如果能夠減少該晶圓層120的電阻值，就可以減少圖1與圖2的電流路徑的總電阻值。此種改進能減少消耗功率，降低熱耗損，增進芯片的使用壽命。想要減低該晶圓層120的電阻值，可以減少該晶圓層120的厚度。但如前所述，如何在減少該晶圓層120的厚度之后，還能維持相當?shù)慕Y(jié)構(gòu)強度，以便抗拒應(yīng)力與/或熱應(yīng)力造成的損害。本申請?zhí)岢龅慕鉀Q方案之一，是至少在芯片的邊緣處具有較厚的晶圓層，但是降低在芯片中間有半導體元器件之處的晶圓厚度。如此一來，可以在降低該晶圓層120的電阻值的同時，可以維持相當?shù)慕Y(jié)構(gòu)強度。請參考圖3所示，其為根據(jù)本申請一實施例的半導體基板的結(jié)構(gòu)300的一剖面示意圖。該結(jié)構(gòu)300依序包含一半導體組件層130、一晶圓層320與一金屬層310。該晶圓層320夾在該金屬層310與半導體組件層130之間。該半導體組件層130已經(jīng)于圖1與圖2的說明中提到過，可以包含一或多個半導體組件。這些半導體組件可以包含垂直型的晶體管，特別是金氧半導體場效晶體管。在一實施例當中，該半導體組件層130的厚度可以是介于2-4um之間。但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解到，該半導體組件層130可以包含一或多個半導體組件，本申請并不限定該半導體組件層130的厚度、層數(shù)與其他的參數(shù)。半導體級4-12inc晶圓片。上海半導體晶圓承諾守信

    通過通信電纜25088發(fā)送比較結(jié)果到主機25080。如果聲波發(fā)生器25082的輸出值與主機25080發(fā)送的參數(shù)設(shè)定值不同，則檢測電路25086將發(fā)送報警信號到主機25080。主機25080接收到報警信號后關(guān)閉聲波發(fā)生器25082來阻止對晶圓1010上的圖案結(jié)構(gòu)的損傷。圖26揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的圖25所示的檢測電路25086的框圖。該檢測電路25086示范性包括電壓衰減電路26090、整形電路26092、主控制器26094、通信電路26096及電源電路26098。主控制器26094可以用fpga實現(xiàn)。通信電路26096作為主機25080的接口。通信電路26096與主機25080實現(xiàn)rs232/rs485串行通信來從主機25080讀取參數(shù)設(shè)置，并將比較結(jié)果返回主機25080。電源電路26098將直流15v轉(zhuǎn)換成直流、直流。圖27揭示了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例的檢測電路25086的框圖。該檢測電路25086示范性包括電壓衰減電路26090、振幅檢測電路27092、主控制器26094、通信電路26096及電源電路26098。圖28a至圖28c揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的電壓衰減電路的示例。當聲波發(fā)生器25082輸出的聲波信號***被讀取時，該聲波信號具有相對較高的振幅值，如圖28b所示。電壓衰減電路26090被設(shè)計成使用兩個運算放大器28102和28104來減小波形的振幅值。西安半導體晶圓價格走勢西安怎么樣半導體晶圓?

    檢測電路檢測超聲波或兆聲波電源輸出的每個波形的振幅，將檢測到的每個波形的振幅與預(yù)設(shè)值相比較，如果檢測到任一波形的振幅比預(yù)設(shè)值大，檢測電路發(fā)送報警信號到主機，主機接收到報警信號則關(guān)閉超聲波或兆聲波電源，其中預(yù)設(shè)值大于正常工作時的波形振幅。在一個實施例中，超聲波或兆聲波裝置與噴頭相結(jié)合并置于半導體基板附近，超聲波或兆聲波裝置的能量通過噴頭噴出的液柱傳遞到半導體基板。本發(fā)明還提供了一種使用超聲波或兆聲波清洗半導體基板的裝置，包括晶圓盒、清洗槽、超聲波或兆聲波裝置、至少一個入口、超聲波或兆聲波電源、主機和檢測電路。晶圓盒裝有至少一片半導體基板。清洗槽容納晶圓盒。超聲波或兆聲波裝置設(shè)置在清洗槽的外壁。至少一個入口用來向清洗槽內(nèi)注滿化學液，化學液浸沒半導體基板。主機設(shè)置超聲波或兆聲波電源以頻率f1、功率p1驅(qū)動超聲波或兆聲波裝置，在液體中的氣泡氣穴振蕩損傷半導體基板上的圖案結(jié)構(gòu)之前，將超聲波或兆聲波電源的輸出設(shè)為零，待氣泡內(nèi)的溫度下降到設(shè)定溫度后，再次設(shè)置超聲波或兆聲波電源的頻率為f1、功率p1。檢測電路分別檢測頻率為f1，功率為p1時的通電時間和斷電時間，比較在頻率為f1。

    其中該中心凹陷區(qū)域是方形。在一實施例中，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該凹陷區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍。在一實施例中，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***環(huán)狀凹陷區(qū)域或該中心凹陷區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離的兩倍。在一實施例中，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。在一實施例中，為了節(jié)省金屬層的厚度以便節(jié)省成本，其中該第四表面具有向該第三表面凹陷的一金屬層凹陷區(qū)域，該金屬層凹陷區(qū)域在該第二表面的投影區(qū)域位于該中心凹陷區(qū)域當中。在一實施例中，為了設(shè)計與制作的方便，其中該金屬層凹陷區(qū)域與該凹陷區(qū)域的形狀相應(yīng)，該金屬層凹陷區(qū)域的面積小于該中心凹陷區(qū)域的面積。根據(jù)本申請的一實施例，提供一種半導體晶圓，其特征在于，其中該半導體晶圓當中預(yù)定切割出一***芯片區(qū)域，該***芯片區(qū)域包含如所述的半導體組件的基板結(jié)構(gòu)。在一實施例中。半導體晶圓信息匯總。

    f1為超聲波或兆聲波的頻率。根據(jù)公式(10)和(11)，內(nèi)爆周期數(shù)ni和內(nèi)爆時間τi可以被計算出來。表1為內(nèi)爆周期數(shù)ni、內(nèi)爆時間τi和(δt–δt)的關(guān)系，假設(shè)ti＝3000℃，δt＝℃，t0＝20℃，f1＝500khz，f1＝1mhz，及f1＝2mhz。表1圖6a至圖6c揭示了在聲波晶圓清洗工藝中**終發(fā)生微噴射且工藝參數(shù)符合公式(1)-(11)。參考圖6a所示，電功率(p)連續(xù)供應(yīng)至聲波裝置以在清洗液中產(chǎn)生氣穴振蕩。隨著氣穴振蕩的周期數(shù)n增加，如圖6b所示氣體或蒸汽的溫度也隨之增加，因此氣泡表面更多的分子會被蒸發(fā)至氣泡6082內(nèi)部，導致氣泡6082的尺寸隨著時間的推移而增加，如圖6c所示。**終，在壓縮過程中氣泡6082內(nèi)部的溫度將達到內(nèi)爆溫度ti(通常ti高達幾千攝氏度)，猛烈的微噴射6080發(fā)生，如圖6c所示。因此，為了避免在清洗期間損傷晶圓的圖案結(jié)構(gòu)，必須保持穩(wěn)定的氣穴振蕩，避免氣泡內(nèi)爆和發(fā)生微噴射。圖7a至圖7e揭示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的聲波晶圓清洗工藝。圖7a揭示了間歇供給聲波裝置以在清洗液中產(chǎn)生氣穴振蕩的電源輸出的波形。圖7b揭示了對應(yīng)每個氣穴振蕩周期的溫度曲線。圖7c揭示了在每個氣穴振蕩周期期間，氣泡的尺寸在τ1時間段內(nèi)增加及在τ2時間段內(nèi)電源切斷后氣泡尺寸減小。半導體晶圓銷售廠家、。上海半導體晶圓承諾守信

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    使得該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該***內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。進一步的，為了讓基板區(qū)域的電阻值降低，其中在該蝕刻步驟進行一部份后，再將該屏蔽層覆蓋到該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域，使得在該邊框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離，大于或等于在該第二內(nèi)框結(jié)構(gòu)區(qū)域的該***表面至該第二表面的距離。進一步的，為了盡可能地利用晶圓的面積來制作不同芯片，其中該多個芯片區(qū)域包含一第二芯片區(qū)域，該***芯片區(qū)域與該第二芯片區(qū)域的形狀不同。進一步的，為了使用晶圓級芯片制造技術(shù)來加速具有上述基板結(jié)構(gòu)的芯片制作，其中該多個芯片區(qū)域當中的每一個芯片區(qū)域和該***芯片區(qū)域的形狀都相同。進一步的，為了節(jié)省金屬層的厚度以便節(jié)省成本，其中該金屬層具有相對應(yīng)的一第三表面與一第四表面，該第三表面完全貼合于該第二表面，其中該第四表面具有向該第三表面凹陷的一金屬層凹陷區(qū)域，該金屬層凹陷區(qū)域在該第二表面的投影區(qū)域位于該中心凹陷區(qū)域當中。進一步的，為了設(shè)計與制作的方便，其中該金屬層凹陷區(qū)域與該中心凹陷區(qū)域的形狀相應(yīng)，該金屬層凹陷區(qū)域的面積小于該中心凹陷區(qū)域的面積?？偵纤?。上海半導體晶圓承諾守信

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