在清洗過程中晶圓24010浸沒在清洗液24070中。在上述實(shí)施例中,在晶圓清洗工藝中,如果聲波電源的所有關(guān)鍵工藝參數(shù),例如功率水平、頻率、通電時(shí)間(τ1)、斷電時(shí)間(τ2)都預(yù)設(shè)在電源控制器中,而不是實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè),在晶圓清洗過程中,由于一些異常情況,仍然可能發(fā)生圖案結(jié)構(gòu)損傷。因此,需要一種實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)聲波電源工作狀態(tài)的裝置和方法,如果參數(shù)不在正常范圍,則聲波電源應(yīng)該關(guān)閉且需要發(fā)出警報(bào)信號(hào)并報(bào)告。圖25揭示了本發(fā)明的一實(shí)施例的使用超聲波或兆聲波清洗晶圓過程中監(jiān)測(cè)聲波電源運(yùn)行參數(shù)的控制系統(tǒng)。該控制系統(tǒng)包括主機(jī)25080、聲波發(fā)生器25082、聲波換能器1003、檢測(cè)電路25086和通信電纜25088。主機(jī)25080發(fā)送聲波的參數(shù)設(shè)定值到聲波發(fā)生器25082,例如功率設(shè)定值p1、通電時(shí)間設(shè)定值τ1、功率設(shè)定值p2、斷電時(shí)間設(shè)定值τ2、頻率設(shè)定值和控制指令,例如電源開啟指令。聲波發(fā)生器25082在接收到上述指令后產(chǎn)生聲波波形,并發(fā)送聲波波形到聲波換能器1003來(lái)清洗晶圓1010。同時(shí),主機(jī)25080發(fā)送的參數(shù)設(shè)定值和聲波發(fā)生器25082的輸出值被檢測(cè)電路25086讀取。檢測(cè)電路25086將聲波發(fā)生器25082的輸出值和主機(jī)25080發(fā)送的參數(shù)設(shè)定值進(jìn)行比較后。國(guó)外哪個(gè)國(guó)家的半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品好?重慶建設(shè)項(xiàng)目半導(dǎo)體晶圓
圖32a至圖32c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的如圖27所示的振幅檢測(cè)電路27092的示例。該振幅檢測(cè)電路27092示例性包括參考電壓生成電路和比較電路。如圖32b所示,參考電壓生成電路使用d/a轉(zhuǎn)換器32118將主控制器26094的數(shù)字輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬直流參考電壓vref+和vref-,如圖32c所示。比較電路使用窗口比較器32114及與門32116來(lái)比較電壓衰減電路26090輸出的振幅vin和參考電壓vref+和vref-。如果衰減后的振幅vin超過參考電壓vref+和/或vref-,那么振幅檢測(cè)電路27092發(fā)送報(bào)警信號(hào)到主機(jī)25080,主機(jī)25080接收到報(bào)警信號(hào)則關(guān)閉聲波發(fā)生器25082來(lái)避免對(duì)晶圓1010上的圖案結(jié)構(gòu)造成損傷。圖33揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的晶圓清洗工藝的流程圖。該晶圓清洗工藝從步驟33010開始,首先將清洗液施加至晶圓和超聲波或兆聲波裝置之間的間隙中。在步驟33020中,設(shè)置超聲波或兆聲波電源的頻率為f1,功率為p1以驅(qū)動(dòng)超聲波或兆聲波裝置。在步驟33030中,將檢測(cè)到的通電時(shí)間與預(yù)設(shè)時(shí)間τ1進(jìn)行比較,如果檢測(cè)到的通電時(shí)間長(zhǎng)于預(yù)設(shè)時(shí)間τ1,則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源并發(fā)出報(bào)警信號(hào)。在步驟33040中,在清洗液中的氣泡氣穴振蕩損傷晶圓上的圖案結(jié)構(gòu)之前設(shè)置超聲波或兆聲波電源輸出為零。開封怎么樣半導(dǎo)體晶圓半導(dǎo)體晶圓的運(yùn)用場(chǎng)景。
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種可防熱變形的半導(dǎo)體晶圓切割裝置。背景技術(shù):目前,隨著科技水平的提高,半導(dǎo)體元件被使用的越來(lái)越***,半導(dǎo)體在制作過程中,其中一項(xiàng)工序?yàn)榘压桢V通過切割的方式制作成硅晶圓,一般的硅晶圓切割裝置,是通過電機(jī)螺桿傳動(dòng)送料的,這種送料方式會(huì)使硅錠的移動(dòng)不夠準(zhǔn)確,導(dǎo)致每個(gè)晶圓的厚度不均勻,并且螺桿長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)工作容易發(fā)***熱扭曲變形,**終導(dǎo)致切割位置偏移,另外,切割片在連續(xù)切割時(shí),容易發(fā)熱,導(dǎo)致晶圓受熱變形,但由于晶圓很薄,無(wú)法用直接噴冷卻水的方式冷卻,會(huì)導(dǎo)致晶圓在切割過程中被沖擊變形。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明的目的在于提供一種可防熱變形的半導(dǎo)體晶圓切割裝置,用于克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的一種可防熱變形的半導(dǎo)體晶圓切割裝置,包括機(jī)體,所述機(jī)體內(nèi)設(shè)有向上和向右開口的送料腔,所述送料腔的前后壁間左右滑動(dòng)設(shè)有滑塊,所述滑塊的頂面上設(shè)有可用于夾持硅錠的夾塊,所述送料腔的下側(cè)連通設(shè)有從動(dòng)腔,所述從動(dòng)腔內(nèi)設(shè)有可控制所述滑塊帶動(dòng)所述硅錠向左步進(jìn)移動(dòng)的步進(jìn)機(jī)構(gòu),所述滑塊的右側(cè)面固設(shè)有橫板,所述橫板內(nèi)設(shè)有開口向上的限制腔。
并且不同規(guī)格的花籃無(wú)法同時(shí)進(jìn)行作業(yè),**降低了生產(chǎn)的效率。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)不足,提供一種半導(dǎo)體晶圓濕法清洗治具,可適用于不同尺寸不同形狀晶圓,且可實(shí)現(xiàn)多層同時(shí)清洗。本實(shí)用新型具體采用以下技術(shù)方案解決上述技術(shù)問題:一種半導(dǎo)體晶圓濕法清洗治具,該治具包括提把和一組平放花籃;所述提把沿豎直方向均勻設(shè)置有一組連接端口;所述平放花籃由圓形底盤和設(shè)置在圓形底盤邊緣的一圈鏤空側(cè)壁組成,圓形底盤上設(shè)置有一組通孔,在所述鏤空側(cè)壁的外緣設(shè)置有至少一個(gè)連接端子,所述連接端子與提把上的任一連接端口相配合可使得平放花籃可拆卸地固定于提把上對(duì)應(yīng)于該連接端口的位置。推薦地,圓形底盤上的所述通孔均勻分布。推薦地,該治具還包括一組豎直擋板;所述平放花籃的鏤空側(cè)壁內(nèi)緣及相應(yīng)位置的圓形底盤上設(shè)置有一系列用于固定所述豎直擋板的卡槽,豎直擋板與相應(yīng)的卡槽配合可將平放花籃內(nèi)的空間劃分為不同角度的扇形空間。進(jìn)一步推薦地,所述豎直擋板上設(shè)置有一組通孔。推薦地,所述一組平放花籃中包括多個(gè)具有不同半徑圓形底盤的平放花籃。推薦地,所述提把的上端帶有掛鉤。相比現(xiàn)有技術(shù)。晶圓的基本工藝有哪些?
在其他區(qū)域利用較厚的樹酯層540替換部分的金屬層510的金屬,以便適應(yīng)不同的半導(dǎo)體元器件所需要的基板結(jié)構(gòu)電阻值。在制作方面,雖然樹酯層540的深度、形狀與位置有所變化,但由于制作樹酯層540的工序都是一樣,所以成本只和金屬用量的多少有關(guān)而已。請(qǐng)參考圖8a所示,其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)800的一剖面示意圖。該結(jié)構(gòu)800依序包含半導(dǎo)體組件層130、晶圓層820與金屬層810。和圖3所示的結(jié)構(gòu)300相比,除了晶圓層820外緣的邊框之外,在晶圓層820的**,也有加強(qiáng)用的內(nèi)框結(jié)構(gòu)。在圖8a當(dāng)中,可以看到兩個(gè)內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到,內(nèi)框結(jié)構(gòu)可以增進(jìn)晶圓層820的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。但需要注意的是,安排在內(nèi)框結(jié)構(gòu)上方的半導(dǎo)體元器件,其所適用基板結(jié)構(gòu)的電阻值就會(huì)比其他區(qū)域的電阻值來(lái)得高。因此,可以盡量不要安排需要較低基板結(jié)構(gòu)電阻值的半導(dǎo)體元器件在這些內(nèi)框結(jié)構(gòu)的上方。雖然在圖8a所示的實(shí)施例當(dāng)中,只示出兩個(gè)內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822,且該內(nèi)框結(jié)構(gòu)821與822相對(duì)于邊框的距離是相同的。但本申請(qǐng)并不限定內(nèi)框結(jié)構(gòu)的數(shù)量、位置、形狀等配置的參數(shù)。請(qǐng)參考圖8b所示,其為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的半導(dǎo)體基板的結(jié)構(gòu)800的一剖面示意圖。半導(dǎo)體晶圓費(fèi)用是多少?深圳半導(dǎo)體晶圓誠(chéng)信互利
咸陽(yáng)12英寸半導(dǎo)體晶圓代工。重慶建設(shè)項(xiàng)目半導(dǎo)體晶圓
從而可使所述連接臺(tái)35帶動(dòng)所述橫條33繞圓弧方向左右晃動(dòng),當(dāng)所述橫條33沿圓弧方向向上移動(dòng)時(shí),所述第二齒牙34可與所述***齒牙38嚙合,進(jìn)而可帶動(dòng)上所述滑塊47向左移動(dòng),則可使所述夾塊49向左移動(dòng)。另外,在一個(gè)實(shí)施例中,所述從動(dòng)腔62的后側(cè)開設(shè)有蝸輪腔69,所述旋轉(zhuǎn)軸36向后延伸部分均伸入所述蝸輪腔69內(nèi),且其位于所述蝸輪腔69內(nèi)的外周上均固設(shè)有蝸輪64,所述蝸輪腔69的左壁固設(shè)有***電機(jī)63,所述***電機(jī)63的右側(cè)面動(dòng)力連接設(shè)有蝸桿65,所述蝸桿65的右側(cè)面與所述蝸輪腔69的右壁轉(zhuǎn)動(dòng)連接,所述蝸桿65與所述蝸輪64嚙合,通過所述***電機(jī)63的運(yùn)轉(zhuǎn),可使所述蝸桿65帶動(dòng)所述旋轉(zhuǎn)軸36轉(zhuǎn)動(dòng)。另外,在一個(gè)實(shí)施例中,所述穩(wěn)定機(jī)構(gòu)102包括限制塊39,所述橫板41向右延伸部分伸出外界,且其右側(cè)面固設(shè)有手拉塊40,所述橫板41內(nèi)設(shè)有開口向上的限制腔42,所述從動(dòng)腔62的上側(cè)連通設(shè)有滑動(dòng)腔43,所述滑動(dòng)腔43與所述送料腔68連通,所述限制塊39滑動(dòng)設(shè)在所述滑動(dòng)腔43的右壁上,所述限制塊39向下滑動(dòng)可插入所述限制腔42內(nèi),所述限制塊39向下延伸部分貫穿所述送料腔68,并伸入所述從動(dòng)腔62內(nèi),且其位于所述橫條33上側(cè),所述第二齒牙34可與所述限制塊39抵接,所述限制塊39的頂面固設(shè)有拉桿45。重慶建設(shè)項(xiàng)目半導(dǎo)體晶圓
昆山創(chuàng)米半導(dǎo)體科技有限公司一直專注于半導(dǎo)體科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)轉(zhuǎn)讓;半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料、電子設(shè)備、機(jī)械設(shè)備及配件、機(jī)電設(shè)備、太陽(yáng)能光伏設(shè)備、太陽(yáng)能電池及組件、電子產(chǎn)品、電子材料、針紡織品、玻璃制品、五金制品、日用百貨、勞保用品、化工產(chǎn)品及原料(不含危險(xiǎn)化學(xué)品及易制毒化學(xué)品)的銷售;貨物及技術(shù)的進(jìn)出口業(yè)務(wù)。(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目,經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)) 許可項(xiàng)目:廢棄電器電子產(chǎn)品處理(依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目,經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營(yíng)活動(dòng),具體經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目以審批結(jié)果為準(zhǔn)) 一般項(xiàng)目:固體廢物治理;非金屬?gòu)U料和碎屑加工處理;再生資源回收(除生產(chǎn)性廢舊金屬);電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷售;電力電子元器件銷售;電子設(shè)備銷售(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外,憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)),是一家能源的企業(yè),擁有自己**的技術(shù)體系。目前我公司在職員工以90后為主,是一個(gè)有活力有能力有創(chuàng)新精神的團(tuán)隊(duì)。公司以誠(chéng)信為本,業(yè)務(wù)領(lǐng)域涵蓋晶圓,wafer,半導(dǎo)體輔助材料,晶圓盒,我們本著對(duì)客戶負(fù)責(zé),對(duì)員工負(fù)責(zé),更是對(duì)公司發(fā)展負(fù)責(zé)的態(tài)度,爭(zhēng)取做到讓每位客戶滿意。公司深耕晶圓,wafer,半導(dǎo)體輔助材料,晶圓盒,正積蓄著更大的能量,向更廣闊的空間、更寬泛的領(lǐng)域拓展。