DDR內(nèi)存的典型使用方式有兩種： 一種是在嵌入式系統(tǒng)中直接使用DDR顆粒，另一 種是做成DIMM條(Dual In - line Memory Module,雙列直插內(nèi)存模塊，主要用于服務(wù)器和 PC)或SO - DIMM(Small Outline DIMM,小尺寸雙列直插內(nèi)存，主要用于筆記本) 的形式插  在主板上使用。

在服務(wù)器領(lǐng)域，使用的內(nèi)存條主要有UDIMM、RDIMM、LRDIMM等。UDIMM(UnbufferedDIMM,非緩沖雙列直插內(nèi)存)沒(méi)有額外驅(qū)動(dòng)電路，延時(shí)較小，但數(shù)據(jù)從CPU傳到每個(gè)內(nèi)存顆粒時(shí)，UDIMM需要保證CPU到每個(gè)內(nèi)存顆粒之間的傳輸距離相等，設(shè)計(jì)難度較大，因此UDIMM在容量和頻率上都較低，通常應(yīng)用在性能/容量要求不高的場(chǎng)合。 DDR3和 DDR4設(shè)計(jì)分成幾個(gè)方面：仿真、有源信號(hào)驗(yàn)證和功能測(cè)試。用于電氣物理層、協(xié)議層和功能測(cè)試解決方案。四川HDMI測(cè)試DDR一致性測(cè)試

DDR總線一致性測(cè)試

工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線一致性測(cè)量概述

高速數(shù)字系統(tǒng)使用了各種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線，對(duì)這些工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線進(jìn)行規(guī)范一致性測(cè)量是確 保系統(tǒng)工作穩(wěn)定和可靠的關(guān)鍵點(diǎn)之一?！耙恢滦浴笔菍?duì)英文單詞“Compliance”的中文解釋， 美國(guó)把按工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范進(jìn)行的電氣參數(shù)測(cè)量叫作一致性測(cè)量。

測(cè)試這些工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線，完整和可靠的測(cè)試方案是非常重要的。完整的測(cè)試方案不僅保證測(cè)試準(zhǔn)確度，還可以大量節(jié)省測(cè)試時(shí)間，提高工作效率。

工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線完整的測(cè)試方案一般包括幾部分：測(cè)試夾具；探頭和附件；自動(dòng)測(cè)試軟件;測(cè)試儀器。 四川HDMI測(cè)試DDR一致性測(cè)試DDR命令、地址和地址總線的建立時(shí)間和保持時(shí)間定義。

測(cè)試軟件運(yùn)行后，示波器會(huì)自動(dòng)設(shè)置時(shí)基、垂直增益、觸發(fā)等參數(shù)進(jìn)行測(cè)量并匯總成一 個(gè)測(cè)試報(bào)告，測(cè)試報(bào)告中列出了測(cè)試的項(xiàng)目、是否通過(guò)、spec的要求、實(shí)測(cè)值、margin等。 自動(dòng)測(cè)試軟件進(jìn)行DDR4眼圖睜開(kāi)度測(cè)量的一個(gè)例子。信號(hào)質(zhì)量的測(cè)試還可以  輔 助 用 戶 進(jìn) 行 內(nèi) 存 參 數(shù) 的 配 置 ， 比 如 高 速 的 D D R 芯 片 都 提 供 有 O D T ( O n D i e Termination)的功能，用戶可以通過(guò)軟件配置改變內(nèi)存芯片中的匹配電阻，并分析對(duì)信號(hào)質(zhì) 量的影響。

除了一致性測(cè)試以外，DDR測(cè)試軟件還可以支持調(diào)試功能。比如在某個(gè)關(guān)鍵參數(shù)測(cè)試 失敗后，可以針對(duì)這個(gè)參數(shù)進(jìn)行Debug。此時(shí)，測(cè)試軟件會(huì)捕獲、存儲(chǔ)一段時(shí)間的波形并進(jìn) 行參數(shù)統(tǒng)計(jì)，根據(jù)統(tǒng)計(jì)結(jié)果可以查找到參數(shù)違規(guī)時(shí)對(duì)應(yīng)的波形位置，

制定DDR 內(nèi)存規(guī)范的標(biāo)準(zhǔn)化組織是JEDEC(Joint Electron Device Engineering  Council,)。按照J(rèn)EDEC組織的定義， DDR4 的比較高數(shù)據(jù)速率已經(jīng) 達(dá)到了3200MT/s以上，DDR5的比較高數(shù)據(jù)速率則達(dá)到了6400MT/s以上。在2016年之 前，LPDDR的速率發(fā)展一直比同一代的DDR要慢一點(diǎn)。但是從LPDDR4開(kāi)始，由于高性 能移動(dòng)終端的發(fā)展，LPDDR4的速率開(kāi)始趕超DDR4。LPDDR5更是比DDR5搶先一步在 2019年完成標(biāo)準(zhǔn)制定，并于2020年在的移動(dòng)終端上開(kāi)始使用。DDR5的規(guī)范 (JESD79-5)于2020年發(fā)布，并在2021年開(kāi)始配合Intel等公司的新一代服務(wù)器平臺(tái)走向商 用。圖5.2展示了DRAM技術(shù)速率的發(fā)展。DDR2 和 LPDDR2 一致性測(cè)試軟件。

由于DDR4的數(shù)據(jù)速率會(huì)達(dá)到3.2GT/s以上，DDR5的數(shù)據(jù)速率更高，所以對(duì)邏輯分析儀的要求也要很高，需要狀態(tài)采樣時(shí)鐘支持1.6GHz以上且在雙采樣模式下支持3.2Gbps 以上的數(shù)據(jù)速率?；诟咚龠壿嫹治鰞x的DDR4/5協(xié)議測(cè)試系統(tǒng)。圖中是通過(guò) DIMM條的適配器夾具把上百路信號(hào)引到邏輯分析儀，相應(yīng)的適配器要經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試，確 保在其標(biāo)稱的速率下不會(huì)因?yàn)樾盘?hào)質(zhì)量問(wèn)題對(duì)協(xié)議測(cè)試結(jié)果造成影響。目前的邏輯分析儀可以支持4Gbps以上信號(hào)的采集和分析。什么是DDR DDR2 DDR3 DDR4 DDR5;四川HDMI測(cè)試DDR一致性測(cè)試

DDR地址、命令總線的一致性測(cè)試。四川HDMI測(cè)試DDR一致性測(cè)試

我們看到，在用通用方法進(jìn)行的眼圖測(cè)試中，由于信號(hào)的讀寫(xiě)和三態(tài)都混在一起，因此很難對(duì)信號(hào)質(zhì)量進(jìn)行評(píng)估。要進(jìn)行信號(hào)的評(píng)估，第1步是要把讀寫(xiě)信號(hào)分離出來(lái)。傳統(tǒng)上有幾種方法用來(lái)進(jìn)行讀寫(xiě)信號(hào)的分離，但都存在一定的缺陷?？梢岳米x寫(xiě)Preamble的寬度不同用脈沖寬度觸發(fā)，但由于JEDEC只規(guī)定了WritePreamble寬度的下限，因此不同芯片間Preamble的寬度可能是不同的，而且如果Read/Write的Preamble的寬度一樣，則不能進(jìn)行分離。也可以利用讀寫(xiě)信號(hào)的幅度不同進(jìn)行分離，如圖7-138中間 的圖片所示，但是如果讀寫(xiě)信號(hào)幅度差別不大，則也不適用6還可以根據(jù)RAS、CAS、CS、 WE等控制信號(hào)來(lái)分離讀寫(xiě)，但這種方法要求通道數(shù)多于4個(gè)，只 有帶數(shù)字通道的MSO示波器才能滿足要求，比如Agilent的MS09000A系列或者 MSOX90000A系列，對(duì)于用戶示波器的要求比較高。四川HDMI測(cè)試DDR一致性測(cè)試