DDR時(shí)鐘總線的一致性測(cè)試

DDR總線參考時(shí)鐘或時(shí)鐘總線的測(cè)試變得越來越復(fù)雜，主要測(cè)試內(nèi)容可以分為兩方面：波形參數(shù)和抖動(dòng)。波形參數(shù)主要包括：Overshoot（過沖）；Undershoot（下沖）；SlewRate（斜率）；RiseTime（上升時(shí)間）和FallTime（下降時(shí)間）；高低時(shí)間；DutyCycle（占空比失真）等，測(cè)試較簡(jiǎn)單，在此不再贅述。抖動(dòng)測(cè)試則越來越復(fù)雜，以前一般只是測(cè)試Cycle-CycleJitter（周期到周期抖動(dòng)），但是當(dāng)速率超過533MT/S的DDR2&3時(shí)，測(cè)試內(nèi)容相當(dāng)多，不可忽略。表7-15是DDR2667的規(guī)范參數(shù)。對(duì)這些抖動(dòng)參數(shù)的測(cè)試需要用軟件實(shí)現(xiàn)，比如Agilent的N5413ADDR2時(shí)鐘表征工具。測(cè)試建議用系統(tǒng)帶寬4GHz以上的差分探頭和示波器，測(cè)試點(diǎn)在DIMM上靠近DRAM芯片的位置，被測(cè)系統(tǒng)建議運(yùn)行MemoryTest類的總線加壓軟件。 DDR4 電氣一致性測(cè)試應(yīng)用軟件。云南DDR一致性測(cè)試價(jià)格多少

按照存儲(chǔ)信息方式的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM(Static RAM)和 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic RAM)。SRAM運(yùn)行速度較快、時(shí)延小、控制簡(jiǎn)單，但是 SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需要多個(gè)晶體管，不容易實(shí)現(xiàn)大的存儲(chǔ)容量，主要用于一些對(duì)時(shí) 延和速度有要求但又不需要太大容量的場(chǎng)合，如一些CPU芯片內(nèi)置的緩存等。DRAM的 時(shí)延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對(duì)復(fù)雜。但是由于DRAM每比特?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)只需要一個(gè)晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點(diǎn)，目前已經(jīng)成為大 容量RAM的主流，典型的如現(xiàn)在的PC、服務(wù)器、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量?jī)?nèi)存都是DRAM。云南DDR一致性測(cè)試價(jià)格多少DDR4/LPDDR4 一致性測(cè)試；

D D R 5 的 接 收 端 容 限 評(píng) 估 需 要 通 過 接 收 容 限 的 一 致 性 測(cè) 試 來 進(jìn) 行 ， 主 要 測(cè) 試 的 項(xiàng) 目 有 D Q 信 號(hào) 的 電 壓 靈 敏 度 、 D Q S 信 號(hào) 的 電 壓 靈 敏 度 、 D Q S 的 抖 動(dòng) 容 限 、 D Q 與 D Q S 的 時(shí) 序 容 限、DQ的壓力眼測(cè)試、DQ的均衡器特性等。

在DDR5的接收端容限測(cè)試中，也需要通過御用的測(cè)試夾具對(duì)被測(cè)件進(jìn)行測(cè)試以及測(cè)試前的校準(zhǔn)。展示了一套DDR5的DIMM條的測(cè)試夾具，包括了CTC2夾具(ChannelTestCard)和DIMM板(DIMMTestCard)等。CTC2夾具上有微控制器和RCD芯片等，可以通過SMBus/I2C總線配置電路板的RCD輸出CA信號(hào)以及讓被測(cè)件進(jìn)入環(huán)回模式。測(cè)試夾具還提供了CK/CA/DQS/DQ/LBD/LBS等信號(hào)的引出。

以上只是 一 些進(jìn)行DDR讀/寫信號(hào)分離的常用方法，根據(jù)不同的信號(hào)情況可以做選 擇。對(duì)于DDR信號(hào)的 一 致性測(cè)試來說，用戶還可以選擇另外的方法，比如根據(jù)建立/保持 時(shí)間的不同進(jìn)行分離或者基于CA信號(hào)突發(fā)時(shí)延的方法(CA高接下來對(duì)應(yīng)讀操作，CA低 接下來對(duì)應(yīng)寫操作)等，甚至未來有可能采用一些機(jī)器學(xué)習(xí)(Machine Learning)的方法對(duì) 讀/寫信號(hào)進(jìn)行判別。讀時(shí)序和寫時(shí)序波形分離出來以后，就可以方便地進(jìn)行波形參數(shù)或者 眼圖模板的測(cè)量。

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室 DDR 設(shè)計(jì)和測(cè)試解決方案；

由于DDR5工作時(shí)鐘比較高到3.2GHz,系統(tǒng)裕量很小，因此信號(hào)的 隨機(jī)和確定性抖動(dòng)對(duì)于數(shù)據(jù)的正確傳輸至關(guān)重要，需要考慮熱噪聲引入的RJ、電源噪聲引 入的PJ、傳輸通道損耗帶來的DJ等影響。DDR5的測(cè)試項(xiàng)目比DDR4也更加復(fù)雜。比如 其新增了nUI抖動(dòng)測(cè)試項(xiàng)目，并且需要像很多高速串行總線一樣對(duì)抖動(dòng)進(jìn)行分解并評(píng)估 RJ、DJ等不同分量的影響。另外，由于高速的DDR5芯片內(nèi)部都有均衡器芯片，因此實(shí)際 進(jìn)行信號(hào)波形測(cè)試時(shí)也需要考慮模擬均衡器對(duì)信號(hào)的影響。圖5.16展示了典型的DDR5 和LPDDR5測(cè)試軟件的使用界面和一部分測(cè)試結(jié)果。DDR2 和 LPDDR2 一致性測(cè)試軟件。信息化DDR一致性測(cè)試參考價(jià)格

DDR1 電氣一致性測(cè)試應(yīng)用軟件。云南DDR一致性測(cè)試價(jià)格多少

如果PCB的密度較高，有可能期望測(cè)量的引腳附近根本找不到合適的過孔(比如采用雙面BGA貼裝或采用盲埋孔的PCB設(shè)計(jì)時(shí)),這時(shí)就需要有合適的手段把關(guān)心的BGA引腳上的信號(hào)盡可能無失真地引出來。為了解決這種探測(cè)的難題，可以使用一種專門的BGAInterposer(BGA芯片轉(zhuǎn)接板，有時(shí)也稱為BGA探頭)。這是一個(gè)專門設(shè)計(jì)的適配器，使用時(shí)要把適配器焊接在DDR的內(nèi)存顆粒和PCB板中間，并通過轉(zhuǎn)接板周邊的焊盤把被測(cè)信號(hào)引出。BGA轉(zhuǎn)接板內(nèi)部有專門的埋阻電路設(shè)計(jì)，以盡可能減小信號(hào)分叉對(duì)信號(hào)的影響。一個(gè)DDR的BGA探頭的典型使用場(chǎng)景。云南DDR一致性測(cè)試價(jià)格多少