍(plating)或是涂布法。金屬層可以包含一或多層金屬層，該金屬層可以包含單一金屬、合金或金屬化合物。舉例來說，該金屬層可以包含鈦鎳銀鎳合金(tiniagni)、鎳鋁合金(alni)、鋁銅鈷合金(alcuni)、鈦銅鎳合金。

    并且不同規(guī)格的花籃無法同時(shí)進(jìn)行作業(yè)，**降低了生產(chǎn)的效率。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)不足，提供一種半導(dǎo)體晶圓濕法清洗治具，可適用于不同尺寸不同形狀晶圓，且可實(shí)現(xiàn)多層同時(shí)清洗。本實(shí)用新型具體采用以下技術(shù)方案解決上述技術(shù)問題：一種半導(dǎo)體晶圓濕法清洗治具，該治具包括提把和一組平放花籃；所述提把沿豎直方向均勻設(shè)置有一組連接端口；所述平放花籃由圓形底盤和設(shè)置在圓形底盤邊緣的一圈鏤空側(cè)壁組成，圓形底盤上設(shè)置有一組通孔，在所述鏤空側(cè)壁的外緣設(shè)置有至少一個(gè)連接端子，所述連接端子與提把上的任一連接端口相配合可使得平放花籃可拆卸地固定于提把上對(duì)應(yīng)于該連接端口的位置。推薦地，圓形底盤上的所述通孔均勻分布。推薦地，該治具還包括一組豎直擋板；所述平放花籃的鏤空側(cè)壁內(nèi)緣及相應(yīng)位置的圓形底盤上設(shè)置有一系列用于固定所述豎直擋板的卡槽，豎直擋板與相應(yīng)的卡槽配合可將平放花籃內(nèi)的空間劃分為不同角度的扇形空間。進(jìn)一步推薦地，所述豎直擋板上設(shè)置有一組通孔。推薦地，所述一組平放花籃中包括多個(gè)具有不同半徑圓形底盤的平放花籃。推薦地，所述提把的上端帶有掛鉤。相比現(xiàn)有技術(shù)。進(jìn)口半導(dǎo)體晶圓的優(yōu)勢(shì)？

    該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域完全包圍該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域，該第二環(huán)狀凹陷區(qū)域完全包圍該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域。進(jìn)一步的，為了保護(hù)該金屬層，并且降低物理應(yīng)力與熱應(yīng)力的影響，該基板結(jié)構(gòu)更包含：一樹酯層，具有相對(duì)應(yīng)的一第五表面與一第六表面，其中該第五表面的形狀相應(yīng)于該第四表面。進(jìn)一步的，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導(dǎo)體組件的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。進(jìn)一步的，為了讓基板結(jié)構(gòu)所承載的半導(dǎo)體組件的設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)化，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度相同。進(jìn)一步的，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應(yīng)所承載的半導(dǎo)體組件的不同設(shè)計(jì)，其中該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域依序包含***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域，該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度不同。進(jìn)一步的，為了讓基板結(jié)構(gòu)適應(yīng)所承載的半導(dǎo)體組件的具有更大的設(shè)計(jì)彈性，其中該***邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第二邊結(jié)構(gòu)區(qū)域、該第三邊結(jié)構(gòu)區(qū)域與該第四邊結(jié)構(gòu)區(qū)域的寬度均不相同。進(jìn)一步的，為了配合大多數(shù)矩形芯片的形狀。安徽半導(dǎo)體晶圓制作流程。遂寧半導(dǎo)體晶圓商家

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    以防止氣泡長大到一個(gè)臨界尺寸，從而堵住清洗液在通孔或槽中的交換路徑。圖20a至圖20d揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的聲波晶圓清洗工藝有效清洗具有高深寬比的通孔或槽等特征。該晶圓清洗工藝限制由聲能引起振蕩產(chǎn)生的氣泡的尺寸。圖20a揭示了在時(shí)間段τ1內(nèi)設(shè)置功率水平為p1及在時(shí)間段τ2內(nèi)關(guān)閉電源的電源輸出波形圖。圖20b揭示了對(duì)應(yīng)每個(gè)氣穴振蕩周期的氣泡體積的曲線圖。圖20c揭示了在每個(gè)氣穴振蕩周期氣泡尺寸增大。圖20d揭示了氣泡的總體積vb與通孔、槽或其他凹進(jìn)區(qū)域的體積vvtr的比值r的曲線圖。根據(jù)r＝vb/vvtr＝nvb/vvtr這里，氣泡的總體積vb與通孔、槽或其他凹進(jìn)區(qū)域的體積vvtr的比值r從r0增大到rn，單個(gè)氣泡的平均體積在氣穴振蕩一定周期數(shù)n后，在時(shí)間τ1內(nèi)增大。rn被控制在飽和點(diǎn)rs之下。rn＝vb/vvtr＝nvb/vvtr氣泡的總體積vb與通孔、槽或其他凹進(jìn)區(qū)域的體積vvtr的比值r從rn減小到r0，單個(gè)氣泡的平均體積在冷卻過程中，在時(shí)間τ2內(nèi)回到初始大小。參考圖20b所示，在時(shí)間段τ1內(nèi)，在超聲波或兆聲波作用于清洗液的情況下，氣泡增大到大體積vn。在這種狀態(tài)下，清洗液的傳輸路徑部分受阻。新鮮的清洗液無法徹底進(jìn)入到通孔或槽的底部和側(cè)壁。與此同時(shí)。深圳特色半導(dǎo)體晶圓

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