D8DISCOVER應用范圍材料研究殘余應力分析、織構和極圖、微區(qū)X射線衍射、廣角X射線散射（WAXS）XRD可研究材料的結構和物理特性，是重要的材料研究工具之一。D8DISCOVER就是布魯克推出的、用于材料研究的旗艦款XRD儀器。D8DISCOVER配備了技術超過的組件，可為您帶來較好的性能和充分的靈活性，同時讓研究人員對材料進行細致入微的表征：定性相分析和結構測定微米應變和微晶尺寸分析應力和織構分析粒度和粒度分布測定使用微米大小的X射線束進行局部XRD分析倒易空間掃描UMC樣品臺通常用于分析大塊樣品、掃描測量應用和涂層分析，也能測量多個小樣品或用于執(zhí)行非環(huán)境實驗。杭州礦渣檢測分析

石墨化度分析引言石墨及其復合材料具有高溫下不熔融、導電導熱性能好以及化學穩(wěn)定性優(yōu)異等特點，應用于冶金、化工、航空航天等行業(yè)。特別是近年來鋰電池的快速發(fā)展，進一步加大了石墨材料的需求。工業(yè)上常將碳原料經(jīng)過煅燒破碎、焙燒、高溫石墨化處理來獲取高性能人造石墨材料。石墨的質(zhì)量對電池的性能有很大影響，石墨化度是一種從結構上表征石墨質(zhì)量的方法之一。石墨化度碳原子形成密排六方石墨晶體結構的程度,其晶格尺寸愈接近理想石墨的點陣參數(shù),石墨化度就愈高。南京量子阱檢測分析D8測角儀巨有市場超前地精確度，為布魯克獨有的準直保證奠定了基礎。

材料屬性D2PHASER是一款便攜的臺式XRD儀器，主要用于研究和質(zhì)控。您可以使用TOPAS軟件提供的基本參數(shù)方法研究晶體結構、研究快速可靠的SAXS測量的納米結構或研究微觀結構（微晶尺寸）。SAXS—分析SBA-15介觀催化劑（PDF）Er-Melilite的晶體結構（PDF）陽極焦炭（LC值）分析（PDF）DIFFRAC.DQUANT：對殘余奧氏體進行合規(guī)量化（PDF）布魯克為礦物和采礦業(yè)提供了先進的解決方案，旨在以可靠的方式，支持地質(zhì)學家和礦產(chǎn)勘探者隨時隨地開展礦床發(fā)現(xiàn)和分析工作。

所有維度都非常好的數(shù)據(jù)質(zhì)量不論在何種應用場合，它都是您的可選的探測器：高的計數(shù)率、動態(tài)范圍和能量分辨率，峰位精度布魯克提供基于NIST標樣剛玉（SRM1976c）整個角度范圍內(nèi)的準直保證，面向未來的多用途采用了開放式設計并具有不受約束的模塊化特性的同時，將用戶友好性、操作便利性以及安全操作性發(fā)揮得淋漓盡致，這就是布魯克DAVINCI設計，布魯克獲得的TWIN-TWIN光路設計極大地簡化了D8ADVANCE的操作，使之適用于多種應用和樣品類型。為便于用戶使用，該系統(tǒng)可在4種不同的光束幾何之間進行自動切換。該系統(tǒng)無需人工干預，即可在Bragg-Brentano粉末衍射幾何和不良形狀的樣品、涂層和薄膜的平行光束幾何以及它們之間進行切換，且無需人工干預，是在環(huán)境下和非環(huán)境下對包括粉末、塊狀物體、纖維、片材和薄膜（非晶、多晶和外延）在內(nèi)的所有類型的樣品進行分析的理想選擇。在DIFFRAC.WIZARD中配置溫度曲線并將其與測量同不，然后可以在DIFFRAC.EVA中顯示結果。

藥物制劑生產(chǎn)過程中除需添加各種輔料外，往往還需要經(jīng)過溶解、研磨、干燥(溫度)、壓片等工藝過程，在此過程中API的晶型有可能發(fā)生改變，進而可能影響到藥物的療效。國內(nèi)外FDA規(guī)定多晶型藥物在研制、生產(chǎn)、貯存過程中必須保證其晶型的一致性，固體制劑中使用的晶型物質(zhì)應該與API晶型一致。因此藥物制劑中的晶型分析是非常重要的。由于輔料的存在對藥物制劑中API的晶型分析增加了干擾，特別是API含量非常少的制劑樣品，檢測更加困難。XRPD是API晶型分析的有效手段之一，配合高性能的先進檢測器，為制劑中微量API的晶型檢測提供了有利工具。使用DIFFRAC.EVA,測定小區(qū)域結構特性。通過積分2D圖像，進行1D掃描，來進行定性相分析和微觀結構分析。蘇州組分檢測分析

卡口安裝式Eulerian托架可支持多種應用，如應力、織構和外延膜分析，包括在非環(huán)境條件下。杭州礦渣檢測分析

RuO2薄膜掠入射XRD-GID引言薄膜材料就是厚度介于一個納米到幾個微米之間的單層或者多層材料。由于厚度比較薄，薄膜材通常依附于一定的襯底材料之上。常規(guī)的XRD測試，X射線的穿透深度一般在幾個微米到幾十個微米，這遠遠大于薄膜的厚度，導致薄膜的信號會受到襯底的影響（圖1）。另外，如果衍射簡單較高，那么X射線只能輻射到部分樣品，無法利用整個樣品的體積，衍射信號弱。薄膜掠入射衍射（GID：GrazingIncidenceX-RayDiffraction）很好的解絕了以上問題。所謂掠入射是指使X射線以非常小小的入射角（＜5°）照射到薄膜上，小的入射角大大減小了在薄膜中的穿透深度，同時增加衍射顆粒的數(shù)目和x射線在薄膜中的光程。這里有兩點說明：GID需要硬件配置；常規(guī)GID只適合多晶薄膜和非晶薄膜，不適合單晶外延膜。杭州礦渣檢測分析